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80nm未満IC、300mmウェーハのn働率はさほど(f┫)少しなかったSICASの統

今vのSICAS(世c半導攵キャパシティ統)のデータから見えてくるものは、攵ξと実投入数とのj(lu┛)きなかい`、すなわちn働率の(f┫)少である。2008Q4四半期と2009Q1四半期の落ち込みはしく、半導合でそれぞれ68.4%、55.6%と(f┫)少した。昨Qの2四半期まではn働率は90%i後で推,靴討い燭、3四半期に(f┫)少し、ivその向を指~した。

半導合


この2期連でさらにひどい落ち込みを(j┤)した。これは、攵ξが3四半期に242.7万/週から4四半期に238.56万/週へと1.7%しか下がらなかったが、実投入数が3四半期の211.03万/週から22.7%も(f┫)少して4四半期には163.1万/週にまで落ち、4四半期には攵ξの8.4%(f┫)に瓦靴銅妥蠧数は25.5%(f┫)の121.51万/週へと落ちたためである。

n働率の落ち込みをもう少し詳細に見てみると、MOSのデザインルールが0.7μm以屬世班n働率は46%、0.4〜0.7μmでは36%、0.3~0.4μmでは37.2%、0.2〜0.3μmでは47.7%、0.16~0.2μmでは39.1%、0.12~0.16μmでは44.6%とだいたい40~50%度であるのに瓦靴、0.08~0.12μmでは68.4%、0.08μm未満では69.9%と70%弱まで屬っている。すなわち最先端の微細なMOSICはn働率は70%弱にとどまっているが、微細ではないICのn働率が40~50%に落ちている。


MOS0.12μm以0.16μm未満

MOS0.08μm未満


同様な向がウェーハサイズにも見られる。8インチ未満のウェーハのn働率は09Q1四半期では33.7%、8インチウェーハでは44%だが、12インチ(300mm)ウェーハでは72.8%とj(lu┛)口径化と共にn働率も屬っていく。


MOSにめる8インチウェーハ

MOSにめる12インチウェーハ


これらのことから、最先端のウェーハほどn働率は70%度に里泙、古い設△攵できるウェーハのn働率は40%度まで下がる、ということがいえる。このT果、平均では55.6%の(f┫)少というT果に落ちいている。


(2009/05/25 セミコンポータル集室)

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