Qualcommの禱窖勒扦莢、プロセス禱窖を絡いに胳る∈漣試∷
Qualcommの禱窖么碰バイスプレジデントであるGeoffrey Yeap會が28nmプロセス、finFET、ファウンドリビジネスにおけるIntelの疤彌づけ、2.5D/3D IC禱窖の經丸について絡いに胳った。セミコンポ〖タルの捏啡メディアSemiconductor Engineeringは、Yeap會とのインタビュ〖を帕えた。
Semiconductor Engineering∈SE∷¨28nmロジックノ〖ドではパラダイムシフトが彈きていると咐われました。モバイルチップがコンピュ〖タチップに黎額けてファウンドリで腮嘿步プロセスを惟ち懼げた介めてのプロセスノ〖ドだからです。28nmは墓く魯くノ〖ドだと蛔いますか々
Yeap會¨はい。ちょっとコストを雇えてみましょう。28nmLPプロセスが攻毋ですが、バンプ碰たりのプロセスコストが你いため、チップコストが呵も你くなっています。28nmでは聯買昏は2×3あります。呵絡1.9GHzの瓢侯が材墻なPoly/SiONプロセスが、附哼は蝗えます。海から3鉗粗は、你コストのモバイルSoC輝眷では2GHz笆懼が澀妥になるかもしれません。Poly/SiONはこの拉墻を悸附します。と票箕に、HPM∈光拉墻モバイル∷プロセスも蝗えます。HPMプロセスは28nmノ〖ドにおいて肌の肩妥禱窖となるかもしれません。CPUの甲們件僑眶の妥滇にもよりますが。
SE¨28nmノ〖ドではポリシリコンプロセスからハイK/メタルゲ〖トプロセスへ敗ると蛔いますか々
Yeap會¨粗般いなくそうなります。海、ハイKプロセスはハイエンド羹けです。Galaxy Note 3を斧ればわかります。これはSamsungのGalaxy Gearウォッチと辦斤に蝗うスマホです。Galaxy Note 3ではハイK/メタルゲ〖トプロセスが蝗われ、2.3GHzで瓢侯します。裁えて、碰家は呵奪Snapdragon 805を券山したばかりです。このチップも28nmハイK/メタルゲ〖トを蝗っています。このチップは、驕丸よりも光拉墻のグラフィックス怠墻を烹很し呵絡2.5GHzで瓢きます。
SE¨20nmのプレ〖ナノ〖ドでは茹冉弄な罷斧もあります。20nmプレ〖ナ禱窖が驕丸のトランジスタ1改碰たりのコスト猴負カ〖ブを拜積できるかどうか湯澄ではないと咐います。20nmをどう蛔いますか々
Yeap會¨碰家は20nmの瀾墑を辦つすでに券山しています。媽4坤洛のLTEモデムチップです。20nmを蝗えばチップコストの猴負は拜積されます。65nmあるいは28nmLPプロセスのようなもっと紊いノ〖ドとは般って、玲く你コストを茫喇できないかもしれません。しかし、20nmはコスト猴負のクロスポイントがあるはずです。2014鉗にこの瀾墑を惟ち懼げようと雇えています。
SE¨ご賂夢のように、ファウンドリはfinFETを倡券面です。ファウンドリにおける呵介のfinFETは、20nmのバックエンドプロセス(芹俐供鎳)を蝗った14nmクラスのfinFET禱窖をベ〖スにします。ファウンドリで、20nmプレ〖ナと16/14nmfinFET禱窖をどのように孺べればよいでしょうか々
Yeap會¨finFETは、拉墻と久銳排蝸において拔絡な禱窖です。コストはわずか籠裁するでしょうが、辦峰笆柒にとどまるでしょう。しかし、16/14nmfinFETと票屯に20nmを斧ても、悸狠には票じノ〖ドといえるでしょう。トランジスタだけの恃構だからです。啼瑪を詞帽にして雇えてみましょう。
SE¨QualcommがfinFETに敗乖するのはいつ孩を徒年していますか々
Yeap會¨碰家もそこに羹かって瓢いています。すでに20nmのモデムチップを侯りました。いつごろfinFETになるか鱗嚨できるでしょう。辦つのノ〖ドの坤洛は2鉗あります。しかし、20nmプレ〖ナから16nmfinFETは悸狠のノ〖ドの坤洛ではありません。バックエンドプロセスが恃わらないからです。トランジスタだけの恃步です。だからfinFETが瞥掐されるのに2鉗もかからないでしょう。蛔っているよりは玲いです。
SE¨Intelは14nmで媽2坤洛のfinFET禱窖を倡券しています。ファウンドリ措度とは般い、Intelの14nmfinFET禱窖は、14nmのバックエンドプロセスを燃うでしょう。チップ燙姥のスケ〖リングにおいて、このことはIntelのメリットになるでしょうか々
Yeap會¨Intelはウェ〖ハコストが籠絡していることを券山しました。しかし、14nmでは、これまでIntelが茫喇してきた燙姥スケ〖リングよりもずっと腮嘿な燙姥になる、とIntelは咐っています。だから答塑弄にウェ〖ハコストがたとえ玲く懼競するとしても、燙姥はそれよりもずっと玲く井さく腮嘿步できると咐っています。これは絡恃督蹋考いことです。
SE¨ファウンドリが14nm甸のfinFETと20nmのバックエンドプロセスを倡券するというアプロ〖チは賴しいでしょうか々
Yeap會¨もちろん、IntelはfinFET禱窖を夢り吭くしていると斧なければなりません。票家はfinFETのリ〖ダ〖です。度腸で咐われていることですが、部か糠しいことに敗乖する眷圭にはリスクを燃います。バックエンドの芹俐供鎳も崔めるとリスクが裁わります。こういった的俠に答づくとIntelのやり數は腑い數恕でしょう。しかし、容年弄な燙を咐えば、finFETを14nm甸にするわけですから、チップ燙姥の絡升な負警を袋略するでしょう。ところが、40×50%のチップ燙姥を教井できるノ〖ドではありません。辦數、finFETトランジスタは拉墻が懼がることが袋略できます。すなわち、拉墻がある鎳刨懼がり、チップも井さくはなりますが、5%鎳刨でしょう。驕丸のプロセスノ〖ドと孺べると、チップ燙姥の負警はわずかでしょう。
SE¨辦數で、ファウンドリにとっては呵介のfinFET禱窖倡券ではリスクは警なかったのです。塑碰ですか々
Yeap會¨はい。バックエンドの芹俐供鎳でチップを井さくします。バックエンドの腮嘿步が燙姥の教井になります。こちらをもっと夸渴すべきでしょう。だから、たくさんの燙球いデ〖タを斧ておく澀妥があるのです。トレ〖ドオフの簇犯も斧る澀妥があります。腮嘿にしないことが紊いことでしょうか々コストの籠裁廬刨を娃えられますか々エンジニアはコストを娃えるために倡券しています。finFETへの敗乖は悸狠には、28nmでの惟ち懼げ箕と擊たようなことになるでしょう。Poly/SiONを蝗う28nmLPプロセスがファウンドリで呵介に惟ち懼がりました。そのあと、モバイル羹けにハイK/メタルゲ〖トの28nmHPMプロセスが惟ち懼がりました。海も票じようなスタ〖ト孟爬にいますので、これから渴步が幌まります。トランジスタから猖簾が幌まり、肌にバックエンドへと渴みます。
(2014/02/05)
