糠燎亨グラフェンを脫いたトランジスタに袋略
グラフェン∈Graphene∷と疚する糠亨瘟の炳脫甫墊が錢を掠びて丸た。その嘆は煤燎燎亨のグラファイトに統丸し胳薩のeneは企腳馮圭を罷蹋する。グラフェンはゲルマニウムやシリコンと票じ件袋圍山の煌虜である煤燎のみで菇喇されるが、ダイヤモンドとは絡きく佰なり3肌傅馮窘攣ではない。
その菇隴及はベンゼン茨から叫丸ている。ベンゼン茨は、よく夢られているが6つの煤燎付灰から喇り煤燎—煤燎の鼎銅馮圭は辦つおきに企腳馮圭であり、すなわち辦つおきに辦腳馮圭になっている。そのベンゼン茨を2肌傅士燙に馮圭させて弓げて鷗倡するとグラフェンになる。グラフェンはモノレイヤ〖である、簍ち煤燎付灰辦霖のみの泅いシ〖トである。したがってグラフェンは2肌傅付灰馮窘などと咐われることもある。その灤疚拉は絡きいので奧年な泅遂であろうことが鱗年される。緊矢弗ではその更さが0.38nm、かつ付灰粗調違は、0.142nmとされ、シリコンなどと孺べても付灰粗調違の猛は井さく逄泰な燎亨であることが鱗年される。
グラフェンのバンドギャップはほぼ霧とされる。したがってその排丹帕瞥は垛擄に奪いモ〖ドである。排萎を笨ぶ排灰の敗瓢刨は睹くほど絡きく15,000cm2/Vsほどもあり妄俠弄な馮蔡と譚解しないことが鼠桂(徊雇獲瘟1)されている。辦數で畝LSIに驢脫されるシリコンは排灰が1500 cm2/Vs、賴功が600 cm2/Vsである。睹くべきはP房グラフェンでは賴功の敗瓢刨も票屯に光く15,000 cm2/Vsである。このためデバイスが侯られればその光廬拉が袋略される。
光帕瞥唯が潑魔のグラフェンはLSIの芹俐亨瘟として努拉がある材墻拉があると僧莢は蛔う。もちろん、泅遂のままでは更さが稍顱していて排萎を萎す們燙姥が絡きくならないため姥霖步することが澀妥になるのだが。敗瓢刨が光いゆえに排灰が付灰と咀仆する禍が警ないためエレクトロマイグレ〖ションが警ないと雇えられる。逄泰な潑魔も卵マイグレ〖ションを光めるだろう。さらにグラフェンの眷圭、萍はもちろん、朵をも畝える光帕瞥刨ゆえに孺秤弄泅い芹俐亨瘟に蝗えるだろう。LSI芹俐は泅ければ檬汗が井さく攻旁圭だ。
附哼アクティブマトリックスLCDには譬湯排端としてITOが蝗われている。ITOはインジウムと尖の煥步濕であるが譬湯で光い排丹帕瞥拉を瘦銅する。ただしITOの豈爬はインジウムがレアア〖スであって叉が柜では緩叫しない。もとよりレアと咐われ、坤腸でも緩叫が警ない。レアア〖スはある柜では緩叫するが里維弄に廷叫敦賄をしていて、辦忍俠だが、叉が柜が掐緘するのは推白ではない。しかし、グラフェンにはその啼瑪がない。
譬湯拉が光くないグラフェンだが、光い帕瞥刨ゆえに泅いまま蝗えれば材墻拉が叫て丸るかも夢れない。サムスンは嘆倦絡の扔噴饋盟兜鑒と息嘆で130μm更のグラフェンのシ〖ト∈徊雇獲瘟2∷を侯って券山した。シ〖トに排端亨を磅湖して磊們しタッチパネルを侯った。各譬冊唯は97.4%に茫している。侍に侯った4霖の姥霖フィルムは各譬冊唯がおよそ90%であった。この猛はITOを臂えていると、鼠桂莢らは肩磨している。シ〖ト鳥鉤猛も帽疤們燙姥30Ωが評られた。
毖柜マンチェスタ〖絡池の甫墊技では呵井サイズのトランジスタ(徊雇獲瘟3)をグラフェンで悸附しようとしている。サイズは尸灰事みとしている。奪鉗ム〖アの恕摟からの歇違も斧られシリコンデバイスのサイズを負らす豈しさが歡斧されるようになって丸たのは件夢の禍悸だ。グラフェンの霖は帽辦煤燎付灰遂で泅い。給山の慌數が躬みでよく豺らないが揉らの謄回すトランジスタは更さが辦付灰霖で墓さがグラフェン企肌傅馮窘で10付灰鎳刨を謄回している。ここでぶつかる豈簇は、懼揭のようにグラフェンのバンドギャップがゼロである禍悸だ。バンドギャップがゼロでは垛擄なので染瞥攣ではない。どうしたら豺瘋するか々啼瑪の豺瘋を謄回してマンチェスタ〖絡池の甫墊技ではグラフェンを苞っ磨った、簍ち苞磨炳蝸を裁えて斧た。馮蔡バンドギャップはゼロから銅嘎な猛に恃わった、としている。これによって彩池莢らは呵井サイズのトランジスタがグラフェンで悸附すると袋略している。
少晃奶甫墊疥は候鉗11奉27泣のプレス券山で≈絡答饒鏈燙にグラフェントランジスタを你補で木儡妨喇する禱窖を倡券∽したと券山した。妥惠は、肌坤洛トランジスタの亨瘟として袋略されるグラフェンを、辦忍弄な染瞥攣瀾隴プロセスであるCVD恕を脫いて冷憋答饒懼に你補で木儡妨喇する禱窖を倡券し、絡答饒の鏈燙にトランジスタを妨喇することに坤腸で介めて喇根した。倡券した糠禱窖により、絡答饒の鏈燙にグラフェントランジスタを妨喇することが材墻になり、妨喇したトップゲ〖トˇトランジスタのドレイン排萎のゲ〖ト排暗巴賂拉はグラフェンに潑魔弄な尉端潑拉を評た、というものであった。
そして、IBMはグラフェン遂で光廬で瓢侯するトランジスタを侯瀾し、そのデモ悸賦の馮蔡を鼠じた。IBMの數恕はSiCのウェ〖ハを蝗ったことに潑魔がある。惡攣弄には入泰のようだが、錢尸豺によってSiCの山霖のシリコンを近殿し山霖には煤燎だけを荒す。荒ったカ〖ボンはSiCウェ〖ハ懼でグラフェンになるのだ。侯ったトランジスタはMIS房排腸跟蔡トランジスタであり垛擄のトップゲ〖トの布にはポリマ〖統丸の光投排唯冷憋遂を芹灑した。ゲ〖ト墓は240nmとそれほど腮嘿ではない。シリコンの眷圭240nm墓のゲ〖トでは甲們件僑眶40GHz鎳刨がトップデ〖タだが、介袋のグラフェントランジスタでも票屯な猛が評られた。彩池莢らは呵努步をすることでグラフェントランジスタは呵糠の鼠桂では儈に100GHzの喇蔡(徊雇獲瘟4)を評ている。
グラフェンはバンドギャップゼロなので垛擄帕瞥潑拉をもつためマンチェスタ〖絡池では鵝汐している。辦數、少晃奶やIBMはその豈啼を豺瘋しているような丹がする。
坤腸でグラフェンの悸脫步を頂い幌めている。泣塑が砷けるわけには乖かない。
徊雇獲瘟¨
1. Akin Akturk, et. al., J. Appl. Phys. 103, 053702 (2008)
2. http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20100622/183669/
3. http://www.manchester.ac.uk/aboutus/news/display/?id=3529
4. http://www.newscom.com/cgi-bin/prnh/20100205/NY50316
