フォトレジストでは、候鉗まではポジ房レジストを蝗い、豺嚨刨16nm笆布、LWR∈俐升の療さ¨line width roughness∷1.3nm笆布、炊刨10mJ/cm2笆布、という眶猛を評ていた。豺嚨刨とLWR、炊刨の話つのパラメ〖タはトレ〖ドオフの簇犯にあるため、話つのパラメ〖タを呵努步させる澀妥がある(哭8)。海鉗は、ネガ房レジストを蝗ってどこまでいけるかの悸賦である。 [ⅹ魯きを粕む]
EUVは濕劑を譬冊しやすいX俐の辦鹼であるため、各池廢にはレンズではなく瓤紀饒を網脫する。瓤紀各池廢のマスクブランクスは、W/Moの帆り手し姥霖菇隴を何っている。ここに風促が掐るとパタ〖ンが夏んでしまうため、痰風促にしたい。マスク浮漢は稍材風である。 [ⅹ魯きを粕む]
EUVのマスク、レジスト禱窖倡券のコンソ〖シアムである、EUVL答茸倡券センタ〖∈EIDEC∷が呵奪の寵瓢鼠桂を乖った(哭1)。僑墓13.4nmのX俐を蝗うEUVリソグラフィでは、ASMLだけが溪各劉彌を倡券しているが、EIDECは溪各劉彌笆嘲のEUV答塑禱窖を減け積つ。叫獲は柜柒13家で、長嘲5家も鼎票甫墊で徊裁、繃付瀾侯疥とレ〖ザ〖テックは劉彌倡券パ〖トナ〖として徊裁、3絡池と緩度禱窖另圭甫墊疥も徊裁する辦絡コンソ〖シアムだ(哭2)。 [ⅹ魯きを粕む]
勢オバマ蠟涪が絡薔甫墊に末む。≈ブレ〖ンˇイニシアティブ∈Brain Initiative∷∽である。この馮蔡、僧莢が袋略する喇蔡の辦つは、糠しいア〖キテクチャを蝗った絡薔の雇え數に奪い蛔雇プロセスを僻む染瞥攣プロセッサの肋紛ˇ活侯だ。このことは塑蠱の呵稿で揭べて斧たい。 [ⅹ魯きを粕む]
ファウンドリのUMCは28nmプロセスの翁緩墑を叫操しており、その翁緩憚滔橙絡を渴めている面、20nmプロセスをスキップして、14nmのFINFETプロセス惟ち懼げに晾いを故っていることを湯らかにした(哭1)。 [ⅹ魯きを粕む]
パソコンからモバイルへの瓢きが裁廬している。黎降のニュ〖スはこの瓢きを斧禍に瓤鼻している。ディスプレイパネル、NANDフラッシュ、CMOSセンサ、プリント答饒、モバイル奶慨インフラ、鏈てが、スマホˇタブレットへのメガトレンドに捐っている。 [ⅹ魯きを粕む]
候鉗、2012鉗のmicroprocessor(MPU)任卿光ランキングがIC Insights家から券山され、これまでのインテルおよびAMDのx86ア〖キテクチャ〖暗泡弄2動にARMモバイル廓が趨っていたのが、ついにQualcommおよびApple羹けを么うSamsungの2家がAMDを納い卻く馮蔡となっている。とはいっても、巴臉峰般いに卻きん叫ているインテルであり、AMDともども海稿のパソコンの數羹拉に羹けて糠たな烯俐の慮ち懼げが斧られている。墓らく染瞥攣の呵絡炳脫尸填を拜積しているパソコンに灤する海稿の輝眷の瓤炳に廟謄である。 [ⅹ魯きを粕む]
泣塑瀾染瞥攣ˇFPD瀾隴劉彌が攻拇さを積魯している。このほどSEAJ∈泣塑染瞥攣瀾隴劉彌定柴∷が券山した、4奉の減廟馳ˇ任卿馳ˇB/Bレシオのデ〖タでは、減廟馳が籠え魯け、黎奉徒鱗した奶り、B/Bレシオは鼎に1.00を畝え攻拇を拜積している。 [ⅹ魯きを粕む]
EUV∈Extreme Ultra Violet∷リソグラフィ禱窖の附覺が湯らかになった。Intelは2013鉗に14nmのトライゲ〖トFETプロセスを瞥掐するが、肌の10nmノ〖ドでは193iとEUVのミックスになるだろうと徒盧する。これはEIDEC Symposium 2013で湯らかにしたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
スマ〖トフォンやタブレットに蝗われるアプリケ〖ションプロセッサは、これまでロジックに尸梧されることが驢かった。マイクロプロセッサのジャンルにそれを崔めると、坤腸のマイクロプロセッサのランキングは絡きく恃瓢した。1疤のインテルは恃わらないが、2疤にはAMDではなくクアルコムが掐り、3疤サムスン排灰、4疤にやっとAMDという界進だった。これはIC Insightsが拇べたもの。 [ⅹ魯きを粕む]
