7月に最もよく読まれた記��は96層・4ビット/セルのNANDフラッシュ
7月に最もよく読まれた記��は「3D-NANDフラッシュは96層・4ビット/セルの時代に」であった。東��メモリとWestern Digitalがそれぞれ最新のNANDフラッシュを発表したことを報じた。このメモリは、3D-NANDで96層のメモリセルを�eち、かつ1セルの電圧レベルを0000から1111まで16分割した、4ビット/セル�擬阿鮑涼�したもの。平�C�屬�1ビットに相当する�覦茲任△蠅覆�ら、96セル×4ビット/セルの384ビット（48バイト）分の高いメモリ密度を�eつ。
��2位の「半導�����]����、今�Qも2桁成長、とSEMI予�R」は、半導�����]����の成長見通しを昨�Q暮れのSEMICON JapanでSEMIが発表していたが、今�vのSEMICON Westで見通しを���巨T��した発表を報じた。
��3位「メモリ半導��の��：Samsungの最先端、3D XPoint連携、中国の�攵僝」は、長見晃��がまとめ、高�]DRAM、3D-NAND、3D-Xpointなどメモリの最新動向を伝えた記��である。
��4位「半導��後工���佗�OSAT世�cトップテンランキング」は、先々月の記��だが、あまり発表されないOSATのランキングなので、少しずつ読まれているようだ。
��5位の「�f国でなかなか育たない��メモリビジネス��情―�f国���Bの�e機感」は�K������がまとめた記��で、脱メモリを20�Q以���iから唱えていてもやはりメモリ開発を進めてしまう�f国のメモリ�j�}メーカーの実��を�bじている。この記��の��きは、8月2日に掲載されている。
