Element Six家、GaN on Diamondウェ〖ハで錢鳥鉤を4充猴負
排丹弄には冷憋攣ながら錢帕瞥唯がCuの5擒と光いダイヤモンドウェ〖ハを、毖柜のElement Six Technologies家が倡券しているが、このほど木仿4インチのGaN-on-Diamondウェ〖ハを倡券、券錢の絡きな光件僑パワ〖デバイスに羹くことを悸沮した。このウェ〖ハは海財に任卿するという。
哭1 ダイヤモンドウェ〖ハ瀾墑の錢帕瞥唯はCuよりも眶擒光い 叫諾¨Element Six Technologies
候鉗、ダイヤモンドCVD遂の任卿をElement Six家が幌めたことを鼠じた∈徊雇獲瘟1∷が、ダイヤモンド遂は錢帕瞥唯が端めて光く、票家の瀾墑には2000 W/mKというものもある(哭1)。
このほど、GaN染瞥攣でHEMTデバイスを活侯、GaN-on-SiCで活侯したHEMTと光件僑パワ〖瓢侯を孺秤した。その馮蔡、ダイヤモンドを脫いたHEMTは庶錢跟蔡が光いことからGaN-on-SiCウェ〖ハと孺べ、錢鳥鉤が40%も你布した。錢鳥鉤が井さいということは、デバイス柒嬸に錢がこもりにくいということである。このため、光件僑の叫蝸潑拉を猖簾し瓢侯補刨を懼げることができる。
HEMTの光件僑潑拉は笆布の叫蝸潑拉が評られている。件僑眶10GHz、ドレイン排暗40Vで、排蝸燒裁跟唯PAEは20 dBmの箕に呵絡で46.7%、呵絡叫蝸は31.7 dBm∈7.4 W/mm∷であった。ドレイン排暗を28Vに布げると、腆55%のPAEで呵絡5 W/mmの叫蝸排蝸を評た。
GaN-on-Diamondのウェ〖ハは、Si答饒懼にAlGaN蓮敗霖、さらにGaN霖を妨喇したのち、GaN懼にダイヤモンド遂を更く妨喇したもの。Si答饒とAlGaN蓮敗霖はダイヤモンドをプラズマCVDで妨喇する漣に猴り皖としておく。この蓮敗霖にある鏈ての風促がここで艱り近かれるという。GaNの懼に更さ35 nmのバッファ霖を妨喇しておき、更さ700 µmのダイヤモンドを妨喇している。
HEMTデバイスはGaN婁に妨喇する。プラズマCVDによる700 µm更のダイヤモンドの錢帕瞥唯は1550 W/mKと喇遂覺輪にしても、バルクのCuの錢帕瞥唯の398 W/mKより4擒鎳刨も光い。
徊雇獲瘟
1. 萍の5擒の錢帕瞥唯を積つ圭喇ダイヤ泅遂で、泣塑輝眷晾うElement Six家 (2013/08/30)
