Micron、��来見据えた176層NANDフラッシュとDRAM����を出荷
Micron Technologyは、昨�Q最�j176層のNANDフラッシュメモリの開発を発表していたが（参考�@料1、2）、このほどComputex Taipei 2021にて、そのチップを搭載したPCIe Gen4 SSDの出荷開始を発表した。加えて、DRAMでは最先端の微細化ノードである1α nmのDDR4x LPDRAMを出荷した。
図1 Micronの176層SSD����群 出�Z：Micron Technology
Micronの最新176層のSSDには、「Micron 3400」と「Micron 2450」の2����がある（図1）。Micron 3400は512GB〜2TB の容量を�eち、Micron 2450 は256GB〜1TBの容量で、�jきさの�|類が少し異なる。�i�vがM.2 22mm×80mmで、後�vはこの他に22mm×42mmと22mm×30mmの��サイズを�eつ。共に176層のチップは同じで、TLC（3ビット/セル）の�擬阿鮖箸辰討い襦�
新型コロナによるテレワーク��要によって「PC�x場が戻ってきた」、と表現した同社コーポレートVP（バイスプレジデント）でストレージ��業�靆腓�GM（ジェネラルマネージャー）であるJeremy Werner��は、PCがオフィスと仮�[オフィス（テレワーク）の両�気農�長していると述べた。��に毎日��万��のペースでPCは出荷され、�Q率で2020�Qは13%成長したが、2021�Qは18%成長すると�x場調�h会社IDCが予�[している。ノートパソコンやゲーム��のパソコンが好調で、��にクロムブックは100%の�Pびを��しているという。
これを�pけてPCIe Gen4（��4世代のPCI Express��格）のSSDはクライエントPC�x場向けに2021�Qは2020�Qの6倍以�屬棒�長する、と�x場調�h会社Forward Insightsは見ている。今�vMicronが出荷するSSDがクライエントPC向けということは、�jきな数量が期待されることを表している。176層のTLC NANDフラッシュチップに�O信があるのであろう。
DRAMもこれまで最も微細なノードに入る。これまで20nm未満のDRAMのプロセスノードは、1x nm、1y nm、1z nmと1〜2nmずつ刻んできたが、今�vはそれよりも微細な1α nmと最も微細なノードになった。メーカー�笋魯痢璽匹隣�確な�∨，鮨�していないが、1α nmは14〜15nm��度だと思われる。
図2 最も微細な1α nm DRAM���� 出�Z：Micron Technology
今�vMicronが発表したLPDDR4xのDRAMは8Gビットであり、1z nmノードのモバイルDRAM����と比べ、15%低い消�J電��で、集積度は40%高いとしている（図2）。今�vの1α nmのDRAMは6月に出荷し始めた。クライエントPCだけでなくクラウド����でもデータセンターに出荷する。
さらにMicronは、DDR5の設��も始めている。バンド幅と�}ばれるバイト単位のデータ転送�]度は、DDR仕様で最も高�]のDDR4-3200が16.8GB/sであるが、DDR5-3200だと22.8GB/sと1.36倍となる。MicronはDDR5仕様を推進しており、同社が2�Q�iから作ってきたDDR5の�Y��化団��「Micron DDR5 Technical Enablement Program」には100社以�屐�250�@以�屬寮濕�リーダーが参加している。これからの�Xの問��やAI応��に�瓦垢襯愁螢紂璽轡腑鵑鬚澆鵑覆妊灰薀椒譟璽轡腑鵑�、カスタマーにいち早く届けるためのプログラムだ、と同社シニアVPで演�Qとネットワーク�\術��業�靆腓�GMでもあるRaj Harzra��は言う。
図3 新しいメモリ階層 5�Q�iよりも複雑になっている 出�Z：Micron Technology
同��は��来のデータセンターにおけるメモリ階層に関しても触れている（図3）。��来、アーカイブストレージから�j容量ストレージ、高�]ストレージ（NANDフラッシュ）と、その�屬�DRAMとの間にギャップがあり、それを�mめるためにストレージクラスメモリをIBMが提案していた。当初は単��の半導��メモリで提供しようとメモリメーカーが開発してきたが、アーキテクチャ�屬�らもこのギャップを�mめるために現れたのがCXLアタッチトメモリである。これは、CPUと、アクセラレータや拡張メモリなどとの間のメモリにコヒーレンシ（同�k性）を�eたせるための業�c�Y��である。CPUとデバイス間のメモリを共�~できるようになる。
�k��、DRAM�笋癲▲ぅ鵐僖奪院璽献瓮皀蝓�HBM2Eなど）やCPUに�Zいダイレクトアタッチメモリなど、バンド幅を広げてより高�]にしようという動きがある。Harzra��は5�Q�iと比べるとメモリ階層構成はとても��雑になったと述べている。これに�△�、Micronは、DDR4やDDR5に加え、GDDR5やGDDR6などのグラフィックス����、バンド幅の広いHBM2E、そしてCXLアッタッチトメモリも揃え始めている。
参考�@料
1. Micron、176層という最高層のNANDフラッシュをサンプル出荷 (2020/11/10)
2. Micronが176層NANDフラッシュの設��思�[を��らかに (2020/11/19)
