AIとのコンビでCMOSセンサの成長性が高まってきた

半導デバイスの中で、CMOSイメージセンサがjきく成長しそうだ。IC Insightsの調hによれば、2019QのCMOSセンサはiQ比19%\の168億3000万ドルに成長するとみている。これは同4%\の168億8000万ドルのパワートランジスタx場に匹發垢襦2020QにはCMOSセンサが成長]度のいパワー半導をsくのは間違いなさそうだ。 [→きを読む]
半導デバイスの中で、CMOSイメージセンサがjきく成長しそうだ。IC Insightsの調hによれば、2019QのCMOSセンサはiQ比19%\の168億3000万ドルに成長するとみている。これは同4%\の168億8000万ドルのパワートランジスタx場に匹發垢襦2020QにはCMOSセンサが成長]度のいパワー半導をsくのは間違いなさそうだ。 [→きを読む]
ベルギーにある半導研|所のIMECが今週はじめ、東BでIMEC Technology Forumを開した。ここ2〜3Q、このフォーラムではIoTやAI関係の半導応の発表例がHかった。このため、CEOのLuc Van den Hove(図1)は、日本企業に瓦靴・材料メーカーとシステム企業に参加を期待していた(参考@料1)。今Qは違った。本流のムーアの法Г膿抱tがあった。 [→きを読む]
2019Q3四半期におけるSiウェーハ出荷C積はi四半期比1.71%の29億3200万平汽ぅ鵐舛砲覆辰拭△SEMIが発表した。iQ同期比では9.9%となっている。この向は、そろそろfにZづいている様子を表している。 [→きを読む]
CEATEC 2019では、j学関係からも実化にZい研|が発表された。文隹奮愍併渦爾JST(科学\術振興機構)が主するCREST(戦S的創]研|推進業)の中で、ナノエレクトロニクスに関する研|3Pが、材料からデバイス、v路、システムに至るQレイヤー間の協を求めるプロジェクト「素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成」の成果を発表した。 [→きを読む]
Micron Technologyが日本とシンガポールで工場の拡張にを入れていることをJ報したが(参考@料1、2)、盜颪任ポートフォリオを広げる疑砲鯣表した。これまで、DRAMとNANDフラッシュ、3D-Xpointメモリというメモリ業にフォーカスしてきたが、NORフラッシュやAIアクセラレータボードにまで}を広げることをらかにした。 [→きを読む]
日本、の半導]x場は、共に順調にv復基調にある。日本半導]は、iQ同期比こそ16.8%だったが、i期比10.9%\の1781億3600万と3カ月連でプラスとなった。は、iQ同期比がわずか6.0%の19億5370万ドルとなり、iQ同期比のマイナスが6カ月連で縮小しけている。 [→きを読む]
半導x況のv復がはっきりして来たことを10月18日の日本経済新聞が伝えた。セミコンポータルでは、WSTSの数Cやメモリ価格、TSMCのpR、半導]、シリコンの出荷C積の動向のX況などから半導x況のv復を1〜2月iから報じてきた(参考@料1、2、3)。日経はTSMCの動向からx況のv復を分析している。 [→きを読む]
パナソニックコネクティッドソリューションズ(CNS)社と日本IBMは、半導後工の分野で提携した(図1)。これは、パナソニックのeつ後工のプラズマダイシングとプラズマクリーナにIBMのFDC(故障予管理)ソフトウエアを組み込んだシステムの開発を`指すもの。 [→きを読む]
SEMIは、2019Qに出荷されるシリコンウェーハは、iQ比6.3%の117億5700万平汽ぅ鵐舛C積になりそうだと予Rを出した。シリコンウェーハは、2020QにはW定になり、2020Q、21Qと実に成長していく、という見通しを発表した。 [→きを読む]
ファウンドリ最j}TSMCの7nmプロセスの売幢YがPびている(図1)。2019Qの1四半期には15億6100万ドル、2四半期16億2700万ドルだったが、後半は加]し、3四半期22億8800万ドル、4四半期には34億6700万ドルになりそうだ。こう予Rするのはx場調h会社のIC Insightsだ。 [→きを読む]
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