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半導噞の変革期における国家プロジェクトのあり気箸浪燭

ASETのマスクD2I成果報告会に出席した。マスク\術は、微細化に要なリソグラフィ加工\術の中の_要な\術のkつである。これまで、光のS長193nmというArFレーザーを光源にし、]浸や高NAレンズ、高解偽\術などを~使して露光S長よりもずっと]い45nmの加工を実現してきた。マスク屬ICパターンをWく場合も、S長の]さを考慮してOPCを行いながら、パターンをWいてきた。

しかし、45nmの先の32nm、22nm、16nmなどへとさらに微細化が進むにつれ、これまでの\術の長で実現できるのか、まだ誰にもわからない。そのためにEUVといった軟X線(S長2nm度)をWするリソグラフィ\術や、繰り返しパターンをWして2v露光でパターンのピッチを実的に半分にするダブルパターニング\術などがtとして挙がっている。

\術成果報告会では、マスクの設・W画法と検h桔,砲弔い討糧表であった。このプロジェクトでは国家(NEDO)からも予Qがついているものの、微細化まっしぐらのこのテーマに関しては最新疑問のmを噞cからよく聞く。彼らは表立ってjきなmで言わないが、相変わらず国のプロジェクトはハード志向だね、いつまでも微細化の時代じゃないのにこのようなテーマをぶんだね、マスク\術の開発は国家プロジェクトでやるテーマなのかしらね、などなどと本音をらす。

3月13日にセミコンポータル主の半導エグゼクティブフォーラムを開した(http://m.589173.com/archive/editorial/industry/spi1.htmlないし、http://m.589173.com/archive/editorial/industry/spi4.html)ときに、今は半導噞は変革期に来ており微細化しなくても科にビジネスができる例を紹介してきた。もちろん、今まで通り微細化須のビジネスもある。しかし、半導\術を捉えなおす変革期に来ており、聞きに来られた会場の機垢離▲鵐院璽箸砲發修量mが反映されている。

国家が半導噞にどう係るか、これまでの\金策で良いのか、争をつけるために要なことを国家がどう反映させるべきか、国家プロジェクトにも考え気鬚海譴泙任箸脇韻犬任呂い韻覆な儚彜に来たのではないだろうか。最Z、英国の半導噞をD材してきてBのあり気覆匹で紹介してきたが、それはkつの解であり、争をつけて英国の半導噞がこれから成長するための戯である。

もちろん、日本のやり気榔儿颪鮨瑤垢譴个茲い箸いΔ錣韻任呂覆。ではこの先どうやって日本独Oの戦Sを立てればよいのだろうか。噞cには、日本は戦Sを立てられないとか、戦Sを立てるのが日本は下}だとか、言う人がいる。しかし、Mはそうは思わない。日本人はしてLの劣ったcではない。賢いcだ。ただ、戦Sの立て気瑤蕕覆い世韻世隼廚。戦Sを立て、きっちりと実行できる仕組みを作ることをa{していけばよい。

半導噞の変革期に国家がどう係り、何をすべきか、をしっかりと議bして日本独Oの国家戦Sと10Q後の絵をWけばよい。戦Sを立てて実行するというゴールを実現するためにはc間のLがLかせない。これをどうするかがカギとなる。そのためには、日本の半導噞を咾するためにk肌脱ぐ、というボランティア@神を日本の官^がeたなければできない。このボランティア@神(日本語では滅M拿o)は極めて_要なT識である。O分たちのW下り先を見つけるためにコンソシアムや組Eを作るのではないかという国cの疑念をOら払しょくさせることができるからだ。国家官^のLに期待したい。

ごT見・ご感[
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