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Micronの広工場、1β nmの量忼荷を祝う

Micron Technologyが世c最初の1β nmプロセスノードの64GビットDRAMをサンプル出荷したが、このDRAMチップを攵する東広工場で、このほど量を開始した。それを記念して祝賀式Zを開した(図1)。式Zには、広の行関係v、顧客、サプライヤ、j学関係vなどが出席、盜駛楴劼らもCEOやCTOが出席、戦Sを語った。

図1 Micronの広工場での1β量凮始の祝賀会 出Z:セミコンポータル撮影

図1 Micronの広工場での1β量凮始の祝賀会 出Z:セミコンポータル撮影


この式Zにも@称がつけられており、「Advancing the Future from Hiroshima」として行われた。式Zでは、経済噞省商情報策局長の野原諭、広県の湯崎英}、駐日j使のRahm Emanuelが祝を述べた。

その背景には、日本Bから1β nmのDRAM攵に向け最j\成金465億が交されることがまったため、B関係vへのお礼というT味がある。1β nmとは、13nm以下、すなわち12〜13nmのプロセスノードとMicronはアジアでのオンライン記v会見で述べており、DRAMのプロセスノードとしては最も先進的だ。現在のロジックでも5nmノードでの実際の最小線幅は14〜15nmであるため、線幅だけで言えば最も微細な半導チップだといえよう。

DRAMメーカーはこれまで20nm以下のプロセスを、ファウンドリと違って、いきなり14nmや7nmとは言わず、19nm、17〜18nmと少しずつ刻んで表現してきた。それを1x nm、1y nm、1z nm、と表してきた。1z nmの次は1α nm、今vの1β nmとく。さらにその先は1γ nmとなるが、Micronはここで初めてEUVの登場となるとみている。

NANDフラッシュが3次元妓にセルを積み屬欧討いことで集積度を屬欧襪里瓦靴、DRAMは1セルに溜める電荷量を微細化してもらさないようにするため、シリンダー型のセルをセルトランジスタの屬膨_ねる構]で3次元化にして高集積化を進めている。今vの1β nmプロセスDRAMは広で設し量も行っている。

広工場はDRAMだけの工場だが、テクノロジノードとして、1β nm 以外にも1y nm、1z nm、20nm、25nmのも]している。これまでの最先端であった1α nmノードのは盜颪離▲ぅ瀬Ε椒ぅ検爾燃発され、湾工場で攵している。広工場はDDR5やGDDR6x、LPDDR5xなどDDRに加え、DRAMダイを複数_ねたHBM2eも攵している。

今v、Micronはクリーンルームの外笋らだが、クリーンルームで動く搬送ロボット(Foupを搭載)やマルチチャンバなどを見せている。しかし、^真撮影は禁Vされている。W井を走る搬送ロボットの搬送レールは2層構]になっており、屬離譟璽襪魯魯ぅΕДい扉}び、]から`れており高]で動く。その下にはシティウェイと}ばれるレールで]にZい通路となっている。この2段構成の搬送システムをAMHS(Advanced Material Handling System)と}んでいる。搬送レールを2層構]にしたのは、搬送効率を高めるためだとしている。つまり、衝突せず、待つこともせず、常に搬送ロボットが動いているXを保つ。

もちろん、スマートマニュファクチュアリングを推進しており、ウェーハをカメラでモニターしており、異常がこれば検出する。]からのj量のビッグデータを収集しており、データを解析し予保に努めている。搬送ロボットのモータードライバからデータを収集し、インターフェイスを経て、工場内のネットワークでつながれ、コンピュータで処理されたデータをモニターする。これによって歩里泙蠅鮓屬気擦討い。Applied Materialsや東Bエレクトロン、SCREENなどのが設されているが、人}を介さずウェーハを流している。

マイクロンジャパンは積極的にDEI(Diversity, Equality, Inclusion)を推進しており、性や外国人の採を進めている。例えば2017Q度には採した人^の中にめる性の割合は10%しかいなかったが、2022Q度は43.6%にも達した。マイクロンジャパンは働きやすい職場としてj企業靆腓涼罎任20位、ハイテク企業の中では1位に定されている。外国籍の業^は、の30%度めるという。

ただ、]期的にはDRAMやNANDフラッシュなどのは在UがHく、当分は在U調Dを進めなければならない。すでに20%のを最Z、発表している。これから来Qi半にかけて攵盋を\やせないため、Q度内の投@をらさざるをuないが、Micronは財X況を見ながら投@をMするe勢は変わらない。

(2022/11/22)
ごT見・ご感[
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