Infineon、EV羹け媽2坤洛のSiCパワ〖モジュ〖ルをサンプル叫操
パワ〖染瞥攣のトップメ〖カ〖、Infineon Technologiesがいよいよ極瓢賈羹けのSiCパワ〖モジュ〖ルやトランジスタの欄緩を塑呈步させる。それも1200Vへの灤炳だ。卵暗1200Vであれば、800V廢光排暗の排丹極瓢賈∈EV∷にも灤炳できる。EVのメインドライブとしてSiCへの袋略は泣塑メ〖カ〖も絡(luò)きいが、その塑呈瞥掐の箕袋を斧紛らっている。
EVのバッテリパックは、4Vのリチウムイオン排糜のセルを驢眶、木事誤に儡魯し300×400V鎳刨に競暗するクルマが驢い。メインインバ〖タが胺える排蝸を籠やして絡(luò)排蝸モ〖タ〖を額瓢するためだ。排暗∵排萎で瘋まる排蝸を懼げるために排萎を籠やすと芹俐が呂くなりクルマ極攣が腳くなってしまう。このため排暗を籠やして排蝸を懼げていく。排蝸が籠えるとモ〖タ〖を額瓢できる墻蝸が籠し、竅蝸を籠すことができる。このため排丹極瓢賈では賈尉腳翁を籠やさずに排蝸を籠やすことが滇められる。
哭1 SiCはエネルギ〖を猴負(fù)できる 叫諾¨Infineon Technologies
400Vから800Vへさらに競暗すれば、クルマの額瓢墻蝸は懼がり、墓調(diào)違を瘤乖できるようになる。エネルギ〖跟唯がさらに懼がることになり、バッテリの眶を負(fù)らし汾翁步できる。毋えば、クルマの答塑弄な久銳排蝸を100 Wh/kmとすると、パワ〖トレイン嬸尸は28 Wh/km、IGBT∈Isolated Gate Bipolar Transistor∷インバ〖タは16 Wh/km鎳刨となるが、SiCを蝗えばインバ〖タは6 Wh/kmに布がり、800V廢のSiCだと5 Wh/kmと布がり、SiCのメリットが叫てくる。このWh/kmという帽疤のWLTP淺銳は、光サイクルでクルマを瘤乖させるときのエネルギ〖を山しているという。800Vに競暗しSiCを蝗うことでインバ〖タのエネルギ〖跟唯を69%猴負(fù)したことになる。
排丹極瓢賈のトップメ〖カ〖Teslaからスピンオフし、EVの光甸賈を謄回すLucid Motorsは、すでに900VのクルマLucid Airを任卿している。1攙の郊排で瘤乖できる調(diào)違は800kmを畝える。インバ〖タにはSiCを何脫している。
哭2 媽2坤洛のSiCはモジュ〖ルからベアダイまで脫罷する 叫諾¨Infineon Technologies
Infineonのこれまでの媽1坤洛SiCデバイスが650V卵暗のトランジスタであり、3陵モ〖タ〖を額瓢するHybridPACKを鈣ぶモパワ〖染瞥攣ジュ〖ルを瀾墑として、票家は蝸を掐れてきた。しかし、SiのIGBTがトランジスタパッケ〖ジや、頑のシリコンベアダイでも瀾墑を丁惦してきたことから、媽2坤洛のSiCでは、パワ〖モジュ〖ルに裁え、トランジスタやベアダイでも灤炳する∈哭2∷。
ロ〖ムや話嫂排怠など泣塑廓もSiCでは砷けていない。トレンチ房のSiC MOSFETで坤腸をリ〖ドするような拉墻を刁げている。Infineonもトレンチ房のSiC MOSFETを倡券しているが、Infineonの潑墓は、チャネル鳥鉤はやや光いものの、慨完拉では砷けない、というものだ。トレンチ菇隴は僥數(shù)羹に排萎が萎れるため、燙姥を銅跟に蝗え、オン鳥鉤を布げることができる。ゲ〖ト煥步遂を泅くすれば拉墻は懼がるが、Infineonはゲ〖ト煥步遂をあえて泅くせず、しかもゲ〖トにかかるコ〖ナ〖での排腸動刨を煎めるためp+儡圭をトレンチの攆嬸尸に肋けている∈哭3∷。このガ〖ドリングのような菇隴を瞥掐することで排腸が煎まりゲ〖ト煥步遂を燼つけることがないため、慨完拉は光いとしている。
哭3 Infineonのトレンチ房SiC MOSFETはトレンチの攆にp+排腸此下霖を瞥掐し、撬蟬に動くした 叫諾¨Infineon Technologies
クルマは客炭を焊寶するハ〖ドウエアであるため、拉墻は腳妥だが、慨完拉はさらに腳妥だという雇えである。
海攙糠瀾墑としてリリ〖スした1200V/400 AのFS03MR12A6MA1Bフルブリッジのパワ〖モジュ〖ルは、スケ〖ラブルな瀾墑で、1スイッチあたり8チップ礁姥しているが、1200V/200AのFS05MR12A6MA1Bは1スイッチあたり4チップ礁姥しており、クルマの妥滇に炳じて瀾墑を聯(lián)べるようになっている∈哭4∷。
哭4 IGBTでこなれたパッケ〖ジにSiC MOSFETモジュ〖ルを肋紛 叫諾¨Infineon Technologies
このHybridPACKパッケ〖ジはIGBTに蝗われているものと票じモジュ〖ルのパッケ〖ジである。碰介、ハイブリッドカ〖のパワ〖モジュ〖ルとして蝗われたため、HybridPACKと鈣ばれていたが、SiC MOSFETを鏈燙何脫している。極瓢賈鏈攣では5%のエネルギ〖跟唯が光まるため、簿に1攙の郊排で400km瘤乖すると、調(diào)違は420kmに凱びることに陵碰する。
Infineonはモジュ〖ルのサンプルは叫操面でデ〖タシ〖トやアプリケ〖ションノ〖トも捏丁しているほか、オンラインのシミュレ〖ションツ〖ルを粗もなく捏丁し、ハ〖ドウエアの刪擦キットは海鉗の媽3煌染袋には捏丁する徒年である。
