IntelのCEOが半導��業�cのエキスパートであるLip-Bu Tan��(hu━)（図1）に��まった。同��(hu━)は元Cadence Design SystemsのCEOなどを経て、さまざまな企業の経営層やエンジェル（スタートアップに出�@する投�@家）などを��めていた。IntelではCEOに加え、�D締役会のメンバーにも再び��任する。同��(hu━)は2024�Q8月まで�D締役だった。 [→��きを読む]
最新、2024�Q��4四半期における世�cファウンドリ企業ランキングが発表された。1位のTSMCは�x場シェアを広げ��け、�i四半期の64.7%から67%��にもなった。�k人�Mちはまだ��いている。2位はSamsungだが、3位のSMIC、4位UMC、5位GlobalFoundries、6位Huahong Groupという順位は定��してきた。ラピダスはいつこのトップ10ランキングに入るのだろうか。 [→��きを読む]
Intelの子会社ではあるが、AlteraはFPGA（現場で�v路を書き換え可�Δ淵蹈献奪�）メーカーとして2024�Q独立した。最�Z、記�v会見を開き、IntelだけではなくTSMCをはじめとする世�c中のファウンドリを使うことをAltera CEOのSandra Rivera��(hu━)が��らかにした。Intelはパートナーの1社であるが、Alteraは独立したFPGAメーカーに戻った。 [→��きを読む]
2024�Q世�c半導��企業ランキングをセミコンポータルが独�Oに調べた。1位はダントツでNvidia、2位はTSMC、3位Samsungとなっており、Nvidiaの��(d┛ng)さが�`立つ。この調�hは、�Q(ch┘ng)社の2024�Q��4四半期の���Qが発表され、同時に2024�Q通期の���Qも��らかになったことで集めたもの。Nvidiaは2月〜翌�Q1月が�Q度となるため、Nvidiaの�Q度���Q発表を待って作成した。 [→��きを読む]
先週、気になる�j(lu┛)きなニュースが2�P飛び込んできた。�kつはTSMCが��(sh━)国に1000億ドル（約15兆��）を投�@して、現在のアリゾナ工場とは別に3工場を新設する。もう�kつはArmがマレーシアに工場を作るというニュースだ。SoCチップを設��するビジネスに入ったというニュースが1カ月ほど�iにあったが、その裏��けになりそうだ。 [→��きを読む]
2025�Q2月に最もよく読まれた記��は「Gartnerが2024�Q世�c半導��トップテンランキングを発表、Nvidiaは3位」であった。これは��(sh━)�x場調�h会社のGartnerが世�cの半導��企業の�岼魅薀鵐�ングを発表したもので、ここにはTSMCなどのファウンドリを含んでいない。その�`的が半導���噞の�x場��模を求めることであるため、ファウンドリの売�幢Yはファブレスなど顧客のコストになる。ファウンドリの売�幢Yを含めると�x場��模はダブルカウントしてしまうため削除している。1位はSamsung、2位Intelとなっている。 [→��きを読む]
LED照��など積極的に照��分野に�R��してきたOSRAMと、センサやその周辺ICを�u(p┴ng)�Tとしてきたams（旧Austria Micro Systems）は2020�Q7月に合��したが、その後の��動について日本ではほとんど��(m┬ng)られなかった。ams OSRAMの CEO兼�D締役会会長であるAldo Kamper��(hu━)（図1）がこのほど来日し、今後の戦�Sについて語った。狙う分野は、�O動�Z、�噞、医��、モバイル、である。 [→��きを読む]
![Arm、CPU+NPUを�kつのコアとしてビデオなど高�]IoT向けIPを開発](/assets_c/900px/250304-armiot.png "Arm、CPU+NPUを�kつのコアとしてビデオなど高�]IoT向けIPを開発")
高性�Δ�CPUとAI専��のNPU（ニューラルプロセッシングユニット）を集積したIP（��(m┬ng)的財��）コアをArmが開発した。高性�Ε咼妊�伝送をはじめとする高�]IoT（Internet of Things）に�官�するIPコアである。高性�Δ紛\術であるArmv9をエッジAIのプラットフォームとして使う����が早くも�擇泙譴燭燭瓩法△海里茲Δ聞眄���IoT向けのIPを開発した。����的にはどのような����だろうか。 [→��きを読む]
先週はニュースが立て込んだ。Nvidiaの���Q報告（参考�@料1）をはじめ、Appleがテキサス�Δ某傾�場を設立するというニュースや、Amazonが�收�AIを導入した音�mアシスタント「アレクサ・プラス」などがあった。さらにWestern DigitalがNANDフラッシュ�靆腓任△�SanDiskをスピンオフさせ、ナスダック証�w�D引所に�崗譴気擦拭� [→��きを読む]
Micron Technologyが1γnmノードのDDR5DRAMをサンプル出荷した。1γnmというサイズは10nmクラスのようで、EUV����の導入が��須になる。Micronの微細な�\術によって、スピードは現世代の1βnmノードのDRAMと比べ、8Gbpsから9.2Gbpsと高�]になり、消�J電��は20%削��(f┫)され、集積度は30%�屬欧襪海箸�できる(図1)。 [→��きを読む]
