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メモリの記がよく読まれた2018Q5月

5月に最もよく読まれた記は「直Zの世c半導ランキング岼15社を発表」であった。これは最新の世c半導のトップ15社を調hしたもので、2018Qの1四半期の売り屬欧鯣羈咾靴討い襦

2位の「東がなかなか売却できない東メモリはどこへ行く?」は、4月に最もよく読まれた記だったが、5月に入ると2位に落ちた。

3位の「中国の国策で半導メモリ攵が始まろうとしているが・・・」はブロガーのKによる中国の半導情を述べた記で、中国でメモリ工場を3社が建設を進めており、量はまだだが、世cの情勢を見ながらうまくすみ分けている様子を表している。

4位は「`出がまった東メモリ」である。この記は東メモリが独禁V法にB触していないかどうかを、Q国ごとにチェックするわけだが、最も時間のかかる中国のR認が下りたため、東メモリはようやくスタートできることになったことを伝えた。

5位は「Intel/MicronがNAND関係を再啣宗4ビット/セルの64層を認定」である。数カ月iにIntelとMicronは今後の3D-NANDの開発と販売を、それぞれで進めていく、と協関係を薄める妓を発表したばかりだった。しかし、さらなるj容量化のために4ビット/セル\術を両社が協して進めていく疑砲らかにした。両社の3D-NANDは東やSamsungとjきく違う。シリコンに深い穴をEらない。BEOL工で浮^ゲートを64層にわたって形成していく。4ビット/セルで64層の3D-NANDフラッシュの顧客の認定をDuしたとしている。

ごT見・ご感[
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