半導��の企業�A収相次ぐ
8月20日、ドイツのInfineon Technologiesが�盜颪離僖錙屡焼����j�}International Rectifierを�A収すると発表、23日には��田��作所が、SOS/SOIを使ったRF半導��の�盜�Perigrine Semiconductorを�A収すると発表した。半導��メーカーの2�Pの�A収が相次いだ。Perigrineについて2010�Qにセミコンポータルで報�Oしている(参考�@料1)。
図1 パワー半導��の�x場シェア 出�Z：IHSおよびInfineon Technologies
InfineonはIRを1株当たり40ドル、総�Y30億ドルで�A収するという契約を締�Tしたと20日に発表。Infineonは、エネルギー効率、モビリティ、セキュリテイの��つを�Y語に掲げるIDM（�貭湘�合の半導��メーカー）。ここでモビリティとは主に�O動�Z��半導��を指している。エネルギー効率を改��する切り札として、パワー半導��が極めて�_要となる。パワー半導��の300mmのシリコンウェーハのラインを�eつ企業はInfineonだけ。IHSの調�hによると、現在の�x場シェアはInfineonが11.8%でトップ。ここにIR社を統合すると、���Q�屬�17.2%のダントツになる(図1)。
�k�気�IR社は、低耐圧のパワー半導��が�u�Tな�盜颪慮鼎と焼���メーカー。社�@のRectifierは�D流�_という�T味であり、文�C通りパワー半導��の�鬩Fである。HEXFETと�}ぶ、�e型のパワーMOSFETを開発、現在のパワーMOSFETの源流を創出した。40V〜150Vといった低電圧のMOSFETや600VのIGBTなどの����がある。
両社ともパワー半導��が�u�Tな企業であるが、Infineonは高電圧のパワー、IRは低電圧のパワーという違いがある。このため、今�vの�A収提案に�瓦靴�、相��的な関係という言��を使っている(図2)。シリコンのパワーMOSFETやIGBTだけではなく、化合�馮焼���に関しても同様な違いがある。GaNパワーMOSFETは、600Vまでの耐圧をカバーするのに�瓦靴�、SiCパワーMOSFETは1200Vまで可�Δ�。InfineonがSiCのJFET�\術を�eち、IRはGaN-on-Si�\術を�eつ。GaNはSiウェーハ�屬悩���できるというメリットがあるため、LEDを含め、GaN-on-Si�\術は、東��（Bridgelux社を�A収）やTransphormなどの企業が����化している。
図2 InfineonとIRのそれぞれの�咾漾―儘Z：Infineon Technologies
InfineonがIRを�A収できた暁には、低電圧から高電圧まで幅広い����ポートフォリオを�eち、SiCもGaNも両�気魴eつ、世�cシェアトップのパワー半導��企業になる。
もう�kつ�jきな�A収�Sである、��田��作所によるPerigrineの�A収における金�Yは4億7000万ドル。Perigrineは、SOSおよびSOIのCMOS�\術でRF��性を改��する半導��を���]するメーカー。スマートフォン向けの高周�Sトランシーバスイッチやパワーアンプなどを設��・���]している。バルクCMOSとは違い、絶縁���屬�Si�\術は、リニアリティに優れており混変調歪が少ないという��長がある。
高周�Sモジュール����を���]しているムラタは、以�iからPerigrine社のSOIフロントエンドチップを使っていた(参考�@料2)。今�vの�A収により、RF半導��のプロセス開発から半導��設��、�v路設��、モジュール設��まで�k棖靴審�発���Uが確立する、とムラタのニュースリリースは述べている。
�A収の発表により、Perigrineの株価は、ここ3ヵ月6~7ドルあたりを低迷していたが、22日には12.5ドルへと���峺�した。
参考�@料
1. 新��CMOS on SapphireのRFチップで携帯電�B�x場のGaAsを��き換えていく（2010/06/30）
2. �盜�Perigrine Semiconductor Corpの�A収�}��き開始の合�Tについて（2014/08/23）
