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ムーアの法�Г寮茲僕茲襪發�

2017年7月31日｜週間ニュース分析

半導��業の好調が�e�する中、7月28日の日本経済新聞は、オピニオンというコラムで「ムーアの法��、限�cの先は」と�した記�が掲載された。ムーアの法�Г箸いΔ茲衄倢找修慮堕cの先を議�bしている。シリコンチップの微細化の先に来るものは何か。AIや�O動運転�Z、IoTなど未来を見つめた応�、ビジネスモデルを含めた「価値」を模索している。先週のいくつかの記�にもそれが表れている。 [→�きを読む]

M&Aの�fが�圓�遒辰�、メモリが引っ張る�Xい�S乱&��況の半導��x場

2017年7月31日｜長見晃の�L外トピックス

現在の半導��x場の��癖儔宗�t開模様を如実に�す2点である。昨�Q、�k昨�Qと��常に�j(lu┛)きく吹きまくったM&A(merger and acquisition)の�fが、今�Q�i半は�D引総�Yが��殆�少しているデータが1つである。もう1つ、メモリが引っ張って�垉邵嚢發鬚泙燭気蕕暴j(lu┛)きく��(g┛u)新する勢いの半導��x場のもと、�Q社の直�Z四半期業績が発表されているが、販売高サプライヤ別ランキングの��位を長らく維�eしているインテルを、少なくともこの四半期はSamsungが�{い越すとのこと。約四半世紀ぶりのこととなる。 [→�きを読む]

2017�Q6月の半導��]��の販売�Yは�k段落

2017年7月27日｜�x場分析

2017�Q6月の半導��]��の販売�YがSEMIとSEAJからそれぞれ発表された。それによると、��半導��]��は�i�Q同月比33.4%�\の22億8890万ドル、日本��半導��]��は同53.6%�\の1530億5200万�となった。依�、高水��にある。 [→�きを読む]

Western Digital、4ビット/セルの768Gビット3D-NANDフラッシュを開発

2017年7月26日｜�\術分析（半導��）

東�メモリと四日�x工場を共�~しているWestern Digitalは、64層の3D-NANDフラッシュ�\術を使った、4ビット/セルの768Gビット（96Gバイト）メモリを開発した（図1）。�来と同じ数のメモリセルを�eつ3ビット/セルのNANDフラッシュだと、メモリ容量は512Gビット（64Gバイト）だったが、これよりも50%�\加した。 [→�きを読む]

シリコンウェーハの出荷�C積、5四半期連��垉邵嚢�

2017年7月25日｜�x場分析

2017�Q��2四半期におけるシリコンウェーハ�C積が�i�Q同期比10.1%�\の29億7800万平��(sh┫)インチとなり、5四半期連��垉邵嚢發箸覆辰拭△�SEMIが発表した。�i四半期比でも4.2%�\であり、ここの所、�\加の�k�をたどっている。 [→�きを読む]

半導��業の��況は�く

2017年7月24日｜週間ニュース分析

半導��業の��況は、しばらく�きそうだ。先週は、それを�唆するニュースが相次いだ。ARMのCPUが�垉�25�Q間に集積された半導��チップの��個数1000億個が今後4�Q間で達成されるという見通しを述べ、ソニーのCMOSイメージセンサのウェーハを�\�する。その先の�O動運転への投�@、��]業を�Г┐觜�邉ヽ�悗療蟀@も��発だ。 [→�きを読む]

メモリ高値が押し�屬欧�$400 billion�j(lu┛)�の分析と今後の読み&�△�

2017年7月24日｜長見晃の�L外トピックス

$400 billionを�える�Q間半導��販売高の予�Rを�pけて、DRAMおよびNANDフラッシュメモリの高値が引っ張ってともに最高の販売高を記�{しそうなことが�j(lu┛)きな原動�になっているという分析の�k��(sh┫)、この勢いを維�eしていく�屬任鰐ノ�的な新分野の開�、立ち�屬欧箸箸發忘農菽爾糧焼��設�、プロセスの日進月歩の�t開が�L(f┘ng)かせないということで、今後に�△┐詁匹澆�△┐��発化を�pけ�Vめている。�給逼�がもたらしている昨�Q後半以来のメモリの高値が牽引している現況であるだけに、�k層の成り行きである。 [→�きを読む]