ハイブリッドカ〖漓脫の井房ˇ光墑劑のパワ〖モジュ〖ルをインフィニオンが倡券面
ドイツのインフィニオンテクノロジ〖ズ家は、ハイブリッドカ〖のパワ〖トレインシステムというクルマの看隆嬸に漓脫のモ〖タ〖ドライブ/券排怠脫パワ〖モジュ〖ルを倡券面である。これまでの輝任嬸墑の寥み圭わせで侯っていたモ〖タ〖擴告インバ〖タとは般い、井房、光跟唯、かつ光慨完拉になる。カ〖エレクトロニクス輝眷で坤腸媽2疤、菠劍で1疤、パワ〖エレクトロニクスで坤腸媽1疤のメ〖カ〖としてはハイブリッドカ〖輝眷を部としても毀芹したい。拉墻や怠墻だけではなく、慨完拉や墑劑瘦沮、デバイスのトレ〖サビリティまでパワ〖スキルを欄かしていく數克だ。
インフィニオンは、菠劍だけではなく泣塑輝眷でも2006鉗の媽6疤から2007鉗の媽5疤へとじわじわ凱してきている。トヨタ極瓢賈からも極瓢賈墑劑を塔たすメ〖カ〖として千年されている。極瓢賈は13鉗~15鉗の檻炭が滇められる。極瓢賈脫染瞥攣も供度脫染瞥攣デバイスの苗粗ではあるが、≈ポンプやエレベ〖タ〖、供侯怠常などの供度脫と極瓢賈とは妥滇拉墻や墑劑レベルが鏈臉般う∽と票家エレクトロニックドライブトレイン嬸嚏ディレクタのMark Munser會は胳る。毋えば、蝗脫補刨認跋や慷瓢に灤する慨完拉妥滇が鏈く般う。≈インフィニオンの動みは光卵暗、絡排萎などパワ〖エレクトロニクスだからこそ、極瓢賈メ〖カ〖の妥滇にあった瀾墑を肋紛瀾隴できる∽∈票會∷。
繼靠1 インフィニオン家エレクトロニックドライブトレイン嬸嚏ディレクタのMark Munser會
モ〖タ〖を額瓢するのに呵努な3陵の蛤萎モ〖タ〖を肋紛するのに、トランジスタとダイオ〖ドを事誤儡魯したものを1寥として6寥蝗われるが、このパワ〖ダイオ〖ドとしてSiC∈シリコンカ〖バイド∷のダイオ〖ドを供度脫も崔めてこれまで300它改叫操した悸烙があるという。
排丹極瓢賈にもつながるフルハイブリッド慌屯
≈ハイブリッドカ〖慌屯は絡きく尸けて、フルハイブリッド慌屯とマイルドハイブリッド慌屯がある∽(票會)。フルハイブリッドとは、排丹極瓢賈事みに40kW×100kWという絡きなパワ〖を積ち、マイルドハイブリッドは15~20kWのパワ〖で貉む。フルハイブリッドのパワ〖が絡きな認跋を積つのは、クルマの慌屯によるところが絡きく、クルマのサイズによってそれぞれ佰なるためである。マイルドハイブリッド慌屯はパワ〖認跋が豆いためクルマのサイズによらないが、排丹極瓢賈には蝗えない。15~20kWだとモジュ〖ルの武笛は鄂武でも垮武でも菇わないとしている。
繼靠2 マイルドハイブリッド脫モジュ〖ル 叫蝸は20kW
Munser會が績した企つのパワ〖モジュ〖ルのうち、マイルドハイブリッド漓脫の20kWモジュ〖ルは附哼翁緩惟ち懼げに羹けて潔灑面で、2009鉗媽1煌染袋には翁緩する紛茶である。フルハイブリッド漓脫のパワ〖モジュ〖ルは2009鉗瑣までに翁緩する徒年だ。
これまで票家は3陵モ〖タ〖ドライブのパワ〖モジュ〖ルをすでにハイブリッドカ〖羹けに叫操してきたが、輝任嬸墑の寥み圭わせで侯ってきたため、ハイブリッドカ〖漓脫のパワ〖モジュ〖ルとしてはこれらが介めてとなる。ハイブリッド漓脫だとパワ〖デバイスのドライブ攙烯も崔めたモジュ〖ル鏈攣のはんだ燒け嬸尸が警ないため、慨完拉や墑劑が羹懼する。このため、瓢侯補刨の瘦沮認跋が光くなるとしている。辦忍に極瓢賈脫染瞥攣やモジュ〖ルは瓢侯補刨認跋が呵絡125☆∈呵絡釣推儡圭補刨Tjmax∷だが、インフィニオンのパワ〖デバイスは150☆まで瘦沮しているという。
繼靠3 フルハイブリッド脫モジュ〖ル
絡きさは10cm∵21.6cmと驕丸よりも25%井さい。微燙婁に庶錢フィンを肋けているが鄂武、垮武とも材墻。叫蝸は600V/800A
これまでのモジュ〖ルには、SiのIGBTとSiあるいはSiCのダイオ〖ドが蝗われている。さらに光補に蝗えるようにするためには、スイッチングトランジスタもSiCにする澀妥がある。SiCはSiと孺べて瓢侯補刨をさらに光くすることができるからだ。染瞥攣のエネルギ〖バンドギャップがSiよりも弓い。瓤燙、光補にしても撅暗では拖けずに競糙する。このため、Siではごく辦忍弄なチョクラルスキ〖苞き懼げ恕が蝗えない。プラズマCVDなどの數恕を蝗って墓箕粗にわたって馮窘喇墓させるため、馮窘のコストはSiよりもかなり光くなる。ウェ〖ハサイズもSiと般って2~3インチのものしか緘に掐らない。デバイスにした覺輪でも毋えばSiCダイオ〖ドだと3擒笆懼するという。
そこでSiCデバイスの光コストに斧圭うようなシステムを菇蜜できるかどうかがカギとなる。そのためにはモジュ〖ルシステム鏈攣のコストを布げられればよい。毋えば、コンピュ〖タサ〖バ〖や痰匿排排富の排富跟唯は1%でも懼がればメリットは絡きく、排蝸コストをすぐに攙箭できる。SiCだと光廬瓢侯も材墻なため、スイッチング件僑眶を懼げれば蝗脫するインダクタを井房にできる。眶紗Aという絡排萎を萎すパワ〖システムではインダクタの攣姥は端めて絡きいため、井房步のメリットは絡きい。
Siでは絡排萎を萎せるIGBTを蝗っているものの、SiCとなるとオフセット排暗∈界數羹排暗∷のロスが跟くためFETを浮皮している。SiCはバンドギャップが絡きいため、界數羹の排暗が2.8V鎳刨もあり、ロスが絡きすぎるとMunser會は揭べる。インフィニオンは卵暗1000V、チップ燙姥1cm2で孺秤すると、50Aでのロスは倡券面のFETがSiのIGBTよりも呵もロスが井さい。SiのMOSFETを孺べると、インフィニオンが倡券したCoolMOSトランジスタは驕丸のMOSFETより5擒排萎を萎せるが、SiCのFETだとさらに票じサイズで5擒の排萎を萎せると斧姥もっている。
FETにはMOSFETとJFET∈儡圭房FET∷がある。MOSFETはゼロ排暗ではオフにできるノ〖マリオフトランジスタであるが、JFETはノ〖マリオンタイプであり、砷排富を澀妥とするためこれまでのLSIやパワ〖デバイスにはMOSほど驢くは蝗われてこなかった。しかし、≈MOSFETは泅いゲ〖ト煥步遂が煎爬∽∈Munser會∷。JFETのバイアス攙烯を供勺すればJFETはノ〖マリオンという煎爬を詭繩できる。ただし、SiCデバイスはJFETなのかMOSFETなのかMunser會は湯咐を閏けた。
ハイブリッドカ〖脫のモジュ〖ルはデバイスを倡券すればよいというわけではない。儡魯嬸尸の慨完拉を懼げなくてはまだ蝗えない。極瓢賈は撅に阜しい茨董で蝗われる。シベリアの端川の孟で蝗われるかと蛔うと、アフリカの航蛆でも蝗われる。極瓢賈メ〖カ〖によっては孟靛懼どこでも蝗える慌屯を滇める措度や、コスト跟唯を雇えて川武孟慌屯として侍コストで卿っているところもある。毋えば蝗脫補刨認跋が-40~150☆の眷圭、この補刨認跋は瘦沮しなければならない。ボンディングワイヤ〖と染瞥攣チップ懼のメタルの腸燙は補刨サイクル活賦を痰嘎に帆り手すと澀ずいつかもろくなりはがれてしまう。
このため、蝗脫補刨やサイクル掘鳳を此下して警しでも檻炭を變ばす禱窖が澀妥となる。極瓢賈はコストアップを幅う尸填であるため、蝗脫掘鳳を雇胃した攙烯肋紛を灤借するという緘もある。毋えば、川武孟では極瓢賈を幌瓢させたあと呵介の慨規に汗し齒かるとモ〖タ〖を賄めてしまうため、-40☆とエンジン燒奪の補刨(毋えば80☆として)との汗は楓しい。そこでこの汗を豺久するため、肌の慨規が丸てもモジュ〖ルのトランジスタを瓢かし魯け、しばらくの粗補刨汗を欄じないように供勺しておく。部刨か匿賄した稿0刨笆懼になると驕丸のようにトランジスタをオフする。このようにするとモジュ〖ルは-40☆と毋えば80☆との粗を帆り手すことがなくなり、0刨と80☆との帆り手す蝗脫になるため、蝗脫掘鳳は此くなる。これを攙烯弄に供勺しておく。
嬸墑のトレ〖サビリティを瓷妄
この≈インテリジェント&チ〖パ〖デザイン∽だけではなく、さらにメタル亨瘟やその瀾隴プロセスについても猖紊を裁えており、ボンディングワイヤ〖のはがれやチップのはがれ、クラックなどの券欄を警しでも覓らせる供勺をしたというが、その拒嘿については胳らない。
極瓢賈羹け染瞥攣に廟罷することはこれだけではない。嬸墑、亨瘟のトレ〖サビリティの瓷妄も腳妥になる。モジュ〖ルには2肌傅バ〖コ〖ドで瀾隴瓷妄しており、その面に蝗っている染瞥攣チップや亨瘟をいつどこで茂から關掐したものかを撅にデ〖タベ〖スに瓷妄しておく。染瞥攣チップは、改」のチップにIDコ〖ドを燒涂するわけではないが、ウェ〖ハのバ〖コ〖ドと、チップをピックアンドプレ〖スした淡峽をデ〖タベ〖スに瓷妄している。
インフィニオンのカ〖エレクトロニクスのビジネスモデルは、モジュ〖ルを任卿するだけではなく、極瓢賈漓脫のチップも潑年の杠狄には任卿する。ただし、KGD∈Known Good Die∷ではなく、パッケ〖ジに箭め慨完拉と墑劑を瘦沮した懼で丁惦する。
