パワー半導で世cをリードするニッポン

次世代リニア新(chu┐ng)線などのZをU御するパワーエレクトロニクスでは、jきな電気的負荷を~動することが求められる。負荷にj電を印加し、かつ停Vするスイッチ動作を行わせる要がある。そのためには、MOSFETなどのスイッチング素子が~効であろう。 [→きを読む]
» ブログ » インサイダーズ » j和田敦之の日櫃粒発現場から
次世代リニア新(chu┐ng)線などのZをU御するパワーエレクトロニクスでは、jきな電気的負荷を~動することが求められる。負荷にj電を印加し、かつ停Vするスイッチ動作を行わせる要がある。そのためには、MOSFETなどのスイッチング素子が~効であろう。 [→きを読む]
Wガスのk形であるシェールガス(Shale gas)の実化が盜颪膿覆爐噺られ、楽W的な莟Rとして同国で]業のルネッサンスがきると言う人もアメリカの友人の中には出て来た。このセミコンポータルでもJにシェールガスの記が出ている(参考@料1)。 [→きを読む]
ウォークマンやウォシュレットそしてFlash Memoryは、世cをリードしたわが国のである。だが以T、ずっと最Zまで日本発の世c的な独創的な商は出ていないとの指~がある。2012Qは、期待が高い電機業cにおいてシャープなどの経営問が浮屬靴拭k(sh┫)、IT関連では検索\術やSNS、タブレット、スマホに向けたアンドロイドOS、iPadなど、相変わらず盜颪離蝓璽匹jきい。新や\術開発の気がわが国から失われているとのe惧をQかずにはいられない。 [→きを読む]
8月15日は、68vの終戦記念日だ。よく言われて来たことだが、ほとんど焼け野原のXから我が国の復興は始まった。咾て本のベンチャー企業が何社も立ち屬辰突茲拭N磴┐弌▲僖淵愁縫奪、ソニーそしてホンダなどの企業は、ゼロからスタートし、今やj企業として世c的に躍している。そして戦iからいて来た_化学工業と共に、早い段階でアジア最咾侶从僂鮑遒蠅△欧拭 [→きを読む]
この5月に共通番(gu┤)U度法が成立した。これは国c^にw~番(gu┤)をす点でJに成立している住c基本帳法と同じである。ただ、後vは、@、現住所、昵Q月日など四つのデータしか扱わない、ごく単純なものだが、今v成立した通称マイナンバー法はQ個人の社会保障や税のデータベースと統合することを`指している。 [→きを読む]
6月20日は、集積v路の発vであるジャック・キルビーの命日である。没後8Q、供養のT味を込めて彼の[い出を書いてみたい。テキサス・インスツルメンツ社(TI)におけるj先輩だったキルビーは、集積v路を発した功績で2000Qにノーベル駘学賞をb与されている。盜番(gu┤)は3,138,743。その主たる図Cを図1にす。 [→きを読む]
櫂バマ権がjN研|に挑む。「ブレーン・イニシアティブ(Brain Initiative)」である。このT果、筆vが期待する成果のkつは、新しいアーキテクチャを使ったjNの考え(sh┫)にZい思考プロセスを踏む半導プロセッサの設・試作だ。このことは本Mの最後で述べて見たい。 [→きを読む]
昨Q、内Vが代わり経済再擇卜点がかれるようになった。半導噞にとっても喜ばしいことだと思う。本の矢をJねてなる経済性化を権は進めるが、その_要な矢は成長戦Sである。発表によるとBはこの4月に医関連機_やサービスをL外に売り込む新組Eを官c共同で立ち屬欧詬縦蠅任△辰拭x場のパイがL外に広がるのは迎するべきことだ。 [→きを読む]
今、日本の半導噞は残念ながら弱化してきた。しかし、かつてはもっと弱かった。それでもj国(盜)に挑戦してきた。1960Q代、欧櫃離妊丱ぅ好瓠璽ーはMOSFETの開発の最中で、|々の\術をっていた。弱かった日本が挑戦した例として、(001)CのMOSFET\術を紹介しよう。この開発ではむしろ日本が先頭に立ち、以Tの半導噞でトップに立つことができるようになった。この\術は当時、盜颪任眈}がついていなかったようだ。 [→きを読む]
本Q1月、NHKなどの報Oによると、半導]会社のルネサスエレクトロにクスはLOと福井県、y本県にある3工場を国内企業に売却することを定した。昨Q12月のこのセミコンポータルの記でも詳しく紹介されたが、同社は官cで作られたファンド「噞革新機構」などからの1,500億とされる出@を迎えて経営の再建に邁進する運びだ(参考@料1)。3工場の売却はその線にpっていると考えられる。 [→きを読む]