TSMCは、カリフォルニア�Ε汽鵐離爾燃�かれた2014 Advanced Lithography Conferenceにおいてこの問��を�o表した（参考�@料1）。TSMCで試作ロットを流しているときにEUV光源内�陲離譟璽供宍々修離▲薀ぅ瓮鵐肇潺垢�原因で�sれた。このため、EUVスキャナーは使えなくなっている。「レーザーのアライメントミスだった」とTSMC次世代リソグラフィ�靆腓猟垢任△�Jack Chen��は認めている。

同��は、ASML/Cymerはこの問��を解��する予定だ、とEUVに�瓦靴��啜い糧�言をしている。��実、TSMCは、EUV����に問��があったのにもかかわらず、10nmノードでEUVを導入する��画を崩さない。「これは当社の�`�Yだから」と同��は述べる。

それでもなお、問��を�o表したということは、EUVの�椶泙靴ぅ肇薀屮襪�いまだに��いていることを�餮譴辰討い襦�TSMCでこの問��が��きたため、EUV����の優れた��性データを半導��メーカーは当分�uられないだろう、とある専門家は指�~する。

EUVにまつわる問��は光源によることが�Hい。実際には、マスクやレジストなど�H数の問��がEUVで噴出し��けている。

光源の見通し
ASMLの最初の量�咁NXE:3300Bは、最�Z、TSMCに出荷された。IntelやSamsungなどの半導��メーカーは今�Q中に����を入�}したいと考えている。このEUV����の仕様は、NA（開口数）0.33、4倍投影��(sh┫)式を採��、解�掬戮�ハーフピッチで22nm、となっている。

NXE:3300Bには、ASML/Cymerから30Wの光源が搭載されていたはずだ。しかし、今�v、1月31日�i後の試作工��で、レーザーの機構が�sれ、リソ����は停�Vした、とTSMCはいう。�盜饂�間2月24日現在で、この����はまだ動作していない。Chen��は「まだ故障中だ」と述べている。

今�vのトラブルは、EUV光源内�陲�����、��にコレクタにダメージを与えた、とChen��は言う。光源には、LPP（laser-produced plasma）��(sh┫)式を採��している。この��(sh┫)式では、あるターゲットにパルスレーザーを照�o(j━)することによりプラズマを発�擇垢襦�この光源はまた、プレパルスのレーザーも使い、主発振�_パワーアンプ(MOPA)でEUVのパワーを�\幅する。

この光源はCymer社が開発したもので、同社はASMLに最�Z�A収された。ASMLに光源を納めてきたCymerは2012�Q��までに100Wの光源を出荷することを約�Jしてきた。それまで、Cymerは40Wと50Wのパワーを発�擇垢��ξ�を��してきた。

55WのEUV光源は43��/時のスループットに相当する。しかし半導��メーカーは80Wの光源を求めており、チップの�攵�にEUVの優位性を�eたせようとしてきた。80Wの光源なら58��/時のスループットになる。ASMLは、2015�Qまでに250Wの光源を�eつEUVスキャナーを出荷したいという�T向である。このパワーだと126��/時のスループットになる。

参考�@料
1. EUV Suffers New Setback