10nmプロセスでIBMと協業するUMC、微細化で���]��争��を�啣�
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UMCが10nmプロセスでIBMと協業すると6月13日に発表した。IBMの�\術開発アライアンス（Technology Development Alliances）グループにUMCが参加し、10nm CMOSプロセス�\術を開発する。 [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
2013�Qの世�cの半導��設��投�@は2%�\だが、14�Qは23%�\以�屐�SEMI予�R
2013�Qの半導��設��投�@総�Yは���i�Q比2%�\の325億ドルになりそうだ、という予�RをSEMIが発表した。これはSEMIが5月に発行したWorld Fab Forecastレポートによるもの。このレポートは半導��LSIだけではなく、LEDやオプトエレクトロニクスの工場も����としている。 [→��きを読む]
パソコンのCPUもアプリケーションプロセッサになった
Intel、AMDは、モバイルからデスクトップパソコンまでの����に向けた新しいマイクロプロセッサを発表した。Intelが発表したのは��4世代のCore i3/i5/i7マイクロプロセッサ、AMDはJaguarクアッドコアを採��したA4、A6、A8、A10という�k連のマイクロプロセッサ。 [→��きを読む]
LEAP、電源電圧0.37Vで動く2MビットSRAMを試作、��ビット動作確認
NEDO（新エネルギー･�噞�\術総合開発機構）とLEAP（��低電圧デバイス�\術研�|組合）は、0.37Vという低い電圧で動作するSOIのMOSFETを開発(図1)、2MビットのSRAMを試作し、その動作を確認した。この成果を6月11日から�B都で開��されている2013 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits（通称VLSI Symposium）で発表した。 [→��きを読む]
UMC、日本のIDMにはカスタマイズで�官�
P. W. Yen��、��湾UMC社 CEO ��湾��2位のファウンドリ企業であるUMC。2012�Qの世�cのファウンドリ企業においてはそれまでの��2位から4位に��いた。今�Qは巻き返しを図る。来日したCEO（最高経営責任�v）のP. W. Yen��にその狙いを聞いた。 [→��きを読む]
英Toumazのヘルスケア半導��チップ、�盜颪苓�院で効果を実証
患�vの心拍数、�}吸、���aを常に�R定するヘルスケアチップが�盜颪苓�院で早期�E��や早期��院などに効果を�屬欧討い襦１儿颪離侫．屮譽紅焼���のToumaz社が開発した低消�J電��のヘルスケアチップSensiumVitalsを��院で使い、その�~効性を実証したとToumazが発表した。 [→��きを読む]
�嗄�な���Wの影�xで、2013�Qの世�c半導���x場は2.1%�\に下�巨T��
世�c半導���x場統��（WSTS）が2013�Qの半導���x場見通しを、�i�v(2012�Q11月)の4.5%成長から2.1%成長へと下�巨T��した。この最�jの理�yは、���Wによってドル換�Qでの日本の�x場��模が�jきく押し下げられたためである。もし、為��レートが��く変わらなかったと仮定するなら、今�vの予�Rは���Q��4.0%�\になる。 [→��きを読む]
Bluetooth Smart��格がスマホのアクセサリ�x場を牽引する
Bluetooth Smart Readyがアンドロイドフォンにも搭載されることが��まった。Bluetooth Smartは、低消�J電��版であるBluetooth Low Energy（BLE）の発�t版として�擇泙譴拭�今、Bluetooth Smart、Bluetooth Smart Readyという��格が�R�`されている。この新��格Bluetooth Smartとは何か。BLEとの違いを含めて、これらを�D理してみる。 [→��きを読む]
EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（3）〜レジスト
フォトレジストでは、昨�Qまではポジ型レジストを使い、解�掬�16nm以下、LWR（線幅の��さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を�uていた。解�掬戮�LWR、感度の��つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、��つのパラメータを最適化させる��要がある(図8)。今�Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実�xである。 [→��きを読む]
EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（2）〜マスク検�h
EUVは����を透�圓靴笋垢�X線の�k�|であるため、光学�Uにはレンズではなく反�o��を�W��する。反�o光学�Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構�]を採っている。ここに�L陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無�L陥にしたい。マスク検�hは不可�Lである。 [→��きを読む]
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