Samsungファウンドリ、3nm翁緩倡幌を22鉗漣染、2nmは25鉗稿染と給山
躥柜Samsungのファウンドリ嬸嚏が3nmプロセスでGAA∈Gate All Around∷菇隴のMOSFETを答塑トランジスタとして蝗うプロセスを2022鉗懼染袋までに捏丁すると券山した。TSMCの答塑ロ〖ドマップ、さらにIntelも20Åプロセスを券山したのに魯き、覓ればせながらSamsungも紛茶を券山した。
2nm=20Åという墓さを據魔するプロセスだが、悸狠の墓さ潰恕が2nmであるという條では瘋してない。ゲ〖ト墓は10眶nmで賄まっている。稱家とも7nm笆布くらいから悸狠の潰恕とは絡きくかけ違れたサイズを、まるでデザインル〖ルのように蝗っているが、PPA∈Performance, Power, Area∷回篩から另圭弄に漣渴したプロセスという山附で蝗っているものだ。
さて、3nmプロセスではGAA菇隴のMOSFETを蝗う條だが、FinFETはドレイン排暗が答饒に弓がる鄂順霖を3數羹から娃え哈む禱窖で、それによってリ〖ク排萎を負す。GAAは答饒に陵碰する嬸尸を4數羹から窗鏈に甚じ哈めて鄂順霖の弓がりを娃えてしまう禱窖であるため、オフ覺輪のリ〖ク排萎を窗鏈に娃えることができる。ただし、欄緩懼は豈しそうだ。
Samsungは、2018鉗にファウンドリ嬸嚏をメモリ嬸嚏から窗鏈に磊り違したことを澎疊で倡號したイベントで湯らかにし、3nmプロセスからGAAトランジスタを蝗うことを湯咐していた∈徊雇獲瘟1∷。海攙のスケジュ〖ルは、媽5攙Annual Samsung Foundry Forum 2021で券山されたものだが∈徊雇獲瘟2∷、スケジュ〖ルを券山しただけにとどまったようだ。2022鉗懼染袋までに3nmプロセスの翁緩を倡幌し、2023鉗には媽2坤洛の3nmプロセス、さらに2025鉗布染袋には2nmの翁緩を幌めるというだけで、勢柜における呵糠のファウンドリ供眷については部も卡れなかったというメディアが剩眶ある。
3nmプロセスは、驕丸の5nmプロセスと孺べて、チップ燙姥は35%負警し、拉墻は30%羹懼、久銳排蝸は50%猴負すると揭べただけにとどまっている。さらに、ファウンドリの欄緩墻蝸をこれから懼げていく、と揭べているが、惡攣弄な眷疥や箕袋、憚滔などについては辦磊湯らかにしていない。ファウンドリプロセスは海まで、躥柜供眷を面看に動步してきたが、呵介のファウンドリ供眷は勢テキサス劍オ〖スチンにある。この勢柜供眷に裁えて、勢柜にさらなる糠供眷氟肋のうわさがあるが、奪いうちに湯らかにする、と票家ファウンドリ禍度嬸嚏のプレジデント敷ヘッドのSiyoung Choi會∈哭1∷は胳っている。
哭1 Samsungファウンドリ嬸嚏トップのSiyoung Choi會 叫諾¨バ〖チャルイベントSFF 2021のスクリ〖ンショットから
ただ、4nmプロセスは貸に翁緩にあると揭べ、EUV∈Extreme Ultra Violet∷リソグラフィも7nmプロセスから蝗っていることを湯らかにした。さらに5nm/4nmプロセスを極瓢賈脫にも何脫していく、とChoi會は揭べている。
また、貸賂プロセスでも、毋えば17nmや8nmプロセスなどの瞥掐でファウンドリの聯買昏を籠やしていくという。驕丸のプロセスで毋えばRF∈光件僑∷攙烯では腮嘿步しても拉墻が皖ちていたが、8nmよりも腮嘿步しても拉墻が皖ちない禱窖を倡券面だとしている。驕丸はゲ〖ト鳥鉤の逼讀が附れ拉墻が皖ちていたため、ゲ〖ト鳥鉤を負らす亨瘟か芹俐攙烯で供勺している材墻拉がある。
徊雇獲瘟
1. ≈ファウンドリ2家が喇墓里維を胳る×Samsung試∽、セミコンポ〖タル∈2019/09/14∷
2. "Samsung Foundry Innovations Power the Future of Big Data, AI/ML and Smart, Connected Devices", Samsung Newsroom (2021/10/07)
