MEMSマイクを敢えて2チップ構成にして成長分野へ応��広げるAkustica
�歸��陲�MEMS専門メーカーであるAkustica社は、音�m認識、テレビ会議などへの応��を�咾��T識したアナログ出��のMEMSマイク、AKU340を開発した。音�mに混入するノイズを低��する機�Α淵離ぅ坤�ャンセラ）はスマホでは�Lかせなくなってくる。そのためには��数個のMEMSマイクが��要。なぜか。電�Bインタビューでその狙いを聞いた。 [→��きを読む]
�\術分析
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インテリジェント化するLED照��、蛍光�iではできなかった調光機�Δ鯡祇�で
東�Bビッグサイトで開かれたLED Next Stage 2012では、LEDならではの応��として調光を無線で行うというデモが�Q社から��された。照��の��るさを連��的に変える調光は白�X�iではできたが蛍光�iではできなかった。白�X�iでは調光�_のダイヤルを壁に�△���け、��るさを調�Dすることが�k般的だった。LEDは無線で調光するようになる。 [→��きを読む]
��菱電機、SiCインバータを�k��化したモータ試作、インホイールEV�o��内に
��菱電機の先端�\術総合研�|所は、SiCトランジスタを使ったインバータ（プリント基��）とモータの軸とを�k��化、別々の場合よりも��積で50%削��することに成功した。SiCインバータ�k��型モータ�\術は、��来のインホイールモータ�W��の電気�O動�Zを��野に入れることができる。 [→��きを読む]
インテルの22nmFINFETプロセスをファウンドリとして使うTabula社
インテル社の22nm、FINFETプロセスをファウンドリとして�W��する契約を、新興FPGAメーカーのタブラ（Tabula）社が締�Tした。タブラ社は、ロジックを時分割にリコンフィギュア(再構成)することで、これまでのハイエンドFPGAよりも小さな�C積でFPGAを実現できる3D Space Timeアーキテクチャを��長としてきたベンチャーだ。 [→��きを読む]
カメレオンのように変身、進化を��けるインターシル、成長の10分野に��化
Wi-FiのIEEE802.11bという最初の無線LANチップを出荷したインターシル（Intersil）。このチップがコモディティとなるとすぐさま�}放し、アナログに��化する。アナログ＆ミクストシグナルと、パワーマネジメントに��化することを�x言して4�Qたった。このほど、半導��チップの機�Δ任呂覆��c�旱x場に向けた�靆腓鮴澆韻�。 [→��きを読む]
システムと�k��化する��2世代のセンサ�\術(2)−オリンピックに�擇�す英国
2012�Q7月12日からロンドンオリンピックが始まる。オリンピックで�Mつためにアスリートはどのようなトレーニングを行い、どのような身��に仕�屬欧���要があるのか。ボディセンサネットワークと信�ｽ萢�、アルゴリズムの開発などICT�\術を�~使して、理�[的な身����性を�{求するセンサシステムの研�|が英国インペリアルカレッジで行われている。 [→��きを読む]
システムと�k��化する��2世代のセンサ�\術(1)−�Lに囲まれた英国に見る
センサ�\術が��2世代を迎えている。��来のセンサ�\術動向では、�駘�量を電気量(電圧や電流)に変換するデバイス単��に��点が当たっていた。��2世代では、センサがシステムと�k��になってシステムをより便�Wに使え、より詳細に解析でき、より��確に�U御できるようにエコシステムを構築する。��2世代センサシステムに�Dり組む英国スコットランドの�X況を紹介する。 [→��きを読む]
リチウムイオン電池を10倍長�eちさせられる負極材料を英ベンチャーが量��へ
シリコンという材料を、リチウムイオン電池の負極に採��することで、電流容量を数倍から10倍に�屬欧茲Δ箸い�試みが始まっているが、充放電の繰り返しによる電極劣化が著しい。この劣化を�ﾀKできる�\術を英国nexeon社が開発した。まだ試作レベルながら、サイクル��命は��来並みを確保、電流容量は業�cトップクラスの3.1Ahを軽くクリヤーし、4.1Ahを�uている。 [→��きを読む]
「�\術で何ができるかが�_要」というジョブズ��の言��を反映したクアルコム
ファブレス半導��メーカーのクアルコム（Qualcomm）が、�c�撻┘譽�トロニクスの�t��会であるCES（Consumer Electronics Show）で�T在感を見せつけた。スティーブ・ジョブズ��の「�\術が�_要なのではなく、�\術で何ができるかが�_要なのだ」を反映している。半導��チップのSnapdragon S4についてはあまり触れず、チップを使ってできる機�Δ鮓�せた。 [→��きを読む]
6インチのGaN on Siウェーハで1 mm2のパワーLEDチップの光出��が634mW
ドイツのフィリップスから独立したLEDメーカーであるオスラム社（OSRAM Opto Semiconductors：www.osram-os.com）は、6インチSiウェーハ�屬�GaN層を形成し、�E色LEDおよび黄色い薄膜を被�戮気擦診鮨�LEDを開発、試作量��ラインに流した��使われたシリコンウェーハは�x販のものを��いた。 [→��きを読む]
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