この連合には、Bainに加え、�f国SK Hynixが融�@するほか、��Appleや��Dellも優先株を引き�pける形で加わる。日本勢ではHOYAが出�@する。東��も4割��度の出�@を保つ。東��は、東��メモリの売却によって1兆��以�屬稜箋儕廚鰓uる。これによって、株主�@本比率は4割��度まで�v復する見込みだが、東��が電��・エネルギーのインフラ関係をはじめとする�噞��分野で、どのように�擇�ていくのか、その��(sh┫)針はまだ��されていない。

東��メモリはNANDフラッシュとそれを使ったカードやSSDを設���攵�する企業である。日本����がかつてDRAMを捨てシステムLSIへ舵を切り��えながらも、東��はフラッシュメモリを�eっていたおかげで、半導��メーカートップテン以内に残ることができた。かつて、ある��(chu┐ng)�陲縫ぅ鵐織咼紂爾靴燭箸�、たまたまフラッシュを�eっていたおかげです、と本音を語ってくれたことがある。歴史に「たら・れば」はないが、フラッシュを�eっていなかったら、今の東��はなかったといえる。

フラッシュメモリの実��化はIntelの携帯電�B向けNORから始まった。それも東��の元エンジニアだった�r�K富士夫��がIEDMで最初に発表した。その�Bを��Electronics誌が記��にしたとき、Intelに求めたコメントでは、Intel社はフラッシュメモリを否定しておきながら、その半�Q後にフラッシュメモリ開発を発表していた。その����としては、携帯にメールアドレス��度の小容量����から出発した。�^真撮影のような�j(lu┛)容量も��要になったことから、高�]だが小容量のNORから、低�]でも�j(lu┛)容量のNANDへとシフトしていった。そしてデジタルカメラ、さらにはスマートフォンへと����が拡張してきた。さらにパソコンや、本格的なストレージ����も開けてきた。この先もしばらく4〜5�Q先はフィンテックのストレージをHDDからSSDへ��き換えるという動きが��くためだ。NANDフラッシュへの要求は当分��くだろう。

東��メモリは、この先もストレージデバイスとしてのフラッシュメモリの時代は��くが、DRAMとフラッシュとのギャップを�mめる「ストレージクラスメモリ」への動きは��である。X-Pointメモリのブランド�@「Optane」ストレージをIntelは、ストレージクラスメモリという位��づけに��くようになった。加えて、ストレージクラスメモリの本格的なメモリとしての位��を狙うSTT-MRAMの商��化も始まった。だからこそ、ポストNANDフラッシュとなるメモリの開発を��がなければなるまい。�]倒Samsungにこだわり��けると、ポストNANDフラッシュの��争に出��れる恐れもある。

また、RAMは今後、AIの代表的な�\術であるCNN（�Qみ込みニューラルネットワーク）をモデルとするデ��ープラーニングの�}法にも�j(lu┛)量に使われる。ニューロン数とレイヤー数ごとにRAMを使う。ニューラルネットワークのレイヤーごとにデータを出し入れするからだ。RAM動作が不ｧ発性になれば、消�J電��が格段に下がりモバイルレベルのディープラーニングの推�b動作は可�Δ砲覆�。STT-MRAMをはじめとするストレージクラスメモリは5�Q先にはデ��ープラーニングとセットで�j(lu┛)量に見込まれる。東��メモリがポストNANDフラッシュの開発をリードできれば、AIでもリードできるようになろう。