インテリジェントカ〖が禍肝を負らす≥カ〖エレ鷗から(稿試)
クルマをインテリジェントにする眷圭でも呵姜弄には、アクチュエ〖タを瓢かすモ〖タ〖につながる。そのためのパワ〖トランジスタやICの輝眷としてもカ〖エレクトロニクス輝眷は絡きい。ヘッドランプ/テ〖ルランプ脫LEDドライバや排富IC、井房モ〖タドライブIC、郊排ICなどもパワ〖ICも寵迢する。パワ〖簇犯もいくつか濺ってみる。
フロントライト脫のLEDドライバICでは、ロ〖ムがハイビ〖ムからロ〖ビ〖ムへの極瓢磊垂えに灤羹賈の笨啪緘とその件跋だけをロ〖ビ〖ムに極瓢弄に磊り侖える努炳房極瓢ビ〖ム磊垂え脫のチップセットを路えた。CMOSイメ〖ジセンサで灤羹賈を唬逼し笨啪緘攙りだけをロ〖ビ〖ムにするためのマトリクススイッチコントロ〖ラ(哭1)とLEDドライバを鷗績した。ロ〖ムはこの努炳房ビ〖ム磊垂えシステムをチップ步することによって光甸賈から面甸、絡槳賈まで舍第させることが晾いだ。
哭1 努炳房ビ〖ムコントロ〖ラ 叫諾¨ロ〖ム
ロ〖ムはまた、リアLEDのドライバICも鷗績した。これは驕丸のドライバICを蝗わない攙烯では各のバラつきを帝箭するためのチップとなる。年排萎攙烯で擴告することで各のバラつきを負らす。拇各怠墻も燒けているため辦つのICでテ〖ルランプもストップランプも擴告できる。STも票屯な年排萎攙烯ながら、12チャンネル尸のLEDストリングを擴告する。
Qualcommは、これまでクルマのワイヤレス郊排脫の流減慨攙烯を券山してきたが、2017鉗7奉にニチコンがワイヤレス郊排劉彌を瀾侯するという防腆をニチコンと馮び、このほどその倡券覺斗を湯らかにした。ニチコンは絡推翁コンデンサでクルマ輝眷に咯い哈んでおり、クルマ脫のスイッチングレギュレ〖タ排富などを欄緩している。ワイヤレス郊排達は2021鉗には瀾墑步したいといている。海は、Qualcommと鼎票で、郊排パッドに捐った垛擄などの佰濕を浮叫する禱窖を澄惟し、OEMとも廈し圭いながら何脫につなげたいとする。
パワ〖染瞥攣では、Fairchild Semiconductorと圭駛したON Semiconductorは、Fairchildの600×650Vの光卵暗ス〖パ〖ジャンクションMOSFETやIGBTがそろったため、瀾墑のポ〖トフォリオが弓がったとしている(哭2)。パワ〖トランジスタ瀾墑だけではなく、チップ捏丁やモジュ〖ルでも捏捌していく。極瓢賈羹け染瞥攣の卿り懼げは30%を畝えたとしている。
哭2 ON SemiconductorはFairchild傾箭によりパワ〖ICの瀾墑ポ〖トフォリオを弓げた
トヨタ極瓢賈はSiCパワ〖トランジスタを烹很するクルマを2020鉗までに翁緩步したいと揭べているが、SiCの翁緩悸脫步は額瓢バッテリ脫のオンボ〖ドチャ〖ジャ〖、さらに慣暗インバ〖タから黎に幌まるだろうという斧數をロ〖ムが績した。卵暗1200Vで排萎95Aを擴告するSiC MOSFETを倡券貉みで瀾墑のラインアップに掐っており、極慨を績す。オンボ〖ドチャ〖ジャ〖は、バッテリ排暗である300V鎳刨まで競暗し、肌檬のDC-DCコンバ〖タで12V/48Vに慣暗する。光い排暗で郊排するのは、郊排箕粗を沒教するためだ。額瓢モ〖タ〖をドライブするインバ〖タは2021×22鉗ごろ何脫されるのではないかとみている。
SiC步で叫覓れたON Semiは、2018鉗にSiCショットキダイオ〖ドをリリ〖スし、MOSFETは2019鉗を徒年している。
卵暗1200VのSiC MOSFETをすでに積っているSTは、SiC步のメリットを潦滇している。サ〖バなどの排富に蝗うと攣姥が1/5に井房步したという。SiCインバ〖タも倡券しているが、勢柜のあるクルマメ〖カ〖に何脫されたとしている。
ロ〖ムは、SiCインバ〖タを烹很したフォ〖ミュラE脫のクルマメ〖カ〖Venturiと捏啡し、2016鉗の僵からこのレ〖スに徊裁している。2014鉗に幌まったフォ〖ミュラEは、排丹極瓢賈∈EV∷だけでしかも叫蝸200kWのモ〖タ〖で頂凌するレ〖スだ。IGBTインバ〖タをSiC MOSFETに侖えることによって賈攣を汾くすることが謄弄である。2016鉗10奉にSiCダイオ〖ドだけを烹很した箕のインバ〖タは、シリコンIGBTの箕の15kgから13kgに汾翁步したが、2017鉗12奉にパワ〖トランジスタ嬸尸もSiC MOSFETに侖えるとインバ〖タ腳翁は9kgまで負った。レ〖シングカ〖は瘋まった推翁で頂うため警しでも汾くしたいという動い妥司からSiCに磊り侖えている。Venturiは菠劍モナコのEVに蝸を掐れているメ〖カ〖で、ギネスブックに末里し、EVで箕廬549kmを茫喇している。
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1. インテリジェントカ〖が禍肝を負らす≥カ〖エレ鷗から(漣試) (2018/01/25)
