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セミコンポータルによる分析

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Samsungは48層256Gビット3次元NANDを量凮始

Samsungは48層256Gビット3次元NANDを量凮始

8月4日に東が48層積層の256Gビット3D NANDフラッシュの開発をアナウンスした矢先、Samsungは同じように48層の256Gビット3D NANDフラッシュの量を始めたというニュースが飛び込んできた。盜颯汽鵐織ララで開かれたFlash Memory Summit 2015でらかにしたもの。 [→きを読む]

世cの半導、26ヵ月連成長を記{、DRAM価格下落が懸念材料

世cの半導、26ヵ月連成長を記{、DRAM価格下落が懸念材料

殀焼工業会(SIA)は、2015Q嵌彰の世c半導販売YがiQ同期の3.9%\であったと発表した。2四半期だけで見ると、i四半期比1%\、iQ同期比2%\とやや]気味になっている。ただし、26ヵ月連iQをえる成長をけてはいるが、不W材料も出始めている。また、日本はればせながら峺いている。 [→きを読む]

2015Q嵌彰世c半導トップランキング

2015Q嵌彰世c半導トップランキング

今Q嵌彰の世c半導のランキングが発表された。毫x場調h会社のIC Insightsが発表したものだが、これによるとトップはIntelと変わりはない。しかし、IntelとSamsungとの{`がわずかだが、縮まった。 [→きを読む]

IIoTアーキテクチャがzになってきたNIWeek 2015 (1)

IIoTアーキテクチャがzになってきたNIWeek 2015 (1)

ソフトウエアベースのR定_メーカーNational Instruments社が毎Qに開するNIWeek(図1)では、ずjきな\術のトレンドについてディスカッションされている。昨Qは、IoTを工業IoT (IIoT) に集中することを表すると共に、もうkつの流れである、Software-Defined xxx、あるいはSoftware-Designed xxxに関しても述べていた。今Qはどうか。 [→きを読む]

ルネサス好調、]・検hもく

ルネサス好調、]・検hもく

先週は、電機噞のQ報告会が相次ぎ、2015Q4〜6月期のT果が出てきた。ルネサスの発表が金曜日に行われ、営業W益率が順調の高まっている様子をした。・検hメーカーでは東Bエレクトロンとアドバンテスト、総合電機では、日立作所とパナソニックから発表があった。 [→きを読む]

IntelとMicron、クロスポイント型不ァ発性メモリをサンプル出荷へ

IntelとMicron、クロスポイント型不ァ発性メモリをサンプル出荷へ

IntelとMicron technologyは共同で、DRAMとNANDフラッシュをつなぐ新型メモリを開発した(図1)。3D XPoint(スリーディークロスポントと}ぶ)\術と@けたこの不ァ発性メモリは、ストレージクラスメモリである。NANDよりも3ケタ]く、DRAMよりも10倍高密度で、NANDよりも書き換えv数が1000倍Hいという。 [→きを読む]

今Q嵌彰のM&A金Y\、IoT時代に△┐A収S

今Q嵌彰のM&A金Y\、IoT時代に△┐A収S

半導業cは企業A収(M&A)が発になってきたが、その裏けとなる金Yデータを櫂▲螢哨Ε好灰奪張如璽襪砲△諫x場調h会社IC Insights が調h、発表した。そのT果、今Qi半のA収金Yは2010Qから2014QまでのQ平均金Yの6倍にも達するという。 [→きを読む]

IoT時代はuTなアナログをかす、TIに{い風

IoT時代はuTなアナログをかす、TIに{い風

Texas Instrumentsは世cトップのアナログICメーカーであるが(参考@料1)、IoT時代にはO社のuTなアナログとプログラマブルデジタルをますますかせる、と啜い琳e勢を見せる。このほど来日した同社アナログ靆腑轡縫▲丱ぅ好廛譽献妊鵐箸Stephen Anderson(図1)は、ワンストップショップの咾気鮗臘イ靴。 [→きを読む]

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