図1　カギとなった130nm　SiGeバイCMOS�\術とMCM、�X設��　出�Z：Tektronix

IBMのハイエンド8HPプロセスは130nmのSiGeバイポーラとCMOSを組み合わせた�\術である。8月2日から発売するこのリアルタイムオシロは、最�Z、高�]シリアルインターフェースが�\えてきたため、その伝送時のアイパターンを�莟Rしたり、レーダー画�気筌船磧璽彿儡慌��気鮃��]に処理したりする����が�\えてきたことに�官�する。同社Performance Oscilloscope�靆腓�Marketing ManagerのDavid Fink��(hu━)によると、同社はストレージ分野では12GbpsのSAS開発に、半導�����]����メーカーは4レーンの10Gbpsか25GbpsのEthernet開発に、光通信分野ではDP-QPSKプロジェクトで4チャンネルのADC開発に、という�差腓帽��]の信��(gu┤)�S形を見たいという要求が�H数あったという。

こういったニーズに�官�するため、このハイエンドオシロDPO/DSA7000Dシリーズを開発した。高�]信��(gu┤)をサンプリングして収集するため、半導��チップに加え、MCM（マルチチップモジュール）もIBMと共同で開発した。2個のプリアンプと1個の8段インターリーブして100Gサンプル/秒のICを8HPプロセスで���]し、�X交換�_(d│)を搭載した放�X��も設��した(図1)。

入��は4チャンネルあり、いずれも33GHzの帯域をもち、サンプリングレートも100Gサンプル/秒を提供する。立ち�屬�り時間は9psと高�]で、�S形�Dり込みレートは30万�S形/秒と�]い。高�]にしながらノイズを��(f┫)らし、ジッターは250ps以下。信��(gu┤)コア径、絶縁フィルムの厚さ、など同軸ケーブルも��失を��(f┫)らすように最適化した。

図2　4チャンネル入��の33GHz、100Gs/sの��高�]オシロ　出�Z：Tektronix

半導��メーカーに�瓦靴討論濕�テープアウトして���]プロセスから出来�屬�ってくるファーストシリコンの�h価に向くとしている。また光通信の変調解析においてもQPSK変調で240Gbpsを�莟Rできるとしている。ストレージオシロとして1チャンネル当たり250Mポイントの�S形を蓄えられるメモリー容量を�eつ。高�]でち密な信��(gu┤)を解析するために、MATLABやLabVIEWなどのツールにデータを�}渡すことも可�Δ箸いΑ２然覆�33GHz、100Gs/s機が3040万��と3280万��、25GHz、100Gs/s機が2350万��と2480万��のそれぞれ2機�|ずつある。