中国の8インチライン�\加へ
世�cの半導���噞の進化は、�kつはプロセスの微細化であり、もう�kつはウェハサイズの�\�jである。現在、世�cは12 インチ、65nm 時代に突入している中で、中国のIC ���]はまだ初期段階に�里泙辰討い襦� [→��きを読む]
セミコンポータルによる分析
06�Q、中国のIC設��・ウェハ���]・アッセンブリテスト、トップ10
![06�Q、中国のIC設��・ウェハ���]・アッセンブリテスト、トップ10](/assets_c/900px/06ic10.png "06�Q、中国のIC設��・ウェハ���]・アッセンブリテスト、トップ10")
2007 �Qの中国半導���x場�Q会で、中国半導���噞協会は2006 �Q度の中国IC 設��企業、ウェハ���]メーカー、パッケージングとテスト業�vのトップ10 社を発表した。 [→��きを読む]
�W益ある成長にむけたプライシング戦�S
グローバルに�瓦靴寅�れを�Dる日本企業のプライシング実施 今後半導��業�cが�W益ある成長の達成のためには、コストの削��だけでは維�eできず、プライシング（価格��け）への�Dり組みが�_要となる。プライシングの�菘世�ら、世�cの半導��企業のマネージメントがプライシングにどのような認識をもって戦�Sの�k環としているか、プライシングに�Dり組んでいるかについて、アクセンチュアが調�h�T果を発表した。 [→��きを読む]
07�QQ1のDRAM�x場は�i期比9.9%��
Hynix、サムスン電子に肉��、出荷数では��位に 2007�QのQ1のDRAM�x場は、Hynixが�`覚しい成長を�~げたことがiSupply社調�hで発表された。同社の売�峭發蓮��i期比4.1%�\、�i�Q同期比126%�\の21.5億ドルと、��位のサムスン電子の、�i期比15.9%��、�i�Q同期比40%�\の25.2億ドルに肉��する勢いとなった。金�Yベースでの�x場シェアは、サムスン電子が26.1%、Hynixが22.2%となった。 [→��きを読む]
���]に拡�jする半導��IP�x場 04〜10�QのCAGR11.7%予�[
![���]に拡�jする半導��IP�x場 04〜10�QのCAGR11.7%予�[](/assets_c/900px/ip0410cagr117.png "���]に拡�jする半導��IP�x場 04〜10�QのCAGR11.7%予�[")
2010�Qには23.5億ドル��模へ 2010�Qの半導��IP（Intellectual Property） �x場は、半導���x場����あるいはシリコン・デバイスのコア・プラットフォーム（シリコン・デバイスの中核となる�霾�）の�x場を越える早さで���]に成長し、売�峭�23 .5億ドルに達するとの予�Rが、エレクトロニクス�噞�cのシンクタンクであるジェイスター株式会社から発表された。 [→��きを読む]
半導�����]����BBレシオ、日本は�i月の1.31から1.03に
![半導�����]����BBレシオ、日本は�i月の1.31から1.03に](/assets_c/900px/bb131103.png "半導�����]����BBレシオ、日本は�i月の1.31から1.03に")
���櫃�1.0 2007�Q3月の半導�����]�����x場の3ヶ月平均BBレシオは、日本������は1.03、����������は1.00となった。日本������の3ヶ月平均BBレシオは、�i月の1.31から�jきく下�Tした。��������は、12月以来、ほぼ同水��で推�，靴討い襦� [→��きを読む]
07�Qの半導��CAPEX見込み下�巨T��へ
−�i�Q比1.5%��の552.3億ドル、����売�峭發脇�3.2%��予�[（Dataquest）− 2007�Qの半導��投�@�Y（CAPEX）は、2006�Q12月予�[より下�巨T��がなされ、���i�Q比1.5%��552.3億ドルなるとの発表がGartner Dataquest社から発表された。半導�������x場は、同3.2%��の406.3億ドルとなった。同社が2006�Q12月時点で発表した予�Rでは、2007�Qの半導��投�@�Yは、�i�Q比1.0%�\の556.2億ドル、半導�������x場が同0.7%��の420.7億ドルとなっていた。 [→��きを読む]
新�腑汽ぅ┘鵐好僉璽�の07Q1輸出�Y、�i�Q同期比2.5%�\
![新�腑汽ぅ┘鵐好僉璽�の07Q1輸出�Y、�i�Q同期比2.5%�\](/assets_c/900px/07q125.png "新�腑汽ぅ┘鵐好僉璽�の07Q1輸出�Y、�i�Q同期比2.5%�\")
半導�����]、FPDがけん引役 ��湾の新�腑汽ぅ┘鵐好僉璽�の2007�Q���k四半期（1月〜3月）の輸出�Yは、1,359.6億ドル（約41.2億ドル）と、�i�Q同期比2.5%�\となった。 [→��きを読む]
世�c半導��材料�x場、2012�Qには4兆1,100億��に
−2012�Qの異�菊嚇泥侫�ルム世�c�x場予�R 1,400億�� 2006�Q比47%�\に− 富士経済は、先端材料を中心に成長を��ける世�cの半導���噞のプロセス材料について調�hを行った。その�T果を調�h報告書「2007�Q 半導��材料�x場の��貌」にまとめた。この報告書は、最先端の世�c半導��材料�x場の�i工��および後工��の主要材料58���`を�Dり�屬欧瞳Q�|素材別、地域別などあらゆる角度から分析して開発����のマーケティング戦�Sを立案するためのデータを提供する。 [→��きを読む]
�盜颪離┘鵐献縫�不�Bと中国インドへのリソース���Aへの警��
デューク�j学から報告書発行 デューク�j学のPratエンジニアリングスクールから『先入�茲涙o破：中国とインドのより深い考察（Seeing through Preconceptions: A Deeper Look at China and India）』という報告書が出された。�盜颪離┘鵐献縫�不�Bに�瓦垢諷e惧が��要以�屬頬弔蕕鵑如▲ぅ鵐鼻�中国のリソースへの期待が�埔���される昨今、数値にとらわれることなく、実��を分析することへの警��がなされた。 [→��きを読む]
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