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1月に最もよく読まれた記は東のメモリ靆腓寮鐓S

2018Q1月に最もよく読まれた記は、「東の電子デバイスは中長期売り屬1兆を狙う〜新敕贄の主要業」であった。東のメモリ靆腓任△訶贄デバイス&ストレージ社の福地浩志社長の講演を元にこれからの東の半導靆腓砲弔い童譴辰慎である。

次によく読まれた記は「Micronの新型SSDは64層で59mm2の3D-NANDを採」であった。これは、東やSamsungと同じ3D-NANDを使いながら、シリコンの中に64層ものセルをmめ込むのではなく、CMOSv路を先に作った後にH層配線覦茲縫侫蹇璽謄ングゲートのセルを64層積み_ねる擬阿3D-NANDについて述べたもの。1月に来日したMicronのマーケティング責任vから直接聞いたBを元に記を作った。

3位は「東社^だったrKに再び豸、硬骨エンジニアは日本にはもう居ない?」であり、これも東関係の記である。昨Qの11月にNHKで放映された、元東社^のrK富士dの餮譴如硬骨のエンジニアと紹介したという。

4位の「中国半導噞、メモリ、ファブレス、ファウンドリで成長へ」は、中国の最新半導情を、セミコンジャパンで開されたマーケットセミナーで講演したSEMI湾のClark TsengのBを元に記化したもの。

5位「2017Qの世c半導は22.2%\の4197億ドル−Gartner調べ」は、Gartnerが集した世cの半導トップ10社ランキングについて述べた記。2017QはメモリバブルでSamsungの売り屬欧Pび、Intelをsいてトップに立った。

ごT見・ご感[
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