EUVの実��化がこれまで遠かった最�j(lu┛)の原因は、光源の出��が弱く、長時間露光せざるをえなかった。このため、1時間当たりのウェーハ処理量(スループット)が��く、ArFエキシマレーザーを2度露光するダブルパターニング�\術の��(sh┫)がスループットは高く、EUVの出番はなかった。しかし、微細化が10nmを切るようになると、もはやArFレーザー露光でさえも3�vあるいは4�v露光してようやく1�vのマスクリソグラフィ工��になるなら、やはりスループットは落ちてしまう。EUVの光源�S長は13.5nmであるから、OPC(光学的�Z接����）などを�~使すればほぼ1�vの露光で済む。ようやくEUVの出番がやってきたといえそうだ。

今�v、ギガフォトンが開発したEUV光源は、発光効率4.0%で出��がこれまで最高の250Wを記�{した。ただし、この出��値はピーク値であるため、まだ�W定的に250Wを�u(p┴ng)ている�lではなさそうだが、出��を130Wに落とすと、連��119時間連��運転にも成功している。つまり、出��が130Wならもう実��化レベルに達したといえる。

今�vのピーク250Wの出��が�u(p┴ng)られたのは、これまでに培ってきた、直径20µm以下の微小なドロプレットの供給�\術や、�w��レーザーによるプリパルスとCO2レーザーによるメインパルスの組み合わせ、などの�\術(参考�@料1)を磨き�屬欧襪海箸巴�成した。これまで同様、NEDO（新エネルギー・�噞�\術開発機構）の�мqを�pけている。

参考�@料1に��すように、2�Q�iにセミコンポータルが報�Oした時は、ピーク値92Wで100Wにもう�k歩、という段階だったが、昨�Q2月にはピーク140W (参考�@料2) を発表した。今�vの250Wは��実に実��化レベルに歩んでいるといえそうだ。2�Q�i92Wのピーク値だったが、今や130Wの連���W定出��を達成したからだ。光源は唯�kのユーザーであるASML社で検証され、実��化へと進められていく。

半導���\術はもはや微細化だけではないことがはっきりしてから、IoT端��のセンサやアナログ、マイコン、パワーマネジメント、RF�v路など微細化がまだ��要ない�v路に向けたICの�x場も広がっている。IoTがその�kつだが、キヤノンは200mm以下のウェーハに向けた、KrFエキシマレーザーステッパ����「FPA-3030EX6」を発売した。アナログやセンサだけではなく、サファイアやSiC、ガラスなどSi以外のウェーハ基��の搬送にも�官�しているという。

キヤノンが発表したもう�kつの機�|は、FO-WLP(ファンアウト-ウェーハレベルパッケージング)向けに、反り返ったウェーハ�屬忘胴柔���の配線パッドを形成するのに使うリソグラフィ����「FPA-5520iV」。今後、FO-WLPパッケージの�屬縫瓮皀蠅�PoP（パッケージオンパッケージ）で�_ねる�\術がスマートフォンなどに使われようとしているが、このリソ����はFO-WLPそのものに使う。PoPパッケージを最終形��とする�lだから、1��のウェーハは極めて薄い。このため反りやすい。だからこそ、搬送システムと基��を載せるステージの吸����(sh┫)式を���C的に改良した。もちろん3D-ICのTSVやピラーバンプなどのリソグラフィにも使える。

7月6日の日経�噞新聞は、キヤノンの�]晶パネル露光����の�\術を�W���莟Rの反�o(j━)望遠��(d┣)の��(d┣)に使うという記��を掲載した。ハワイのマウナケア��に直径30mの開口�陲魴eつ望遠��(d┣)を設��するプロジェクトで、主��(d┣)492��の内キヤノンが1/3を担当する。凹�C��(d┣)の表�C凹��の誤差は1.5µm以下と極めてスムーズな�Cを加工する。キヤノンは�]晶の�j(lu┛)�C積リソ�\術のノウハウを?q┗)�かす�?/p>

参考�@料
1. EUVリソグラフィ光源、100Wが�o(j━)��内に (2014/07/01)
2. EUVリソが量��に向けシンポ、TSMCが1000��/日、ギガフォトン140W (2015/02/27)