最先端の�k桁ナノメートルプロセス�\術を巡る連携、�t望
半導��最先端の微細化が7nm、5nmと、�k桁ナノメートルへのアプローチが行われている�k��(sh┫)、Moore�Г慮堕c、はたまた終わりが�Dり沙�Xされて半導��ロードマップもデバイス�k辺倒からデバイスとシステムを合わせ分野ごとに�Wいていく新たな�Dり組みが始まろうとしている。この飛躍、転換の局�Cのもと、�例のSEMICON West(2016�Q7月12日~14日:San Francisco)が開�され、���・材料など半導�����]分野の最先端が披露されるのに合わせるかのように、�k桁ナノメートルプロセス�\術を巡る連携、�t望がグローバルに��(sh┫)々�]ち�屬欧蕕譴討い襦�
≪相次ぐ�Dり組みの�]ち�屬旺�
プロセッサintellectual property(IP)のARMが、7-nm以�Tの半導��プロセスノードに向けての設�を�`指すnanoelectroicsリサーチ機関、IMEC(ベルギー)のINSITE collaborativeリサーチプログラムへの参加を発表している。今後の��(sh┫)向性に�R�`である。
◇IMEC, ARM Collaborate on 7nm Design (7月11日��� EE Times)
→プロセッサintellectual property(IP) licensor、ARM Holdings plc(Cambridge, England)が、nanoelectroicsリサーチ機関、IMEC(Leuven, Belgium)での設�についてのINSITE collaborativeリサーチプログラム参加に調印の旨。該INSITEプログラムは2009�Qにスタート、現在10社以�屬�臆叩�7-nm以�Tの半導��プロセスノードに向けての設�可�Σ修膨_点を�いている旨。
◇ARM joins Imec programme for sub-7nm processes-ARM, imec to collaborate on sub-7nm chip design (7月11日��� Electronics Weekly (U.K.))
→ARMが、7-nm以�Tのfeaturesを擁する半導��開発の�Dり組みでimecに加わっていく旨。「先端プロセスノードは性�Δ�茲啗﨓┐魄悊団イ�屬把_要であり、imecとのコラボで消�J�vが期待できるものの境�cが先に押される。」とARMのCEO、Simon Segars���
◇Imec, ARM to work on 7nm and beyond (7月11日��� New Electronics)
→ARMが、imecのINSITEプログラムに参加、7-nm以�Tからのプロセスノードの電�、性�Α�C積およびコストに�瓦垢�v路設�およびシステムレベルアーキテクチャーのインパクトへの�官�妨�韻導栽�箸涼罎��動する旨。
◇ARM joins Imec program for 7nm technology and beyond (7月13日��� DIGITIMES)
IMECはまた、Synopsysとコラボ、7-nmノード以�Tに向けたinterconnect resistivityモデルを発表している。
◇Imec and Synopsys collaborate on interconnect resistivity model (7月11日��� ELECTROIQ)
→imecおよびSynopsys社が、7-nmノード以�Tでの代��interconnect metalsおよびliner-barrier材料のスクリーニング&�(li│n)別をサポートするinterconnect resistivityモデルを発表の旨。
◇Imec and Synopsys announce interconnect resistivity model-Synopsys crafts an interconnect resistivity model with imec (7月13日��� Electronics Weekly (U.K.))
半導��メーカーで�R�`されたのがTSMC(�湾)であり、まず、Applied Micro Circuits Corporation(AMCC:�盜�)がTSMCの7-nm finFETプロセス�\術の採�を��蕕�砲靴討い襦�
◇AppliedMicro adopting TSMC 7nm finFET process technology (7月11日��� ELECTROIQ)
→Applied Micro Circuits Corporation(AMCC:Santa Clara, CA)が、cloud computingおよびnetworking応�に向けたシリコン����を可�Δ砲垢襪燭瓩法�TSMCからの7-nmプロセス�\術を採�する旨。
後で�す通り、��二四半期の好調な業績を発表したTSMCであるが、その場で5-nm半導��に向けた�Dり組みの�t望を以下の通り表わしている。インテル、Samsungはじめ�合マップへのインパクトに�R�`である。
◇TSMC to Adopt Extreme Ultraviolet at 5nm-TSMC remains committed to EUV lithography, sees its use at 5nm node (7月14日��� EE Times)
→TSMCのCo-CEO、Mark Liu����閏��二四半期業績発表の場にて。TSMCは、この10�Qの終わりまでに5-nm半導��を作るためにextreme ultraviolet(EUV) lithographyをフルに�Dり入れる旨。EUVは、5-nm立ち�屬欧亡屬帽腓辰董�2020�Qまでにhigh-volume���]に向けたコスト効率の良いtoolと�h価しており、密度を改�、プロセスcomplexityを�~単化、そしてコストを�(f┫)らすために、5-nmでは広くEUV lithographyを�いる�画の旨。
�k桁ナノメートルとは表には�eっていないものの、最先端に向けたLETI(フランス)とKIST(�f国)のコラボが、以下の通り�]ち�屬欧蕕譴討い襦�
◇LETI and KIST link for advanced projects-Leti to collaborate on R&D with Korean institute (7月14日��� Electronics Weekly (U.K.))
→LetiとKorea Institute of Science and Technology(KIST)が、�低電�半導��、spintronics, non-volatile 3Dメモリ, neuromorphicアーキテクチャーおよびmonolithic 3D半導��に�k緒に�Dり組む5�Qプロジェクトに合�Tの旨。
≪�x場実�PickUp≫
【SEMICON West】
�峙④又�いて、半導�����]の�x場および�\術の最新�X況&情報を、SEMICON West(2016�Q7月12日~14日:San Francisco)関連の記�から�`につく�J(r┬n)囲で�Dり出していく。まずは、M&Aも絡んだ�L(f┘ng)陥検�h分野についてである。
◇E-beam Vs. Optical Inspection-Updated: Wafer inspection market sparks to life as existing equipment struggles at 10nm.-Wafer inspection market heats up with new entries, mergers (7月11日��� Semiconductor Engineering)
→Applied MaterialsおよびKLA-Tencorが今週、新しいウェーハ検�hシステムを投入、electron-beamあるいはoptical inspectionのいずれが半導���屬麗L(f┘ng)陥を捉えるのに最�の�\法であるか、業�cの議�bを改めて�}んでいる旨。�k��(sh┫)、ASML Holdingはe-beam inspection���サプライヤ、Hermes Microvisionを$3.1 billionで、Lam ResearchはKLA-Tencorを$10.6 billionで�A収しようとしている旨。
SEMIによる�例、半導������x場���の見��(sh┫)である。
◇Chip equipment spending: SEMI forecasts flat 2016, rebound in 2017 (7月12日��� ELECTROIQ)
→SEMIが、SEMICON West expositionにてリリースしたSEMI Capital Equipment Forecastのmid-year版。半導������x場���の見��(sh┫):
2015�Q | 2016�Q | 2017�Q |
$36.9 billion | $41.1 billion | |
3%�(f┫) | 1%�\ | 11%�\ |
◇Semiconductor Equipment Spending to Rebound in 2017-SEMI: Spending on IC gear to go up 11% next year (7月13日��� Electronics360)
◇Chip equipment spending to stay flat in 2016, says SEMI (7月13日��� DIGITIMES)
◇Chip Equipment Spending to Stay Flat in 2016 (7月14日��� EE Times)
Letiの3D Network-on-Chip(3D-NoC)�\術の�Dり組みがアップデートされている。
◇Leti develops 3D network-on-chip to improve high-performance computing (7月12日��� ELECTROIQ)
→CEA Tech機関、Letiが、high-performance computing(HPC)を改�する新しいon-chip通信システムを開発、現�Xのソリューションより高�]でエネルギー効率が高く、そして3Dアーキテクチャーコンパチの旨。
◇Leti Unveils New 3D Network-on-Chip-'Smart' Interposer drives high-perfomance, low-energy 3D IC (7月14日��� EE Times)
→CEA InstituteのLetiが今週のSemicon West(SAN FRANCISCO)にて、��2世代3D Network-on-Chip(3D-NoC)�\術を披露、該新3D-NoC�\術によりcomputing性�Δ鮟j(lu┛)幅に高める�k��(sh┫)、エネルギー消�Jを�(f┫)らしているon-chip通信システムを開発の旨。Letiは、半導��をstackして1個に封入、該半導��をシリコンインターポーザ�屬吠造戮董△海譴鮹��靴討い觧檗�
IoTはじめ新分野の�t開を�pけて200-mm fabsが��気を�Dり戻し、2006�Qのピークcapacityに達する可��④�廛譽璽鵑気譴討い襦�
◇200mm fabs reawakening (7月13日��� ELECTROIQ)
→SEMICON WestでのSEMI/Gartner market symposiumにて、SEMIのseniorアナリスト、Christian Dieseldorf��旅岷蕁C羚颪砲�韻詢��咾づ蟀@が�Г┐董�200-mmウェーハ�攵�再び�`覚めており、200-mm���capacityが2019�Qまでにこれまでのピークの2006�Qに匹�發垢觚��澆了檗8�海��Qにわたって200-mm fabsの閉鎖はなく、実際新たな�n働開始のfabsがあって、ただただ驚いている旨。
来�Qには�湾と中国で世�cのファウンドリーcapacityの4分の3を�めるという見��(sh┫)が表わされている。
◇China IC foundry capacity growing fast, says SEMI-Greater China to hold 75% of global foundry capacity in 2017, SEMI says (7月14日��� DIGITIMES)
→SEMI発。�湾と中国が、来�Qまでに世�cのシリコンファウンドリー�攵�capacityの4分の3を�め、2017�Q�までに�湾が55%、�k��(sh┫)中国が20%のグローバルシェアと見る旨。
【TSMC、UMCの最高業績】
�(f┫)�]、低迷、マイナスなど�迎できない見出しキーワードが�くなか、最高業績というここのところ耳慣れない表現が�湾のファウンドリー、TSMCとUMCにおいて見られている。まずは、UMCの6月売�屬欧�郤〆嚢發魑�{している。
◇UMC posts record June revenues-UMC gets $418.6M in June revenue, a record for the foundry (7月8日��� DIGITIMES)
→UMCの2016�Q6月連�T売�屬欧�NT$13.53 billion($418.6 million)で月次最高を記�{、�i月比6.5%�\、�i�Q同月比12.2%�\。2016�Q��二四半期では約NT$37 billion、�i四半期比7.5%�\。2016�Q1-6月��がNT$71.4 billion、�i�Q同期比5.6%�(f┫)。
TSMCについては、��二四半期業績について以下の通りいろいろな表現が見られている。営業�W(w┌ng)益が四半期ベースの最高を記�{、アップルの低迷分を中国、インドなど新興�x場で�夏麒�縫�弌爾垢誡X況を�pけ�Vめている。
◇TSMC 2Q16 revenues beat guidance-TSMC posts Q2 revenue of $6.89B, above earlier estimate (7月11日��� DIGITIMES)
→TSMCの2016�Q��二四半期連�T売�屬欧�NT$221.81 billion($6.89 billion)、同社guidance、NT$215-218 billionを��?j┼n)vっている旨。TSMCの2016�Q6月売�屬欧�NT$81.39 billion、�i月比10.6%�\、�i�Q同月比35.8%�\。��二四半期は、�i四半期比9%�\、�i�Q同期比8%�\となる旨。TSMCの2016�Q�i半売�屬欧�NT$425.31 billionとなり、�i�Q同期比0.5%�(f┫)。
◇TSMC's Outlook Tops Estimates as IPhone 7 Helps It Defy Slowdown-China orders for phone chips boost TSMC's bottom line (7月14日��� Bloomberg)
→TSMCの��二四半期の�W(w┌ng)益はアナリスト予�Rを��?j┼n)vり、���四半期についても中国からのスマートフォン�半導��の�要�\からアナリスト�h価を��?j┼n)vる売�屬欧鰺襲Rしている旨。
◇UPDATE 2-Taiwan chip giant TSMC cuts global smartphone outlook, sees weaker high-end demand (7月14日��� Reuters)
net profitsについては、high-endから中位、下位への�要シフトがうかがえている。
◇TSMC 2Q16 profits fall 8.7% despite revenue growth (7月14日��� DIGITIMES)
→TSMCの2016�Q��二四半期売�屬欧�i�Q同期比8%�\えたが、net profitsは同8.7%�(f┫)っている旨。
◇�湾・半導���p�m�攵�TSMC復調、4~6月最高益に、廉価スマホ向け拡�j(lu┛)、�Q1兆�投�@が原動� (7月15日��� 日経)
→半導���p�m�攵�世�c最�j(lu┛)�}、�湾積��電路���](TSMC)の復調が�z��了檗�14日発表の2016�Q4~6月期連�T��Qは、営業�W(w┌ng)益が�i�Q同期比18%�\のNT$91.3 billion(約3�h億�)。1�Qぶりの�\益で四半期ベースの最高益となり、�櫂▲奪廛襪亮�]による業績の谷を乗り越えた旨。�Q1兆���模の�j(lu┛)��模投�@で�p�m���]の�争�を�{求し、最先端��と廉価��の両�Cで効率よく�nぐ収益構�]になってきたことが原動�の旨。
���四半期はさらに売�屬欧�發泙�啜い瞭匹澆箸覆辰討い襦�
◇TSMC expects record 3Q16 revenues (7月15日��� DIGITIMES)
→TSMCが、2016�Q���四半期売�屬欧砲弔い�i四半期比14.5-16%�\のNT$254 billion($7.95 billion)~NT$257 billionと最高記�{を見込む旨。同社の��二四半期売�屬欧�i四半期比9%�\のNT$221.81 billionで、これも同社guidance、NT$215-218 billionを��?j┼n)vった旨。
TSMC、UMCともに、2016�Q�i半の売�屬科��昨�Q�i半を下�vっており、引き�き�`が�`せないところがある。
【不透��胸\す経済情勢】
現下の経済情勢について、我が国そして中国の��B発表から、共通する表現、キーワードが�`立って以下の通りである。これを書いている時点でも、フランスそしてトルコから拍�Zをかける困った��が�いている。
◇2016�Q度成長率、実��0.9%に下��(sh┫)�T�、��B-世�c経済に不透��� (7月12日��� 日経 電子版)
→��Bは今�Q1月に実���1.7%と見込んでいた2016�Q度の経済成長率の見通しを、0.9%に下��(sh┫)�T�する��(sh┫)針。2017�Q4月に予定していた消�J税率の10%への引き�屬欧鮑惇�期し、消�Jの�~け込み�要を見込めなくなったための旨。英国の欧�ο��(EU)�`脱�定などで世�c経済の先行きが不透��砲覆蝓⇒⊇个篝��蟀@が�Pび�椶爐海箸磆[定する旨。
◇中国GDP、4~6月6.7%�\で横ばい、投�@や輸出振るわず (7月15日��� 日経 電子版)
→中国国家統�局、15日発。2016�Q4~6月期の国内総�攵�(GDP)が�餡訴册阿鮟釮����i�Q同期比6.7%�\、成長率は1~3月期から横ばいだが、投�@や輸出が振るわない旨。世�c��2位の中国経済が��咾気鳫L(f┘ng)き、英国の欧�ο��(EU)�`脱�定で不透��気鮖\す世�c経済は牽引役が見あたらない�X況の旨。
【本�Qの半導���x場予�R】
これも予�[通りというか、IC Insightsより2016�Q半導���x場について、�i�vのプラス2%から今�vマイナス1%と予�Rの下��(sh┫)�T�が行われている。ここでも世�cの��E経済の不�W定要因がキーフレーズとして登場している。
◇IC Insights Lowers Its 2016 Semiconductor Market Forecast to -1%-Weak global economy and poor DRAM market to drag down growth this year. (7月7日��� IC Insights)
◇Semiconductor outlook slashed-Market research firm reduces 2016 revenue forecast for chips (7月9日��� The Taipei Times (Taiwan))
→中国の経済成長鈍化およびDRAMの沈�]�X況から、IC Insightsが世�c半導��業�cの2016�Q売�屬架襲Rについて、昨�Qの$353.6 billionに�瓦�i�vの4%�\からこのほど1%�(f┫)に下��(sh┫)�T�の旨。Gartnerは0.6%�\と予�[の�k��(sh┫)、TSMCは今�Q1%の�Pびと見ている旨。
◇Global 2016 semiconductor market to fall 1%, says IC Insights (7月11日��� DIGITIMES)
→IC Insights発。弱含みなグローバル経済およびDRAM�x況低迷から、2016�Q半導���x場�P長予�Rをマイナス1%に下��(sh┫)�T�する旨。DRAMを除く半導���x場はプラス2%に達する可��④了檗�
◇Brexit Vote Prompts Reduced Global Chip Market Forecast (7月13日��� EE Times)
→IC Insightsが、2016�Q半導���x場について2%の�Pびから�Q間1%の低下に下��(sh┫)�T�の旨。IC Insightsは、United Kingdom(UK)のEuropean Union(EU)�`脱�定により、少なくとも向こう1-2�Q世�c経済がマイナスのインパクトを�pけるとしている旨。その主な理�y(t┓ng)として、UKの�`脱の詳細を巡る不�W定さおよびUKが他の国々に�{随を�がすかどうかにある旨。
【最先端SSD】
テラバイトと聞くとどこまで行くのかとも感じるが、Samsungが4 terabytesのsolid-state drive(SSD)を�t開する�k��(sh┫)で、3D NANDでは�れをとったMicronが750 GBのSSDを以下の通り�x場投入している。単純比較では、5.3倍の容量に�瓦靴堂然覆�7.5倍となっており、Micronの魅�もうかがえている。
◇Samsung Unwraps Massive 4 TB 850 EVO SSD: Speed And Space In One Package -Samsung adds 4 TB model in 850 EVO SSD line (7月12日��� Tech Times)
→Samsung Electronicsが、4 terabytesのデータを蓄積できる850 EVO solid-state drive(SSD)を�t開、同社triple-level cell(TLC) V-NANDフラッシュメモリ�\術を�いている旨。該新SSDは$1,499.99の価格の旨。
◇Micron's 3D NAND Innovative Fabrication Process -Micron loads $200 Crucial 750 GB SSDs with 3D NAND (7月13日��� EE Times/Blog)
→3D NANDを2番�`に商�化する半導��ベンダー、Micronが、革新的なアプローチをとっており、コストを�(f┫)らす可��④了檗F閏劼蓮�32 layer(32L) 3D NANDフラッシュメモリの�攵�開始、Crucial 750 GB SATA 2.5インチSSDが、該デバイスが入る最初の商�downstream����の1つである旨。該Crucial SSDは約$200の価格であり、laptopsには魅�的な�(li│n)�I肢となっている旨。
≪グローバル雑学?f┫)棔?19≫
分野別のM&Aの新たな潮流、�けて今�vはIT及び小売り分野について、
『M&Aの「新」潮流』
(�冕棔》Q之 著:エネルギーフォーラム新書 036) …2016�Q1月15日 ���k刷発行
より現下の流れに�っていく。通信および情報サービスのここ数�蚊QにわたるNTT�c営化以�Tの拡�j(lu┛)ぶりは、半導��業�cもその時代の経�圓箸箸發北�椶粉愀犬侶舒泙鮹�辰討い襪箸海蹇�泙拭⊂�笋蟠板cも時代の要�弌⊃諭垢林蝋イ覆氷�Sを経ていることは、我々の普段の���に密�して�瑤襪箸海蹐箸覆辰討い襦�哀蹇璽丱�官���業環境への�t応など、それぞれのM&Aの潮流の�様というものを�pけ�Vめている。
��12章 IT及び小売り分野におけるM&Aの新潮流
【IT分野におけるM&Aの新潮流】
■通信及び情報サービス分野の企業の�業環境
・通信サービス分野は、約30�Q�iにNTT�c営化による通信�O�y(t┓ng)化以�T、�k棖靴導判j(lu┛)
→�j(lu┛)�}3社グループ(NTT、KDDI、ソフトバンク)の売�峭發旅膽�は約4倍に
→成長を牽引してきた�‘��通信は、音�m通信からデータ通信にその収益源をシフト
→アプリケーション分野を�啣修垢誡X況に
・情報システム分野、すなわちソフトウェア・システムベンダー
→2011~2012�Q頃を境として環境は�j(lu┛)きく変化
→企業や��Bによる�j(lu┛)型のIT投�@による��況
→メガバンクによるシステム統合案�P
→��B�Uプロジェクト、マイナンバー(社会保障・税番�(gu┤)�U(ku┛)度)�U(ku┛)度
■�業構�]変化の圧�
・いずれの分野にも、�M(f┬i)�的な構�]変化の圧�
→クラウドビジネスの進�t
→�\術革新及び新��サービスの発�據 張皀丱ぅ襯押璽燹▲▲廛螢院璽轡腑鶻��
→顧客となるユーザが�k層グローバル化 …�L外でのサービス提供を如何に進めるかに�R�する�㌫�
■個別企業のM&Aの新潮流
・�j(lu┛)�}通信会社、ソフトバンク
→�M(f┬i)�的にM&Aを?q┗)��した�業戦�Sの推進
…2013�Q、�盜餬搬單�B�j(lu┛)�}、スプリントを�垉邵能j(lu┛)級の��模で�A収
…フィンランドのモバイルゲーム会社、スーパーセルの�A収
・通信�業分野及び情報システム分野の双��(sh┫)で最�j(lu┛)�}クラスのNTTグループ
→グローバル拠点の�k挙拡�j(lu┛)
…2010�Q、南アフリカのディメンションデータを�D�u
…2008�Q、SAPコンサルティング会社のアイテリジェンス(ドイツ)を�A収
・日立グループ
→グループ内での機�ε�隋Ω﨓┣修凌篆�
→�L外拠点の�D�△鮨篆覆垢訝奮�縫好謄奪廛▲奪�
…フランス、イタリアでのシステム会社�A収
・富士通
→��に基盤のある欧�γ楼茲如��嘆礎佑鮃發瓩觀舛任離愁螢紂璽轡腑鵑鱆~する企業をグループ内に�Dり込み
・M&Aの���
→1)通信�業�vでは、データ通信�要の�Dり込みやアプリケーション、ゲーム分野の�Dり込み
2)情報システム分野では、統合的なクラウドサービスの提供を�`指した��嘆礎擁�遒瞭Dり込みやグローバル化への�官�
【小売り分野におけるM&Aの新潮流】
■小売り分野の企業の�業環境
・小売り業�cは、コンビニエンスストア業�を除けば、厳しい�業環境が�M(f┬i)�
→業�内での再�や業�を�えた�A収等の新たなM&Aの潮流が�擇泙譴討い覿板cでも
・ネット通販の�W(w┌ng)便性や、専門����筌好院璽襯瓮螢奪箸慮擎未�⊇j(lu┛)量・�H�|の商��提供をビジネスモデルとする総合スーパーの��模メリットなどの優位性を�るがしている
・コンビニエンスストア
→�j(lu┛)�}は積極的な出��鰊M(f┬i)�
→下位企業では��や�岼夢覿箸離哀襦璽彳�蠅�蠎,い任い�
・ドラッグストア
→業�cそのものの成�^化による立地の�和及び他業�との�合が�擇犬笋垢さ�業環境に
■個別企業のM&Aの新潮流
・小売り業�cにおいては、�Q業�内及び業�を�えたM&Aを通じて消�J�vニーズの�耀uやスケールメリットの確保を�ぐ動きが�擇犬討い�
→スケールメリットの�{求と地域性の高い食��分野でのローカルな個性の�{求の双��(sh┫)を�`指している�例
・�O社での��咾だ�垢�鋿圓任④襯灰鵐咼剖否�以外では、柔軟なM&Aの���
・小売り業�cにおける新たな流れ
→1)業�を�えたマルチチャネルの�耀uに向けたM&A
2)業�内でのスケールや��模を確保しつつ新たな�要を�Eり�こそうとするM&A