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セミコンポータルによる分析

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半導バブルが終わり、実な成長期へ向かう気配

半導バブルが終わり、実な成長期へ向かう気配

半導噞がメモリバブルを脱却し、ようやく実な成長期にやってきそうだ。湾の主要IT19社の業績が発表され、7月の売幢YはiQ同月比13.5%\になった、と15日の日経噞新聞が報じた。NANDフラッシュは歩里泙蠅屬り設投@はVまってきた。長期的にAI(機械学{・ディープラーニング)を使った応が広がっている。 [→きを読む]

NANDフラッシュ、単価下落でも売幢Yは\加

NANDフラッシュ、単価下落でも売幢Yは\加

NANDフラッシュの給X況は、供給が要をvり、単価が下がっている。2四半期(2Q)には、単価はi四半期比10%度下落した。しかしビット要が高まり、2Qの販売Yは3.5%峺した、とx場調h会社のTrendForceが発表した。メモリ単価の下落はビット要を押し屬家稜糀Yはむしろ\加する、という本来のメモリビジネスをDり戻した。 [→きを読む]

半導関連の宴は終わりなのか

半導関連の宴は終わりなのか

半導]がkK、という点で7月に記(参考@料1)を執筆したが、8月11日の日本経済新聞は敏感に反応、「半導関連、宴の終わり?」というタイトルをけた。先週も、というべきだがAIがあらゆる噞に浸透し始めたことが報Oされている。AIが定するようになるとAIチップも浸透するようになる。巨jなx場になりそうだ。 [→きを読む]

DRAMバブル、今Qいっぱいきそう

DRAMバブル、今Qいっぱいきそう

DRAMは今Qもj幅な成長を~げそうだ。x場調h会社のIC Insightsは(参考@料1)、2018QのDRAM販売Yは、iQ比39%\の1016億ドル(11兆)になるという予Rを発表した。昨QのDRAMは75%度の成長だったが、その勢いは収まらないため、当初は24%成長とみていたが、巨Tしたことになる。 [→きを読む]

データセンターのストレージが変わる

データセンターのストレージが変わる

データセンターのストレージシステムが変わりそうだ。巨jなCPUを集め、巨jなストレージをつなぐことのできるデータセンター向けj模ストレージシステムを新インターフェース格NVMe(Non-Volatile Memory Express)でつなぐようなシステムに向け、共~型の高]ストレージへと向かうという。Pure Storage社がj模システムに向けた高]ストレージFlashArray IIXファミリを発売する。 [→きを読む]

50周Qを迎える国際w素子材料コンファレンス

50周Qを迎える国際w素子材料コンファレンス

半導の学会として日本で出発、発tしてきた国際w素子材料コンファレンス(SSDM: International Conference on Solid State Devices and Materials)が今Q50周Qを迎える。現在の半導噞が隆rを迎えた背景には、さまざまなエンジニアや研|vの努がある。今vは9月9日から13日まで東Bj学本鮗(図1)で開する。通常の講演やショートコースに加え、別シンポジウムやインダストリセッションのイベントもある。 [→きを読む]

スマホを値屬欧靴討盻于搗数を維eできたApple、時価総Y1兆ドル突破

スマホを値屬欧靴討盻于搗数を維eできたApple、時価総Y1兆ドル突破

盜饂間7月31日、Appleを巡る二つのニュースが発表された。x場調h会社のIDCから世cの出荷数でAppleが2位から3位に落ちた、という負のニュースが出たk機Appleが時価総Y1兆を突破した、というのニュースも発表された。どちらもしい。なぜh価が分かれるように見えるのか。そのj本の原因はメモリバブルにある。 [→きを読む]

7月に最もよく読まれた記は96層・4ビット/セルのNANDフラッシュ

7月に最もよく読まれた記は96層・4ビット/セルのNANDフラッシュ

7月に最もよく読まれた記は「3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に」であった。東メモリとWestern Digitalがそれぞれ最新のNANDフラッシュを発表したことを報じた。このメモリは、3D-NANDで96層のメモリセルをeち、かつ1セルの電圧レベルを0000から1111まで16分割した、4ビット/セル擬阿鮑涼したもの。平C屬1ビットに相当する覦茲任△蠅覆ら、96セル×4ビット/セルの384ビット(48バイト)分の高いメモリ密度をeつ。 [→きを読む]

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