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≪メモリ半導��業�cの新たな構図≫

DRAMおよび3D NANDの最先端を牽引し��けているSamsungの最先端の�Dり組みに、また新たな1ページである。5Gスマートフォン、人工��(m┬ng)��(AI)、�O動運転�Zシステムなど今後を引っ張る�H彩な分野を��野に、データ処理�]度を50%高めた10-nm級プロセス�\術での8-gigabit LPDDR5 DRAMを世�c初として�]ち�屬欧討い襦�

◇Samsung intros 8Gb LPDDR5 DRAM for 5G and AI-powered mobile applications (7月17日��け DIGITIMES)

◇Samsung develops new DRAM for 5G, AI features of smartphones-New mobile DRAM is optimized for 5G, AI in smartphones (7月17日��け Yonhap News Agency (South Korea))
→Samsung Electronicsが、スマートフォンでの5G cellular通信およびartificial intelligence(AI)�\術��にモバイルDRAM半導��を開発、10-nm級プロセス�\術で作られた該8-gigabit LPDDR5 DRAMは、最�j(lu┛)6,400 megabits/secまでデータを動かせる旨。

◇�f経：サムスン、1.5倍�]いDRAMを世�cで初めて開発…ギャラクシーS10に搭載 (7月18日��け �f国経済新聞／中央日報日本語版)
→サムスン電子が17日、10-nm級8ギガビット(Gb)LPDDR5 DRAMを世�cで初めて開発したと発表、��高解�掬�(UHD)映画14本を1秒で転送できる次世代モバイルDRAMの旨。データ処理�]度が�J�T����より50%ほど�]く、��5世代(5G)スマートフォンと�O動運転�Zシステムなどに主に使われる予定。サムスン電子はこの����を世�c最�j(lu┛)のメモリ半導��工場、�B���O(キョンギド)の平�u(ピョンテク)工場で量��することを��定、NAND型フラッシュを�攵�するという戦�Sを約1�Qぶりに�T��したもので、世�cのDRAM�x場��給に少なくない影�xを及ぼしそうな旨。該DRAMは、2014�Qに8Gb LPDDR4 DRAMを開発してから約4�Qで1段階進化したDRAMであり、半導��業�cではSKハイニックス、��(sh━)マイクロンなど��合企業より最小1�Q以�屮蝓璽匹垢覿\術と�h価される旨。10-nm��1世代�\術として開発されたが、量�栔階ではさらに微細な作業が可�Δ�10-nm��2世代工���\術に発�tし�攵掚がさらに高くなるとの分析も出ている旨。

MicronとIntelからは、完��な詳細が��らかにされていないphase change memory(PCM)-ベースの新型メモリ、3D Xpointについての今後の連携が、��(g┛u)新発表されている。来�Q、2019�Q�i半に予定の��2世代の共同開発完了後は、その先についてそれぞれの����戦�Sによって独立に�Dり組んでいくというものである。当�Cは、��(sh━)国・Lehi, UtahにあるIntel-Micron Flash Technologies(IMFT)拠点での共同開発が��けられることになる。

◇Micron and Intel announce update to 3D XPoint joint development program-Intel, Micron to unveil second-generation 3D XPoint tech (7月17日��け DIGITIMES)
→MicronとIntelが、両社の3D XPoint共同開発パートナーシップの��(g┛u)新を発表、latencyを�S的に��(f┫)らし、NANDメモリより書き換え�v数を指数関数的に高める��く新しいclassのノンボラメモリの開発を行っていく旨。両社は、2019�Q�i半に出てくる見込みの3D XPoint�\術の��2世代の共同開発完了で合�T、��2世代より先の�\術開発は、それぞれの����およびビジネスニーズに向けて該�\術を最適化するために2社独立に�{求していく旨。
MicronとIntelは、Lehi, UtahにあるIntel-Micron Flash Technologies(IMFT)拠点で引き��き3D XPoint�\術ベースのメモリを?y┐n)��]していく旨。

◇Micron and Intel announce update to 3D XPoint joint development 　program (7月17日��け ELECTROIQ)
→「Micronは40�Qに及ぶメモリ�\術開発の世�cを主導するノウハウを擁して����(d┛ng)い革新の実績があり、引き��き次世代の3D XPoint�\術を引っ張っていく」と、Micronの�\術開発executive vice president、Scott DeBoer��(hu━)。
「Intelは顧客の����(d┛ng)い�Хeを�u(p┴ng)てclientおよびデータセンター�x場に向けてOptane����の広�J(r┬n)なportfolioを届ける主導的な位��づけを�t開している」と、Intel Corporationのsenior vice president & general manager of Non-Volatile Memory Solutions Group、Rob Crooke��(hu━)。

◇Intel, Micron to Wind Down 3D XPoint Joint Development (7月18日��け EE Times)
→IntelとMicron Technologyが、non-volatileメモリ、3D XPointの��二世代を来�Q�i半に完了後、両社の3D XPoint共同開発プログラムの中�Vに合�Tの旨。

◇Emerging Memory Types Headed for Volumes (7月18日��け ELECTROIQ)
→数10�QのR&Dを経て、2つの���屬離瓮皀蠅煉|類、IntelとMicronが共同開発したphase change memory(PCM)-ベース3D Xpointおよびいくつかのファウンドリーからのembedded spin-torque transfer magnetic RAM(e-MRAM)が、今や�x場にやってきている旨。興味のあるポイントの1つとして、どちらもますます困�Mなscaling�M��に直�Cするcharge-ベースのSRAMおよびDRAMメモリ�\術に依�Tしないこと。もう1つ、ともに�w�~の性�νグ明�があり、向こう数10�Q使える可��性の旨。3D XPointは、phase-changeに基づくstorage class memory(SCM)で、高�]DRAMおよびnon-volatile NANDの間に当てはまり、現在SSDsおよびDIMM form factorでのサンプルで入�}可�Δ了檗�

◇Intel's 3D XPoint Plans Clearer Than Micron's (7月19日��け EE Times)
→3D XPoint�\術共同開発プログラムについて、2019�Q�i半に完了予定の��2世代より先はそれぞれ独立に進めていくと発表したIntelとMicron。該�\術には依����(d┛ng)気、現在の�Oのりを引き��き進んでいく、とIntelのnon-volatileメモリソリューショングループ、vice president、Bill Leszinske��(hu━)。Intelが現在Optane�\術と�}ぶものではサーバ内のDIMMでのopportunitiesが見えており、並びにサーバあるいはclient機�_(d│)での高性�Ε好肇譟璽犬�ある旨。

◇Micron's and Intel's 3D XPoint Futures Compared (7月19日��け EE Times India)

中国のメモリ半導��業�cであるが、この4月に3社、Yangtze Memory、Innotron MemoryおよびFujian Jin Hua Integrated Circuit(JHICC)の立ち�屬欧詁阿�が�k斉に見えてきたばかりである。繰り返して見ると、次の通りの確認である。

◇Yangtze Memory obtains first 3D NAND chip orders (4月16日��け DIGITIMES)
→中国の国�~Tsinghua Unigroup傘下、Yangtze Memory Technologies(YMTC)のchairman代理でTsinghua Unigroupのexecutive VP、Charles Kau��(hu━)。
YMTCが、8GB SDメモリカード��に10,000個��の3D NANDフラッシュ半導��の商���攵�に向けた最初の�p�R�耀u(p┴ng)の旨。���陲�10,776個の32-層3D NAND半導��発�RがYMTCに行われ、同社は2018�Qの終わりごろ該半導��の量��を開始する旨。YMTCは、4月11日にWuhan(湖��省��漢)の同社の新しい12-インチfabでの����搬入を祝う式�Zを開��(h┐o)の旨。

◇Innotron Memory gearing up for DDR4 chip production, says CEO-Innotron Memory plans for DDR4 memory production (4月17日��け DIGITIMES)
→中国のInnotron Memory(以�iHefei[�W徽省合肥�x] ChangXinあるいはHefei RuiLiとして��(m┬ng)られる)が、2019�Qの8Gb DDR4半導��の量��に向けて�△┐討い觧檗�InnotronのCEO、David NK Wang��(hu━)が最�Z、2018�Q��に8Gb DDR4半導��の試行�攵�を始めるとしている旨。Innotronは、2019�Qにウェーハ20,000��に達する月次capacityで該メモリの量��に入る予定の旨。

◇China DRAM startup gearing up for production in 2018-Sources: DRAM startup is ahead of schedule with new fab (4月17日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。中国・Fujian[福建] Jin Hua Integrated Circuit(JHICC)が、7月にも����搬入を完了、2018�Q����四半期の量��への�Oを開いていく旨。Jin Huaの12-インチウェーハ工場の建設は予定に先行、該工場のphase-one拠点が2018�Q����四半期に�攵凮始予定の旨。該工場の棟�屬下阿�2017�Q11月に行われた旨。

そして、このほどこれら3社の�Dり組みの今が、��湾発で次の��要である。

◇China memory startups gearing up for commercial production in 2019-Yangtze, Fujian, Innotron to begin commercial production (7月19日��け DIGITIMES)
→中国のメモリメーカー、Yangtze Memory Technologies(YMTC), Fujian Jinhua Integrated CircuitおよびInnotron Memoryが、来�Q商���攵�を始める予定の旨。YMTCは32-層3D NANDフラッシュ半導��10,000��を越える�p�R�耀u(p┴ng)の�k��(sh┫)、JinhuaおよびInnotronはそれぞれDRAM�攵�および8-gigabyte LPDDR4半導��に�_点化する見込みの旨。

さらにその詳細をということで、以下の通りである。

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Yangtze Memory Technologies (YMTC), Fujian Jinhua Integrated Circuit およびInnotron Memory(以�iはHefei ChangXinあるいはHefei RuiLiとして��(m┬ng)られていた)など中国のメモリstartupsがすべて、2019�Qの商���攵�に向けて�△┐討い觧檗�

中国国�~Tsinghua Unigroup傘下のYMTCは以�i、最初の�p�Rを�耀u(p┴ng)したとし、8GB SDメモリカード��の32-層3D NANDフラッシュ半導��10,000��を越える商���攵�の旨。それにも拘らず、業�c筋によると、YMTCの32-層NAND半導��の月次outputは約ウェーハ5,000��に辿り��いたばかり、依��限定される旨。

新����については、YMTCは64-層3D NANDフラッシュメモリにR&Dリソースを主にかけており、2018�Q��にそのサンプルを�t開予定の旨。64-層3D NAND����の開発を経て、同社のoutputは�j(lu┛)きく��模を�\す見込みの旨。YMTCは2020�Qに�攵�capacityを月当たりウェーハ100,000��に立ち�屬欧蕕譟�3つのfabsがすべて�n働すると、総��350,000〜400,000��に到達する旨。

DRAMメモリの���]に��化するJinhuaおよびInnotronは、ともに来�Qの商���攵�を�`指している旨。

Jinhuaは以�i、2018�Q��にUMCと共同で開発した同社���k世代DRAM�攵��\術を�攵僝にもっていくとしている旨。Jinhuaは中国でMicron Technologyを相�}�Dった訴�eで�Mっているが、JinhuaのMicronとの����係争が�\術開発スケジュールにインパクトを与えるかどうかわからない旨。

業�c筋が見るところ、Innotronは最�Z8Gb LPDDR4半導��のtrial�攵�に入っている旨。同社はその�攵�がすでに始まっているかどうか、確認してない旨。

Innotronは以�iに19nm-made 8Gb DDR4����のengineeringサンプルを披露しており、2018�Q��までに出てくる旨。その量��は2019�Q�i半に始まる見込みの旨。
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この中国での動きを�T識した�f国���Bの�Dり組みが、�f国発で以下の通りである。

◇S. Korea mulls state-backed R&D projects for memory chips-South Korea to support next-gen memory chip projects (7月18日��け Yonhap News Agency (South Korea))
→�f国のminister of trade, industry and energy(MOTIE：�噞通商�@源��)のPaik Un-gyu��(hu━)。�f国は、先端メモリ半導��の国内開発へのサポートを高める��画、該���B�мqの動きは�f国および中国の半導��メーカーの間で�\�j(lu┛)する��争から出ている旨。

これも気になる詳細ということで、以下に��(j┤)すが、今後に向けた懸念のキーワードのてんこ�rりである。

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半導��が現在�f国のトップ輸出���`であり、中国は世�c最�j(lu┛)の半導���x場であるが、中国が�L(zh┌ng)外����への依�Tを��(f┫)らすために�O国の業�cの�t開を焚きつけるよう�C�j(lu┛)なファンドを��画、該分野の長期的�t望を巡る懸念が�擇犬討い觧檗�

「���Bは次世代メモリ半導��の設��および���]に向けた�j(lu┛)��模プロジェクトを考えている。」とminister of trade, industry and energy、Paik Un-gyu��(hu━)は国会で開かれたパネル討議セッションで該ファンドの詳細な量は披露せずに述べている旨。

�f国のハイテク�j(lu┛)�}、Samsung Electronics Co.とSK hynix社はworld-classのメモリ半導��開発で�\術革新を引っ張っているが、中国の�]いfollowersによる挑戦�\�j(lu┛)をかわすためにエキスパートは�_要分野への���Bの関与拡�j(lu┛)を求めている旨。

「中国は�f国との差を詰めるために�O国の半導��業�cを�t開する動きを踏み�屬欧討�り、グローバルな供給��(c┬)剰にもつながる可��性がある。」とPaik��(hu━)。

最新の動きとしてまた、メモリ半導��価格の�峺�(j━ng)が��く��中、中国の�o���D引当局が�f国のSamsung ElectronicsとSK hynix、および��(sh━)国のMicron Technologyに�`を入れている旨。該3社合わせてグローバルDRAM�x場の90%以�屬鰒�めている旨。

中国���Bは調�hしていると��式には発表していないが、業�c�莟R筋はメモリ半導��の価格を下げ、そして通商係争の��中Washingtonに圧��をかけることを狙った動きと見ている旨。
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東��メモリ、Western Digitalそして��湾勢と合わせて、引き��き敏感な�R�`を要し、��けるところとなる。

≪�x場実��PickUp≫

【相次ぐCEO交代】

先月下旬のIntelそしてRambusに��いて、このほどTexas Instruments(TI)でもCEOの��任が以下の通り発表されている。いずれも会社の行動��?w┫)Jないし�Y��に不適合とのあらわし��(sh┫)となっている。国内外いろいろな分野で問��になっている��例が浮かんでくるが、時代の進�t&風土をわきまえたその立場でのあり��(sh┫)、振る舞い、そして処し��(sh┫)と改めて考えさせられている。

◇Texas Instruments CEO Resigns After Code of Conduct Violations-Chairman Rich Templeton to reassume president, CEO roles at company-Templeton steps in as TI CEO after Crutcher resigns (7月17日��け The Wall Street Journal)
→Texas Instruments(TI)のCEO、Brian Crutcher��(hu━)が、行動��?w┫)J違反で��任、ChairmanのRich Templeton��(hu━)が、無期限にpresident and CEOの任に戻る旨。

◇Is #TIToo a Coincidence? (7月18日��け EE Times/Blog)
→6週間�iにTexas Instruments(TI)のpresident and CEOに指�@されたばかりのBrian Crutcher��(hu━)が、��曜17日��職の旨。

【��(sh━)中�C�o(h┫)関連】

中国の通信機�_(d│)�j(lu┛)�}、中興通訊(ZTE)に�瓦垢���(sh━)国の�U(ku┛)裁は7月13日に解除され、業��の再開に至っているが、��(sh━)中�C�o(h┫)の応酬の景況へのインパクトの懸念が半導��含め関連業�cに広がる�k��(sh┫)、ZTE�O��も�v復の先行きがなかなか見えない�X(ju└)況となっている。

◇ZTE, Tariffs, and a Chip Strategy (7月16日��け EE Times/Blog)
→?ji┌ng)盜饐���省が中国・ZTEへのコンポーネント販売禁�Vを解除、半導��業�cの�p圧が金曜13日、数ポイント下がった旨。Trump��権が最�j(lu┛)�x場(中国)に�瓦垢覲唆慵Vおよび関税措��を発表、executivesはMaaloxの�焼Dを�屬欧討い觧檗�Trump�j(lu┛)統�襪麗�易関係を����に変化させる試みが関係をリセットして半導��通商団��が長らく求めている"条�Pを平等に"もっていくopportunityを開くかどうか、��らかではない旨。該戦術が��々と��く��易戦争を�擇検�経済低迷の引き金になる可��性をそれら団��が�e(cu┛)惧するこの頃である旨。

◇中国ZTEが���C再開、��(sh━)�U(ku┛)裁から3カ月、イメージ失�c、先行き不透�� (7月18日��け 日経)
→中国通信機�_(d│)�j(lu┛)�}、中興通訊(ZTE)は、��(sh━)国が13日に�U(ku┛)裁を��式解除したことを�pけ、約3カ月ぶりに業��を���C的に再開した旨同社は4月、イランなどへの輸出���U(ku┛)に違反し、��(sh━)国から��(sh━)企業との�D引禁�Vを命じられた旨。主要����が調達できず経営�e(cu┛)機に陥りかけたが、�U(ku┛)裁解除でひとまず最�Kの����は�v�cする形となった旨。ただ失った信頼やイメージダウンは�j(lu┛)きく、経営の先行きは不透��の旨。

我が国の輸出高で見ると、本�Q�i半は10�Qぶり40兆��となり、��に中国向けの半導�����]����が�`立っている。

◇1〜6月輸出、10�Qぶり40兆��、アジア・中国向け最高 (7月19日��け 日経 電子版)
→財��省が19日発表した1〜6月の��易統���]報(通関ベース)。輸出�Yは�i�Q同期比で6.2%�\の40兆1305億��と2�Q連��で�i�Q同期を��?j┼n)vった旨。�峇�に40兆��を��えるのは2008�Q以来、10�Qぶり。��に半導��関連����の中国向け輸出が�Pびた旨。輸入�Yは同7.5%�\の39兆5238億��。輸出から輸入を引いた��易収�Г����C(j┤)を確保したが、原��などの�@源高で���C(j┤)幅は縮小した旨。

��(sh━)中�C�o(h┫)の推�ー���ではどうなるか、半導�����]����業�cでの懸念があらわされている。

◇US-China trade war dims bright future for semiconductors-IT advances signal long growth cycle, but linked supply chains vulnerable to export feuds-US-China trade war causes concern for producers of IC gear (7月15日��け Nikkei Asian Review (Japan))
→Applied Materials, Lam Research, Nanotronicsなど半導�����]����サプライヤが、��(sh━)国と中国の間の通商�g張の高まりにより中国のざわめいた半導��業�cにおけるアメリカ��������要が鈍くなると懸念をもっている旨。
SEMIの予�Rでは、半導������の世�c出荷が今�Q10.8%�\、そして来�Q7.7%�\としている旨。

【今�Qの�P長予�R2��】

TSMCが、四半期売�屬欧輪�(f┫)少が今�Q�i半��くなか、後半の�Pびに期待をかけている�X(ju└)況であるが、今�Qの�Q間販売高の�P長予�Rについて下��(sh┫)�T��を以下の通り行っている。

◇TSMC to post revenue growth through 4Q18-Sources: TSMC expects to grow revenue in Q3, Q4 with smartphone SoCs (7月17日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。TSMCの2018�Q����および?j━)�四四半期売�屬欧�、�j(lu┛)��(sh┫)はスマートフォンSoCsの�p�R立ち�屬�りから�i四半期比�\加する見込みの旨。
iPhonesおよびHuaweiのMateシリーズなど新��および次期スマートフォン向け半導��出荷が始まっており、TSMCの売�屬欧�2四半期の�i四半期比��(f┫)少の後、����四半期に同�\加に戻ると見ている旨。

◇TSMC cuts 2018 revenue growth forecast, expects 8% Q3 sales rise (7月19日��け Focus Taiwan)

◇TSMC revises revenue, capex outlook for 2018 (7月20日��け DIGITIMES)
→TSMCのCEO、CC Wei��(hu━)が19日の投�@家meetingにて。TSMCは、2018�Q売�屬��P長予�Rを以�iの最�j(lu┛)10%に�瓦掘△海里曚�5-9%に改定、仮�[通貨��要の不調が主因として挙げられる旨。TSMCの2018�Q売�屬欧蓮▲好沺璽肇侫�ン、HPC、IoTおよび�Z載electronics応��に向けた半導����要が引っ張り、HPC分野からの販売高は約40%�\�j(lu┛)、今�Qの����売�屬欧�25%を��める�k��(sh┫)、スマートフォン分野販売高の��める比率は2017�Qの50%から40-43%に低下していく旨。

�k��(sh┫)、IC Insightsによる今�Qのelectronicシステムおよび半導���x場の読みでは、現下の�Xい��況を反映、��(d┛ng)気の�P長予�Rとなっている。新分野そしてメモリ半導��の牽引を見込んでいると思われるが、半導���x場については、��(sh━)国・SIAのデータでは2017�Qに初めて$400 Billionを越えたばかりの販売高が、2018�Q$500.0 billionのまたまた�j(lu┛)��越えとの見��(sh┫)が�]ち�屬欧蕕譴討い襦�データベースの差異があろうが、驚かされるところではある。

◇Semi Content in Electronic Systems Forecast to Reach 31.4% in 2018-Semi content to surpass 30% this year, smashing the previous record high set just last year. (7月18日��け IC Insights)

◇Semi content in electronic systems forecast to reach 31.4% in 2018 (7月19日��け ELECTROIQ)

◇Semi content in electronic systems forecast to reach 31.4% in 2018, says IC Insights-Global semiconductor market to grow 14% in 2018 (7月20日��け DIGITIMES)
→IC Insights発。2018�Qのグローバルelectronicシステム�x場が5%�\の$1,622 billionの�k��(sh┫)、今�Qの世�c半導���x場は14%と���\の$509.1 billion、初めて$500.0 billionの�j(lu┛)��を越えるとみる旨。該予�Rが�T実すれば、electronic内の平均半導��搭載率は31.4%に達して、2017�Qに記�{した史�嶌嚢發�28.8%を��(g┛u)新する旨。

【2�PのM&A】

STMicroelectronicsが、32-ビット組み込みmicrocontrollers(MCUs)グラフィックス専門のDraupner Graphics(デンマーク)を�A収している。

◇STMicroelectronics acquires GUI software specialist-STMicroelectronics buys firm specializing in GUI software (7月10日��け New Electronics)
→STMicroelectronicsが、MCUsのSTM32ラインなど32-ビットmicrocontrollers(MCUs)�屬覗�るembedded graphicalユーザインタフェース��ソフトウェア、TouchGFXを擁するソフトウェアspecialist、Draupner Graphicsを�A収、TouchGFXは、appliances, consumer electronics, �噞��機�_(d│)および医����システムの応��に向けてSTM32半導���屬覇虻遒垢襦△�STMicroelectronicsのMicrocontroller Marketing Director、Daniel Colonna��(hu━)。

◇STMicro Buys 32-Bit Embedded MCU Graphics Specialist (7月17日��け EE Times)
→STMicroelectronicsが、32-ビットembedded microcontroller units(MCUs)�屬�embedded graphical user interfaces(GUIs)に向けてグラフィックスおよびアニメーションを可�Δ砲垢襯愁侫肇ΕД�frameworkの開発サプライヤ、Draupner Graphics(デンマーク)を�A収の旨。

◇STMicroelectronics Take Control of Danish GUI Firm (7月18日��け EE Times India)

もう1つ、Xilinxが、人工��(m┬ng)��(AI)半導��startup、DeePhi Technology(���B)を�A収、ともに今後の戦�S性をうかがわせている。

◇Xilinx Buys China AI Startup-DeePhi acquisition seen as talent grab (7月18日��け EE Times)
→Xilinxが、���Bの200人のstartup、DeePhiを�A収、��(r┫n)常に�XいAI�x場の早さおよびグローバルな��模を��(j┤)す�D引の旨。TsinghuaおよびStanford�j(lu┛)出身グループが設立したDeePhiは、"神経ネットワークスに向けたdeep圧縮, pruning, およびsystem-level最適化"のノウハウを�~する旨。

◇Xilinx acquires China AI chip startup-Xilinx purchases DeePhi Technology (7月18日��け DIGITIMES)
→Xilinxが、昨�Q以�T主要投�@家となっているartificial intelligence(AI)半導��startup、DeePhi Technologyを�A収する旨。該�A収後、DeePhiのチームは���Bオフィスにそのままとなる旨。

【Apple関連】

Appleが、中国での再�擴��Ε┘優襯�ープロジェクトファンド、China Clean Energy Fundを$300 million��模で次の通り発表している。

◇Apple announces $300 million clean energy fund in China-Apple, partners debut $300M fund for renewable energy in China (7月12日��け CNBC)
→Appleが�v曜12日、そのサプライヤ数社と連携、中国での$300 million再�擴��Ε┘優襯�ープロジェクトファンド、China Clean Energy Fundを構築の旨。該ファンドは、向こう4�Q間で少なくとも1 gigawattの再�擴��Ε┘優襯�ーの�攵�につながる期待の旨。

Appleの今�Qこれから発表される新しいiPhoneはじめ、顔認識に向けた3Dセンサが入る見込みで、化合��ICはじめ関連��要について今�Q後半の期待である。

◇Compound IC makers see bright 2H18 on robust Apple demand for 3D sensors-Sources: Apple's need for 3D sensors to drive compound IC demand (7月16日��け DIGITIMES)
→supply chain筋発。Appleがface IDに向けて新しい携帯機�_(d│)に3Dセンサを�j(lu┛)量に�Dり入れる見込み、��湾のIII-V化合�馮焼���および3D sensingコンポーネントおよびtesting����のサプライヤが、Appleからの����(d┛ng)い��要から2018�Q後半について��るい出荷�t望を期待している旨。3つの新しいiPhoneモデルおよび2つの新しいiPadバージョンが2018�Q����四半期後半にリリースの運び、face ID機�Δ瞭Dり入れが濃厚で、�_要光コンポーネントVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)の��要を�j(lu┛)きく引き�屬欧討い觧檗�

≪グローバル雑学?f┫)棔?24≫

��(sh━)国から��(m┬ng)的財�堍の侵害を建て�iとした�U(ku┛)裁関税措��、それでは�Bらぬと�{加の措��が�]ち出されて、都度中国が��く同��模の�眼^措��を行なっている、まさに応酬の��中にある��(sh━)中��易�C�o(h┫)の真相を、

『「��(sh━)中関係」が��める5�Q後の日本経済新聞・ニュースが報じない��易�C�o(h┫)の背景とリスクシナリオ』
　(渡邉　哲也 著：PHPビジネス新書 393)　…2018�Q5月11日 ��1版��1刷発行

より読み解いていく�i半である。�O国の�W��?zh┳n)歉磧��O国のメーカーに�]撃を与えているとする輸入�U(ku┛)限、そして半導��業�cの��点では��(sh━)国のリーダーシップを維�eする�屬���(m┬ng)的財��の侵害は�o��(c┬)できないとの立場が��(d┛ng)烈に見えてくるが、�豢�機や�O動�Zはじめ関連���`への高率の�U(ku┛)裁関税の�T味づけがあらわされている。保護主�I��頭の現下の流れの中、世�cにおける�o平、�o��な通商�D引というものを改めて考えている。

��1章　��(sh━)中��易�C�o(h┫)の真相を読み解く　―――�i半

[POINT OF VIEW]
・��(sh━)中経済�肝�の��(j┫)徴ともいえる鉄�^とアルミニウムの輸入�U(ku┛)限
　→本章では、そのバックボーンをさらに深く�{求、��(sh━)中��易戦争にどう発�tしていくか踏み込んでいく

■輸入�U(ku┛)限発動が引き��こした��(sh━)中経済戦争

Q17：輸入�U(ku┛)限の理�y(t┓ng)「�W��?zh┳n)歉��屬龍式辧廚涼羶箸箸蓮?br /> ・2018�Q3月23日、トランプ�j(lu┛)統�襪�発動した鉄�^とアルミニウムの輸入�U(ku┛)限
　→1962�Q通商拡�j(lu┛)法232条に基づく
　→�j(lu┛)統�襪�外国����の輸入を「�W��?zh┳n)歉��屬龍式辧廚版�定すれば、関税率の引き�屬欧簍�入割当枠の導入など幅広い�U(ku┛)裁措��を発動できる
・2018�Q2月16日、��(sh━)商��省の調�h�T果�o表
　…「国家�W��?zh┳n)歉��屬療基^輸入の影�x(The effect of imports of steel on the national security)」
　→(1)アメリカの鉄�^メーカーは、防ﾅや�_要なインフラに��いる鉄�^の��要に完��には応えられない
　→(2)防ﾅや�_要なインフラへの供給だけで鉄�^会社は�T��できず、商業的な��動が不可�L(f┘ng)である
　→(3)現在のアメリカの�O�y(t┓ng)�x場�U(ku┛)度下では、防ﾅや�_要なインフラ��鉄�^の供給を維�eするためには、それらを供給する鉄�^メーカーが��(r┫n)防ﾅ、��(r┫n)��要インフラの��業を引きつける��要がある
　⇒鉄�^やアルミニウムの輸入が�O国の�W��?zh┳n)歉磴剖式劼鰺燭┐討い襪箸い��T�b

Q18：��(m┬ng)的財�堍侵害への�U(ku┛)裁の背景は？
・2018�Q3月22日、トランプ�j(lu┛)統�襪蓮���(m┬ng)的財�堍の侵害を理�y(t┓ng)に、500億〜600億ドル(5.2兆〜6.3兆��)相当の中国����に高率の関税を課す�U(ku┛)裁措��を��式に表��
　→「通商法301条」を発動、�豢�機や�O動�Zを中心に約1300���`を?y┐n)��?j┫)に25%の関税を課す
・アメリカの�\術と営業秘密を入�}するために、中国が圧��と脅��を使��したことに�瓦垢詈麌�行為を行っているとしている
　→高い代価を払って最新の�\術を開発しながら、バブルで肥�j(lu┛)化した企業、それも中国当局の息がかかった企業が�A収するのは�o��な商�D引、商慣�{に反するという判��
・さらに、サイバー��撃でアメリカ企業の��業情報に不��にアクセスしていることも問����
　→それだけに�里泙蕕此�中国企業の����(sh━)投�@の�U(ku┛)限も��定
・人工��(m┬ng)��(AI)やビッグデータ解析、�O動運転�O動�Zなど次世代�\術を巡る��(sh━)中の��防が背景に

Q19：�W��?zh┳n)歉磴��@�`で、実際は国内�噞保護では？
・国内業�vを守らないと防ﾅやインフラが維�eできない
　→�O国で鉄をつくれないことは、相�}が鉄を�Vめてしまったら�O国の�噞が成り立たなくなることを�T味
　　…���E期から「鉄は国家なり」

Q20：�陵杆�パネルと���~機の輸入�U(ku┛)限も�潅��U(ku┛)裁か？
・2018�Q1月22日、アメリカは�陵杆�パネルと���~機でセーフガード(�g��輸入�U(ku┛)限)を発動
　→�陵杆�パネルについては4�Q間で最�j(lu┛)30%、���~機は3�Q間で最�j(lu┛)50%の関税
　→�陵杆�パネルは、主に中国����の輸入の���\を�pけて��(sh━)国メーカーが�]撃を�pけたことが原因
・���~機は輸入枠120万��を��える分について関税
　→中国で売っている白�餡氾邸����~機はほぼすべて日本の�\術供与
　→まともに輸出���攵�を��けているのは�f国と中国ぐらいしかない

Q21：なぜWTOに提訴しても解��しないのか？
・アメリカの輸入�U(ku┛)限に�瓦靴特羚颪��眼^措��に踏み切るとともに、WTOへ提訴
　→最終的な判��が��(j┤)されるまでには�k定の時間が��要
　→判��が��(j┤)されても、それは��告的性格のものにすぎない
　　→国際法が国内法と違って執行のシステムが脆弱であることに�y(t┓ng)来
・2016�Qの中国とフィリピンで�諠~権を巡る南シナ�L(zh┌ng)に関する仲裁裁判(オランダ・ハーグの常設仲裁裁判所)
　→フィリピンの訴えが認められ、中国が国際法に違反するという判��
　→その後は両国間で判��を�^�屬欧垢襪海箸嚢臍T
　→国際法に基づく司法機関の判��の限�cを��(j┤)すもの
・そもそも現在の国際的な枠組みはアメリカがつくったもの
　→他国はWTOのルールを厳守するというスタンス。ところがアメリカは、WTOのルールをつくる国という考え��(sh┫)がベースに
・中国はルールをつくる�笋砲呂い覆�
　→人�c元では何も�Aえないから

Q22：アメリカの同盟国・日本が輸入�U(ku┛)限����(j┫)外だった理�y(t┓ng)は？
・アメリカによる鉄�^とアルミニウムの輸入�U(ku┛)限発動時の適��除外国
　→なぜカナダや�f国は除外されて、日本は除外されないのか
　→該当国とアメリカの間で、すでにFTA(�O�y(t┓ng)��易協定)やEPA(経済連携協定)などが締�T済みまたは締�T交渉中ゆえ
　→日本の場合、TPP(環�諒人離僉璽肇福璽轡奪弑�定＝Trans-Pacific Partnership)を軸にアメリカとの間の��易協定を�Tぶ予定
・とりあえず���J(r┬n)囲を課税����(j┫)にする。そこから条�Pに当てはまらない国は除外していくという�}法はアメリカの常套�}段
　→たとえ長く同盟関係を築いていた日本であっても、�O国の�W(w┌ng)益を脅かすようなら平��と輸入�U(ku┛)限を課す、それがアメリカのやり��(sh┫)

【COLUMN】トランプ流「ツイッター口撃」
・国�cから直接��(li│n)ばれるアメリカの�j(lu┛)統��
　→国�cは��(li│n)挙人を��(li│n)ぶが、��実�屬猟樟楝�(li│n)挙
　→?ji┌ng)盜饅j(lu┛)統�襪惑ご���きの「独裁�v」と思っていい
・トランプ�j(lu┛)統�襪痢屮張ぅ奪拭叱�撃」は、��して無��できるものではない

Q23：さらなる輸入�U(ku┛)限はあるか？
・今後、問��になる可��性が高いのはニッケルなどの希少金��
　→中国がアフリカのニッケル�^�僂��A収したということが�B��に
・�O動�Zに関していえば、EUに�瓦靴討睛�入関税の問��