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![GaNデバイス���]��8インチウェーハ�官�のMOCVD����を�j(lu┛)陽日�┐�発売へ](/assets_c/900px/111222-taiyonissan.png "GaNデバイス���]��8インチウェーハ�官�のMOCVD����を�j(lu┛)陽日�┐�発売へ")
LEDのチップ�C積�\�j(lu┛)や個数�\加に�官�したり、あるいはチップ�C積の�j(lu┛)きなパワー半導��にも使えたりするような、8インチGaNウェーハが入�}できるようになる。�j(lu┛)陽日�┐�8インチSiウェーハ�屬�GaN膜を形成できるMOCVD����、モデルU(xi┌n)R26Kを開発、セミコンジャパンで�t��(j┤)した。 [→��きを読む]
![アプライドマテリアルズ、22/20nmノードに合わせた���]・検�h����を発表](/assets_c/900px/111215-amat.png "アプライドマテリアルズ、22/20nmノードに合わせた���]・検�h����を発表")
��(sh━)アプライドマテリアルズ社は、22nm/20nmノード以�Tの微細化プロセスに�官�した新しい���]����OptivaおよびOnyxと検�h����1機�|を発表した。Optivaはチップ同士を�_ねる3次元IC向けのTSV�\術の�篳��┣祝譴��\積にも使える����。ウェーハプロセスメーカー、アセンブリメーカー、どちらにも供給できる。 [→��きを読む]
��(sh━)テクトロニクス社は、周�S数を横軸とするスペクトルアナライザ機�Δ函∋�間を横軸とするオシロスコープの機�Δ魴eたせた新型のオシロスコープMDO4000シリーズを発売する。最�Zの流行語であるコネクティビティとワイヤレスインターネットという言��で代表されるモバイル機�_(d│)にはRF�v路は�L(f┘ng)かせない。このオシロはRFからデジタルまで使える。 [→��きを読む]
![��ハイエンドのリアルタイムオシロをテクトロが発売、高�]シリコンの�h価に](/assets_c/900px/110802-tektronix.png "��ハイエンドのリアルタイムオシロをテクトロが発売、高�]シリコンの�h価に")
��(sh━)テクトロニクス（Tektronix）社は周�S数帯域33GHz、2チャンネルでサンプリング周�S数100Gサンプル/秒という��ハイエンドのリアルタイムオシロスコープを発売した。�R定�_(d│)は���Rすべき試料の�eつ��性をカバーしなければならないため、ただでさえ高性�Δ�求められるがこのオシロの設��にはIBMの高�]SiGeバイCMOS�\術を使った。 [→��きを読む]
アルバックの100%子会社で、�X�U(ku┛)御�\術をコアとするアルバック理工は、�a(b┳)度差を�W(w┌ng)��する3kWクラスの発電機を開発した。�a(b┳)度差を�W(w┌ng)��するもののゼーベック効果のような半導��素子を使うのではなく、機械式の�v転子に冷��の�^気圧を加えることで�v転子を�vしモーターを�v転させ発電するという原理だ。工場の排�X�W(w┌ng)��を�膿覆任�る。 [→��きを読む]
無線LANやCDMA��(sh┫)式の携帯電�B、Bluetooth、などのスペクトラム拡�g��(sh┫)式の無線通信、LTEや地デジなどのOFDM変調といったデジタル変調��(sh┫)式の無線通信が華やかになっているが、これらの��(sh┫)式では時間軸での振幅や位相の�S形が��常かどうか�荵，靴燭ぁ�テクトロニクスはこれまでの振幅に加え位相、周�S数をリアルタイムに時間軸で�荵，任�るシグナルアナライザRSA5000を発売した。 [→��きを読む]
セミコンジャパン2010においても、半導��の高集積化や高機�Σ修砲茲辰謄轡好謄爐離灰好肇瀬Ε鵑鮨泙襪箸いΕ船奪廛罅璽供爾���点は変わらない。半導��メーカーが常に�T識していることはコストダウンである。コストアップを�cけるため、テスター分野でもスループットを�屬欧襯廛蹇璽屮�ードや、450mmの薄いウェーハを�Хeする軽いフレーム、�}軽に実�xできるクリーンルームなどもデモされた。 [→��きを読む]
![ダブルパターニング��エッチャー、高�]テスターなど�H様化するセミコンJ（I）](/assets_c/900px/101214-semiconj.png "ダブルパターニング��エッチャー、高�]テスターなど�H様化するセミコンJ（I）")
12月はじめ幕張で開かれたセミコンジャパン2010では、これまでの微細化�k本�gからスループットの改��や新型クリーンルームなど、�H様化する半導��プロセスを��(j┫)徴するような�t��(j┤)��に�j(lu┛)きな関心が集まった。出�t社は昨�Qよりも��(f┫)少し�v復が��れてはいるものの、微細化、�j(lu┛)口径といったこれまでとの違いがはっきり見える。 [→��きを読む]
アルバックが3次元実���\術であるTSV（through silicon via）プロセスを穴あけからメタル�mめ込みまでターンキーで行う���]����を開発、セミコンジャパンで発表する。ターンキーソリューションの最�j(lu┛)のメリットは、リソグラフィとウェーハ薄型加工を除く工��の����コストが4割も��(f┫)ること。スループットも高くなるとしている。 [→��きを読む]
![テスト時間�]縮、高�]DRAMやRF�v路への�官�も��ぐヴェリジー](/assets_c/900px/100803-verigy.png "テスト時間�]縮、高�]DRAMやRF�v路への�官�も��ぐヴェリジー")
高周�S�R定�_(d│)でかつて定�hのあったヒューレット-パッカード社から1999�Qスピンオフしたアジレントテクノロジーだが、さらに2006�Qスピンオフしたヴェリジー社が高�]メモリーのテスターV93000プラットフォームや、53,000本以�屬離廛蹇璽屬鮖箸辰�1�vで試�xするテスターV6000メモリー専��テスターなど進化させている。 [→��きを読む]
