SICASの3QにおけるMOS ICの�攵��ξ�･実投入数から見える�n働率の��(f┫)少
SICAS（世�c半導���攵�キャパシティ統��）が発表した2008�Q��3四半期（7~9月）のMOS ICの�攵��ξ�は、214万��/週、実投入��数は187万��/週となり、ウェーハプロセス�n働率は87.5%になった。�i四半期は89.5%、その�iの��1四半期は90.7%であったことから、�n働率は����に低下したことがわかる。��にブレーキがかかった�X��に�瑤討い�。
ミクロン別のMOS実投入��数を見ると、80nm未満のプロセスウェーハは順調に�\えており、その�n働率は95.2%と落ちていないが、プロセスサイズが�j(lu┛)きくなるにつれ落ちている。80~120nmプロセスは88.1%、120~160nmプロセス85.6%、160~200nmプロセス83.1%、0.2~0.3μmは79%、0.3~0.4μmは75.6%、0.4~0.7μmは74.4%、0.7μm以��74.1%と�n働率は下がってくる。すなわち、ウェーハ投入��数は微細化すればするほど効率よく�攵�されており、微細化しないウェーハは�攵�されていないことを�餮譴襦�
これをウェーハ径別に見てみると12インチ(300mm)ウェーハ�攵��ξ�は8インチ換�Qで順調に�Pびているが、8インチウェーハや8インチ未満のウェーハの�攵捓量を絞りつつある。�n働率を���Qすると、��3四半期における12インチウェーハプロセスの�n働率は96.5%、8インチウェーハプロセスは84.3%だが、8インチ未満のウェーハプロセスは64.3%と次��に落ちてくる。すなわち5インチ、6インチウェーハの�攵��ξ�は余っているが12インチウェーハの�攵��ξ�は�Bりないことを表している。工場�笋呂發舛蹐�、口径の小さいウェーハの実投入数を絞り込んでいることが図から�k�`�y��で読み�Dれる。300mmへのシフトが��きていることを�餮譴辰討い襦�
ウェーハ�攵��ξ�はやや微�\で�\やしてきていたが、実投入数がアタマ�]ちあるいは��3四半期になって��(f┫)少という����を迎えたことは、早めにブレーキを踏んだと考えてよいだろう。
