��Peregrine SemiconductorのRodd Novak��

Q1（セミコンポータル��集長）:　サファイヤ基���屬�CMOSデバイスを作ろうとされたのはなぜですか。
A1（ペリグリンセミコンダクタ　ロッド・ノバック��）:　当社がUltraCMOSと�}ぶ独�OのCMOS�\術は、携帯電�Bや基地局で使う高周�S（RF）のフロントエンド�\術をさらに高性�Α�低消�J電��を実現することがわかったからです。��にSOI基��を��いる場合、基��シリコンの高�B�^�霾�によってリニアリティが�Kくなり、その�T果混変調歪みが改��されません。SOS�\術はRF�v路ではSOIよりも性�Δ�高く、�科�なアイソレーション性�Δ��uられ、チューナの性�Δ魏���できます。�MたちはSOIの先を行くRF�\術がUltraCMOS�\術だと認識しています。

Q2:　CMOS/SOS�\術と�}ばないで、UltraCMOSと�}ぶのはなぜですか。
A2:　CMOS/SOSだと、昔の古い�\術というイメージがあります。しかも����は宇宙�豢�・������の耐放�o線デバイスとしてのイメージです。当社のデバイスは、これまでも����で6億個出荷してきており、これからも3G、LTEといった最先端の携帯電�Bやその基地局応��を狙うデバイスです。新しい�T味を込めてUltraCMOSと�@づけました。

Q3:　 ��来、GaAsで作られていたRFスイッチやパワーアンプの��き換えを狙っていますが、サファイヤ基��を使うとこれまでの����と比べて何が良いのでしょうか。
A3:　これまで当社はRF CMOSとして1μm、0.5μm、さらに0.35μmとアナログ�v路を微細化してきました。0.5μmから0.35μmへの微細化によって、チップ�C積の縮小とウェーハ当たりのチップ数すなわち収率は向�屬気擦襪汎瓜�に、RFスイッチとしての�U入��失を2/3に低��し、10倍のリニアリティ改��を果たしてきました。
今、0.35μmプロセスで比較すると、��来のGaAsスイッチの場合、GaAsチップとCMOSデコーダコントローラが��要でした。この2チップソリューションを1パッケージに収めようとすると、29カ所ワイヤーボンドが��要となり、パッケージ�C積は3.0mm×3.5mm��度になりました。これを0.35μmプロセスで1チップの設�����]すると、1.36mm×1.28mmと83%も削��され、17%と小さくなります。

Q4:　 このほどIBMと�\術提携しました。0.18μmプロセスで提携された理�y(t┓ng)は何でしょうか。
A4:　 さらに微細化するともっと性�Δ��屬�ります。0.18μmという微細化によって0.35μmデバイスと比べ�C積は半分になり、�U入��失も半��します。しかもリニアリティは100倍向�屬靴泙后Ｅ�社はサファイヤ基��のCMOSをプロセス出来るファウンドリをパートナーとしてやってきており、しかも6インチまでのサファイヤウェーハを�攵�に使ってきました。しかし、0.18μmでは8インチウェーハに�々圓靴討気蕕房�率を�屬欧燭い隼廚い泙后�0.35μmプロセスの6インチサファイヤ基��で9000個のチップが�Dれましたが、0.18μmで8インチウェーハだと3万個以�崙Dれます。
�k��(sh┫)のIBMはRF CMOSのSOIプロセスではリーダー格のファウンドリでした。IBMのSOIプロセスは改��されてきていましたが、SOSプロセスはできませんでした。少し�iからぺリグリンとIBMは�k緒にSOSプロセスを開発してきますと、性�Δ�格段に�屬�ることがわかりました。そこで、IBMも180nmのRFプロセスはSOSでやることにし、共同で開発することに至りました。����はもちろん�D�uしています。

Q5:　サファイヤ基��を使うとコストアップになりませんか。
A5:　サファイヤ基��を使うこれまでの0.35μmプロセスは歩�里泙蠅�高く、性�Δ��屬�るため、�T局は低コストにできます。�j量�攵�できるため、携帯電�Bでビデオを見られるように性�Δ��屬欧討眥礇灰好箸悩遒譴泙后�

Q6:　�x販のサファイヤ基��は白色LEDなどGaNデバイスの基��としてたくさん使われるようになりました。しかし8インチの�x販��は入�}できるのでしょうか。
A6:　サファイヤ基��を使った白色LEDは日本のメーカーやサムスン電子が使っていますし、TSMCもサファイヤ基��を使ってLEDを���]することを最�Z表��しました。サファイヤ基��はなじみやすくなってきています。価格はSOIウェーハ並みになってきています。6インチウェーハは�x販��が入�}可�Δ任垢�、当社は9社のサファイヤ基��を����認定しました。GaN白色ウェーハ���]のためにTSMCは今、2インチですが6インチ化へと動くでしょう。
しかし、8インチサファイヤ基��はまだ商��化されていません。そこで、当社はサファイヤ�T晶メーカー3社とパートナーを組み、中には出�@しながら開発しています。この3社は�@�iを��かせませんが、�盜顱�日本、ロシアのメーカーです。ロシアのウェーハは日本でポリッシュしているようです。

Q7:　 デバイスとしての��長は何ですか。
A7:　 これまで述べたような混変調歪みやリニアリティの高さに加え、最適な周�S数を��(li│n)�Iし、インピーダンス�D合のとれたRF�v路を提供できることも��長です。このためにDuNEと�}ぶデジタルチューニングキャパシタを開発しました。チューニング周�S数をキャパシタを使って合わせるわけです。これは31個のキャパシタを並べることで5ビットのデジタル信��(gu┤)（00000から11111まで）を作り出し、キャパシタ値（例えば100MHzで0.7〜7.0pF）を変えられるように設��しました。
アナログだけのチューナだと、インダクタも集積しなければなりませんが、インダクタはその�C積が�jきくなりすぎるため、トランシーバチップが�jきくなってしまいます。アナログとデジタルを組み合わせることで小さなチップが出来るという�lです。
キャパシタ値を��えることでチューニングさせる周�S数をリコンフィギュラブルに変えることができるため、マルチバンドのチューナに向くという�lです。2012�Qごろにはソフトウエア無線にも�官�できるようになります。
加えて、パワーアンプに使うことを考慮して、DC-DCコンバータをオンチップに搭載しています。これはパワーアンプの消�J電��を下げるため、電源電圧を�k定にせず、パワーアンプ出��の包絡線（envelope）をフィードバックし、電源電圧を変えていく��(sh┫)式をとっています。
RFスイッチでは1GHz、50WのRFパワーを切り��えるスイッチとしての混変調歪みは45dBmのRFパワーで-85dBcと小さく、ポート間のアイソレーションは90dBcと�科�な性�Δ任后�

図　不況の�Qでさえ成長したペリグリン社

Q8:　最後に、御社の業績を教えてください。
A8:　2009�Q度（1月〜12月）は�垉邵嚢發�7000万ドルの売�峭發任靴拭�2010�Qは1億ドルに到達しそうです。