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�k刻も早く日本はファウンドリを設立すべき

2010年10月29日｜�氾跳朗鵑瞭D材�}帳

先週、ISSM（国際半導��攵�\術シンポジウム）2010に出席し、半導��プロセスエンジニアと�Bをしているうちに、会社がファブライトという言い�気鬚靴討い襪海箸�瓦靴�、モチベーション（やる気）を落としていることに気がついた。日本の半導��メーカーは軒並みファブライトを口にするが、何のためにファブライトへ�々圓垢襪里�、理�yが納�uいかない。後ろ向きの理�yしか聞かされない。 [→�きを読む]

新しい形のコラボレーションを模索するアルバニーのナノテクセンター

2010年10月29日｜�\術分析（プロセス）

�盜颯縫紂璽茵璽�xから300kmほど�`れた��陲猟�▲縫紂璽茵璽�Ε▲襯丱法爾砲△襯縫紂璽茵璽�ξ�j学ナノテクセンターCNSEの実�が��蕕�砲覆辰�。これは、東�B新�Uで開�された、国際半導��攵�\術シンポジウムISSM（International Symposium on Semiconductor Manufacturing）2010の中で、同�jの平��教�bが基調講演で述べたもの。 [→�きを読む]

TSVの商��化を早める平�C配��}法によりFPGAの集積度を�屬欧襯競ぅ螢鵐��

2010年10月28日｜�\術分析（プロセス）

�櫂競ぅ螢鵐�梗劼�、シリコンインターポーザ�\術を使い、FPGAチップを��瑤弔覆或靴靴す盻言儔酋\術を開発したと発表した。3D IC�の�\術であるTSV（through silicon via）を使いながら3次元にチップを積み�_ねるのではなく、2次元に配�する。�eに積むとTSVホールの配�の�U限やインターポーザにおける配線設�の�O�y度が�なわれるため、現段階では�k�陲離ぅ瓮献磧爾鮟釮い��化されていない。 [→�きを読む]

インテルが新SoCオークトレイルで�成長タブレット�x場��Sへ、とアイサプライ

2010年10月28日｜�x場分析

�毫x場調�h会社のアイサプライによると、インテルはiPadのようなタブレットデバイス向けのマイクロプロセッサに�を入れているとレポートした。来�Q、再来�Qにかけてタブレットデバイスが爆発するとアイサプライは見ており、インテルも同じ見�気妊織屮譽奪肇妊丱ぅ垢両�成長を見越しての動きだとしている。 [→�きを読む]

それほど�咾�覆�辰織�璽┘贔x場を�嗄�に�耀uする戦�Sを表したナショセミ

2010年10月25日｜�業分析

�櫂淵轡腑淵襯札潺灰鵐瀬�拭室劼�O動�Z�x場を狙って果敢に挑戦してきている。アナログ��に��化した同社が狙う�O動�Z�x場には�つある。インフォテインメントと、LED照��薀鵐�、電気�O動�Zのバッテリマネージメントシステムである。これらの�x場を狙うと定めたことで、内�霑避Eを�成し直し、��長的な��提供によって成長を図るという戦�Sだ。 [→�きを読む]

インテルが60億ドルを�える投�@を�画、22nm以下のプロセスをにらむ

2010年10月25日｜週間ニュース分析

先週最�jのニュースは�櫂ぅ鵐謄襪�22nm以下のプロセスに向けて60億～80億ドルの投�@をすると発表したことだろう。オレゴン�Δ慮什澆旅�貮瀉脇發某靴燭帽�譴魴暙澆垢襪海箸鵬辰�、�盜馥發砲△諄J�Tの工場にも投�@する金�Yを含んでいる。もう�kつの�jきな動きは電気�O動�Z�のバッテリを巡る動きだろう。 [→�きを読む]

科学�\術の土��啣修涙k�機∈猯遷@源確保に向けた�防

$科学�\術の土��啣修涙k��、材料�@源確保に向けた�防$

2010年10月25日｜長見晃の�L外トピックス

ここ数�Q、新興経済圏が��]に�Pびる�k�気�、先進経済圏の国・地域では�業�争�の�k層の基盤�啣修�瓩瓩蕕�、そのために今後に向けて最先端および新分野を切り開く科学�\術�を高めようというイニシアティブ��動が�盜颪鬚呂犬瓩箸靴虹t開されている。ここにきて、レアアース、��飩@源など�来を�Г┐觝猯遷@源を巡って、グローバルな�Bし合い、�防が相次いでおり、半導��・デバイス業�cを見る�`から関連する動きを�{ってみる。 [→�きを読む]