Mears社の��格子MOSFETはサブスレ電流も1桁低��
シリコンMOSトランジスタのチャンネル層表�Cに、半導��-��半導��-半導��という繰り返し構�]から成る��格子層を形成し、ゲートリーク電流の低��とドレイン電流の�\加というメリットを�eつ、��く新しい構�]のトランジスタを��Mears Technologies社が開発したが、メリットはそれだけではなく、サブスレッショルド電流も1桁�Zく��ることがわかった。
Mears 社の提案する��格子MOSトランジスタは、厚さ10nm��度の��格子構�]MOSのチャンネル�覦茲忘遒�、X-Y�CとZ軸�妓�とで電子の�~効��量を人工的に変えることで、ゲートリークが少なくドレイン電流は�\えるというもの。�T晶格子を走行する電子の動きを量子��学的に解くと、運動量（ｋ空間）に�瓦靴謄┘優襯�ーバンドギャップを�eつことは半導���駘�の教科書よく�瑤蕕譴討い襪�、伝導帯のエネルギーギャップは下の図のように曲線を�Wく。
この曲線の曲率は電子あるいは��孔の�~効��量に深く関係し、曲率が緩いと�~効��量は�jきく、曲率がきついと�~効��量は小さいことが�瑤蕕譴討い�。�~効��量は小さいと電子や��孔の�‘暗戮禄jきく、�~効��量が�jきい、すなわち�_いと�‘暗戮肋�さくなる。
Mears社の新型トランジスタは、シリコン原子が���з�しく並んでいる�T晶構�]を人工的に変えた��格子構�]を作り、X-Y�妓�には�~効��量を小さく、Z軸�妓�には�jきくするもの。これによってZ軸�妓�、すなわちゲートリーク電流�妓�には電流は流れにくく、X-Y�妓�すなわちドレイン�妓�には電流を流れやすくしている。
今�v、Mears社は、サブシュレッショルド電流も�k桁�Zく小さくなることを見出した。��来のMOSトランジスタでは、スタンバイ時の消�J電��を�jきくするサブスレッショルド電流を下げるためにゲートしきい電圧を�屬欧茲Δ箸垢襪汎虻��]度が落ちた。逆に動作�]度を�屬欧茲Δ箸靴董▲押璽箸靴�い電圧を下げるとサブスレッショルド電流が�\えてしまった。どちらかを犠牲にしなければならなかった。
Mears社CEOのRobert Mears��（�^真）によると、ゲートしきい電圧を下げなくてもサブスレッショルド電流が下がったという。その理�yは��らかにしないが、実��的に�]チャンネル効果を抑えることができるため、サブスレッショルド電流を下げられると、ヒントめいたことを述べた。このサブスレッショルド電流低��の再現性は統��的に�科�あるとしている��試作には��SEMATECHの子会社で試作開発のファウンドリATDF社の85nmプロセスを�W��した。
現在、この��格子MOSトランジスタの����を世�c中で申�个�10月6日現在で42�P�D�u、170�Pを申�价罎世箸い�。Mears社は101段のリング発振�_も試作し、ゲート����やゲート当たりの消�J電��などのデータは�Zいうちに�o開する予定だ。
同社のビジネスモデルは、基本的には英ARM社と同様、ライセンスおよびロイヤルティビジネス、サービスなどである。��格子を形成したウェーハを売るビジネスは今のところ考えていないという。
