2050�QにCO2排出量を実��的にゼロにするというカーボンニュートラルに向け、再�擴��Ε┘優襯�ーの�W��やCO2を出さないEVの��業開発などが��発になっている。9月8日の日本経済新聞は、IT企業が再�擴��Ε┘優襯�ーの発電��業�vから電��を直接�P入する動きが世�cで広がっている、と報じた。発電��業�vは�W定��要を確保でき、�P入企業は�j�}電��会社を通さない分、再�撻┘優襯�ー�y来の電��を�Wく�Aえるというメリットがある。日経によると、最�jの�P入企業はAmazon.comで、2020�Qに新たに500万kWの契約を�Tび、2021�Q6月時点で世�c200カ所�咫�合��960万kWの再�擴��Ε┘優襯�ー発電所からデータセンターなどで使う電��を�P入している。この「コーポレートPPA（電���P入契約）」と�}ぶ仕組みは、新設発電所と10〜25�Q��度の契約を�Tぶのが�k般的だとしている。

Appleはスマートフォンの���]などに向け800万kWを再�擴��Ε┘優襯�ーに��えるための調達を�\やすとしている。�D引先にも再�擴��Ε┘優襯�ー�W��を求め、TSMCは20�Q、90万kWの洋�嵒���発電所と契約したという。20�QにはVerizonやAT&T、General Motorsなども導入したという。

�x場調�h会社のBloomberg NEFの調べでは、世�cのコーポレートPPAは2020�Qに発電�ξ�ベースで2360万kWと2015�Q比で5倍となった。2020�Qの再�擴��Ε┘優襯�ーの新設発電�ξ�は2億6000万kW�咾妊魁璽櫂譟璽�PPAはその1割に当たる。

9日の日経�噞新聞によると、住友電気工業は送電線��業の売�幢Yを11�Qで2倍の4000億��にするという�`�Yを掲げた。再�擴��Ε┘優襯�ーを都�x�陲鳳燭屬燭瓩猟衡{�`送電線の��要拡�jに�官�する。風��やソーラーの発電所は都�x�陲�ら�`れており、��に風��は洋�嵌�電が�\えている。100〜200億��をかけて新工場を建設するが、22�Q3月期には欧�Δ世韻�400億��分を�p�Rする見込みだという。国内でも��要�\がありそうだ。���Bは30�Qの電源構成で、再�擴��Ε┘優襯�ーの比率を現在の2割から36〜38%に引き�屬欧覦討鮨�している。

中国では小�櫃�EV��業を�}�Xける新会社を設立したと発表した。新会社「小���隣Z」（�隣Zは中国語で�O動�Zの�T味）には、今後10�Q間で100億ドルを投�@するとしている。3月に参入を発表して以来、10社余りの同業他社や数�下劼龍╋肇僉璽肇福爾��Bし合いをしてきたと10日の日経�噞は報じている。

EVにはシリコン半導��の�jきな��要が見込めるが、シリコンよりも絶縁電圧が10倍も高いSiCパワーMOSFETも少しずつ浸透している。最初はTesla Motorsのモデル3でSiCトランジスタが使われ始めたが、TeslaからスピンオフしてEVの高級�Zを�x場へ投入したLucid Motors社もSiCを搭載している。トヨタの�\料電池�Z「MIRAI」の新モデルにもデンソー��のSiCを採��している。Infineon TechnologiesはEVのインバータ向けSiCモジュールを5月に投入しており（参考�@料1）、7日の日経は「�f国の現代�O動�Zは次世代EVにインフィニオン��SiCの採��を��めた。消�J電��のロスを抑えた分、シリコンに 比べ�踉��{�`を5%以�嶐�ばせる」と報じている。

SiC MOSFETはシリコンのIGBTと比べて耐圧だけではなくスイッチング�]度も�]い。ドレイン�笋�P層を設けるIGBTは、電子と��孔という二つのキャリヤを使う分、電流容量を�Hく�Dれるが、オンからオフに変化する時に少数キャリヤの蓄積時間によってテールを引いてなかなかオフにならない。SiCはMOSFET構�]で�H数キャリヤしかを使わないためこの長い蓄積時間がない。

これまでSiCショットキーダイオードをメインにやってきたON SemiもSiCパワーMOSFETへの投�@を�\やす。SiC�T晶メーカーのGT Advanced Technologyを8月に�A収し、�T晶の�W定供給を確保した。今後、750〜1200Vの高耐圧��を狙い、GaNではなくSiCに�R��すると同社CEOのHassane El-Khoury��は述べている。

参考�@料
1. 「Infineon、EV向け��2世代のSiCパワーモジュールをサンプル出荷」、セミコンポータル (2021/05/28)