Qualcommの禱窖勒扦莢、プロセス禱窖を絡いに胳る∈稿試∷
ファブレス染瞥攣坤腸トップのQualcomm家の禱窖勒扦莢であるGeoffrey Yeap會が胳るプロセス禱窖について、Semiconductor Engineeringからの溯條淡禍を漣試(徊雇獲瘟1)に魯き非很する。稿試ではfinFET、Intelのファウンドリ、2.5D/3D ICについて胳っている。
Semiconductor Engineering∈SE∷¨ファウンドリにおけるfinFET倡券の渴慕覺斗に塔顱していますか々
Yeap會¨はい、媽2坤洛のfinFETを倡券しているエンジニアもいます。媽1坤洛のfinFETを海、倡券しているとすれば、1坤洛覓れていることになります。だから、そのギャップを雖めなければなりません。とはいえファウンドリは、それを雖めつつあります。
SE¨TSMCはQualcommの呵介のfinFETパ〖トナ〖となりますか々finFET倡券をファウンドリの1家あるいは眶家と辦斤に渴めていますか々
Yeap會¨それにはお批えできません。TSMCは呵絡のファウンドリですし、SamsungなどのファウンドリもfinFETを倡券面です。
SE¨Intelはファウンドリビジネスを橙絡する紛茶を呵奪券山しました。QualcommはIntelのファウンドリサ〖ビスを蝗おうと蛔っていますか々
Yeap會¨Intelの呵奪のアナリストミ〖ティングを且斧しました。IntelのCEOは、攻炊が積てます。どの措度にもオ〖プンに廈をしたいと咐っています。諱の批えも擊たようなものです。ユ〖ザ〖が司むなら、もちろん澄千し、チェックし孺秤します。ご賂夢のように、テクノロジ〖は(チェックすべき)辦つのことにすぎません。ファウンドリビジネスは、テクノロジ〖と瀾隴と欄緩墻蝸の話つから叫丸ています。1塑滌のテ〖ブルを蝗わないのと票屯に、もっといろいろな妥燎が澀妥です。もちろん、擦呈もその辦つです。
SE¨Intelはファウンドリビジネスでは、肩にFPGAメ〖カ〖にサ〖ビスします。これは絡翁欄緩のファウンドリモデルとは般うと蛔います。
Yeap會¨その奶りです。∈絡緘ファウンドリは∷FPGAメ〖カ〖羹けに腆1000綏/煌染袋、欄緩していますが、世家やBroadcom、Nvidiaなど羹けには部籬綏/煌染袋という四絡な翁を欄緩します。
SE¨Intelは部鉗も啡掠排廈ビジネスに徊掐しようとしてきました。この尸填ではQualcommなどと頂圭します。しかし、Intelがモバイル尸填で喇根するかどうかはまだはっきりしていません。いかがですか々
Yeap會¨IntelはPCマ〖ケットからこちら(モバイル)へやってきました。Intelチップは、拉墻が卻凡ですが、久銳排蝸を咯いすぎます。このため、(久銳排蝸を)布げようとしています。Intelはスマ〖トフォンではなくタブレットに廟蝸しています。デスクトップからラップトップ、さらに你久銳排蝸ラップトップへと丸て、タブレットそのあとスマホへとやってくるように斧えます。かつて、いくつかの瀾墑レベルを若び臂えて布疤に羹かってきましたが、喇根しませんでした。
SE¨プロセス禱窖に廈を提しますと、バックエンドプロセス∈BEOL∷が豈しくなると揭べられましたが、そうですか々
Yeap會¨これは絡啼瑪です。コストの籠裁を雇えると、鏈てBEOLから幌まります。ここで咐うBEOLとは芹俐供鎳です。毋えば、20nmではコストはドラスチックに籠裁します。これはロ〖カル芹俐に陵碰するMOL∈middle of the line∷という糠しいモジュ〖ルが納裁されるからです。20nmでは、この供鎳のためにマスクが5綏も籠えてしまうのです。10nmに腮嘿步しようとすると、マスク眶は擒になります。どのマスクでも呵黎眉のリソグラフィ劉彌、つまり閉炕を蝗います。だから、バックエンドプロセスは、リソとレジスト、亨瘟など鏈てを蝗います。
SE¨リソグラフィに簇しては、EUVなどの聯買昏が覓れています。經丸に畔っても閉炕の193nmリソが魯くと蛔いますか々
Yeap會¨まず、聯買昏はありません。極甘臘圭房のダブルパタ〖ニングと鈣ばれる剩眶攙のパタ〖ニング禱窖もあります。このアプロ〖チは庭れているように斧えます。NANDのエンジニアは、すでにこの禱窖を蝗っています。蓋銅のノウハウがあるのでしょう。もちろん、ロジックでは、カスタマイズする澀妥があります。さらに腮嘿步を渴めるなら、みんなこの禱窖に袋略するでしょう。
SE¨2.5D/3Dの姥霖チップについてはどのように雇えますか々
Yeap會¨これは改客弄な罷斧ですが、染瞥攣緩度をうまく攙すのにいろいろな毖夢があります。フリップチップはいつ券湯されたと蛔いますか々そしていつ蝗われたと蛔いますか々啡掠尸填でのこの禱窖はどうでしょうか々絡恃墓い箕粗がかかっています。IBMがそれを券湯したのは1960鉗洛でした。1970鉗洛か驢尸1980鉗洛に蝗われ幌めています。このような禱窖の驢くは、禱窖を減け掐れる瀾墑や輝眷が瘋まった稿に蝗われていくでしょう。啡掠眉瑣の拉墻回眶 (figure of merit)は、撅にコストと、PPA∈艱評付擦芹尸∷、肋紛です。3D TSVは、儡魯だけの禱窖であり、トランジスタを井さくすることではありません。3D TSVができることは排蝸を負らすことで、これは潤撅に腳妥です。しかし、燙姥の教井を雇えるのなら、3D TSVは努していません。コストはいまだに光擦です。だからこそ、もっと紊い豺瘋忽があるはずです。それが2.5Dあるいは你コストのインタ〖ポ〖ザという聯買昏かどうかはわかりません。ファンアウト房WLP∈ウェ〖ハレベルパッケ〖ジ∷かもしれません。こういったオプションは3D TSVよりも塑劑弄に奧擦です。
SE¨シリコンベ〖スのfinFETの肌の禱窖をどう雇えていますか々
Yeap會¨碰家もそれをウォッチしています。呵奪SEMATECHとIMECのメンバ〖になりました。∈尉家に徊裁して∷、いろいろな禱窖の渴殊が斧えるようになりました。finFETは10nmまでスケ〖ルダウンできます。しかし、その稿は部か戮の禱窖、おそらくIII-V步圭濕染瞥攣のfinFET、などを瞥掐しなければなりません。しかし、風促の警ないIII-V步圭濕とシリコンを礁姥することは豈しいです。2013鉗12奉のIEDMでは、グラフェンのセッションがありました。怪遍莢は端めて湯澄に、グラフェンはある怠墻を蔡たすことができると揭べました。しかし、シリコン禱窖の彌き垂えに灤しては痰妄、と咐いました。とはいえ、海からそう咐い磊ることは箕袋景玲でしょう。
徊雇獲瘟
1. Qualcommの禱窖勒扦莢、プロセス禱窖を絡いに胳る∈漣試∷ (2014/02/05)
