Intel、Atomベースのプロセッサをサムスンに初納入、Galaxy Tab向け
先週は����で開��されたComputex Taipei 2013、東�BでのJPCAショー、今週は�B都で行われるVLSI Symposium 2013、と先端半導��のイベントが��く。ハイテクメディアが�j勢����に行ったわりにはニュースがさほど�Hくなかったが、いくつか�Rってみよう。 [→��きを読む]
���R�_・検�h・検証
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EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（3）〜レジスト
フォトレジストでは、昨�Qまではポジ型レジストを使い、解�掬�16nm以下、LWR（線幅の��さ：line width roughness）1.3nm以下、感度10mJ/cm2以下、という数値を�uていた。解�掬戮�LWR、感度の��つのパラメータはトレードオフの関係にあるため、��つのパラメータを最適化させる��要がある(図8)。今�Qは、ネガ型レジストを使ってどこまでいけるかの実�xである。 [→��きを読む]
EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（2）〜マスク検�h
EUVは����を透�圓靴笋垢�X線の�k�|であるため、光学�Uにはレンズではなく反�o��を�W(w┌ng)��する。反�o光学�Uのマスクブランクスは、W/Moの繰り返し積層構�]を採っている。ここに�L陥が入るとパターンが歪んでしまうため、無�L陥にしたい。マスク検�hは不可�Lである。 [→��きを読む]
EIDEC、グローバル協��で10nm��の加工にEUV導入�`指す（1）〜��要
EUVのマスク、レジスト�\術開発のコンソーシアムである、EUVL基盤開発センター（EIDEC）が最�Zの��動報告を行った(図1)。�S長13.4nmのX線を使うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが露光����を開発しているが、EIDECは露光����以外のEUV基本�\術を�pけ�eつ。出�@は国内13社で、�L外5社も共同研�|で参加、��原��作所とレーザーテックは����開発パートナーとして参加、3�j学と�噞�\術総合研�|所も参加する�k�jコンソーシアムだ(図2)。 [→��きを読む]
