≪完了あれば�~け引きも≫

昨�Qの世�cのM&Aはどうであったかが、以下の通り表されている。半導��業�cのみならず����でも8�Qぶりの最高��新となっている。

◇世�cのM&A、最高の4.7兆ドル、2015�Q、8�Qぶり��新 (1月20日��け 日経 電子版)
→新興国を中心に世�c経済の停�]感が�咾泙襪覆�で、�j�}企業が低成長の�]破を狙って�A収��勢を�咾瓩討い觧�。2015�Qの世�cのM&A(合��・�A収)は�i�Q比4割�\え、およそ4兆7�h億ドル(約555兆��)と8�Qぶりに�垉邵嚢發���新、��に100億ドル(約1兆1800億��)を��す�j型案�Pが9割も�\加した旨。�@源�Wにより成長率はさらに鈍化するとの見�気��咾�、2016�QもM&Aは高水��で推�，靴修Δ併檗�

半導��業�c、2016�Q早々のM&A関連の動きを�{って、まずは、Microchip Technology(�盜�)がAtmel(�盜�)の�A収が合�Tに落ち��き、��合入札していたDialog Semiconductor(英国)は身を引く�T果となっている。

◇Dialog Semiconductor declines to revise bid for Atmel (1月18日��け ELECTROIQ)
→英国の半導��メーカー、Dialog Semiconductor plcの役�^会が、�盜颪�microcontroller(MCU)およびtouch solutions specialist、Atmel社を�A収する提案について改定しないことを��定の旨。AtmelがMicrochip Technology社の提案を�pけ入れる合��合�Tが��まるとなると、AtmelはDialogに�瓦靴�$137.3Mの���v金を��払う��要がある旨。

◇Microchip Technology to acquire Atmel (1月19日��け ELECTROIQ)

◇Microchip Technology to Buy Atmel for Nearly $3.6 Billion-Microchip seals $3.56B deal for Atmel (1月19日��け The New York Times)
→Microchip Technologyが��曜19日、cashおよび株式約$3.56 billionでのAtmel�A収に合�T、Dialog Semiconductorとの入札の戦いに終�V符の旨。
Microchipは昨�Q、約$839 millionでMicrelを、2014�Qには$394 millionでSupertexを�A収している旨。

◇Microchip Technology Acquires Atmel for $3.6 Billion (1月19日��け Bloomberg)

◇Microchip Signs Deal to Buy Atmel-Microchip said the Atmel deal has an equity value of about $3.56 billion (1月19日��け The Wall Street Journal)

◇Microchip Signs to Buy Atmel (1月20日��け EE Times)
→microcontroller(MCU), アナログおよびフラッシュメモリICベンダー、Microchip Technology社(Chandler, Ariz.)が、Atmel社(San Jose, Calif.)の約$3.56 billionでの�A収に合�T、以�iAtmel�A収で進んでいたDialog Semiconductor plc(London, England)には$137.3 millionの���v料が��払われる旨。

◇Microchip Technology purchase of Atmel a done deal for $3.56 billion (1月20日��け Phoenix Business Journal)

この�A収の�T果としてのmicrocontroller(MCU)ベンダー・ランキングの景�菠儔修�次の通り表されている。

◇Consolidation Redrawing Microcontroller Landscape -Analysis: Microcontroller market is reshaped in consolidation (1月21日��け EE Times/Blog)
→Microchip Technology社のAtmel社$3.8 billion�A収が進むと、NXP Semiconductors NVがFreescale Semiconductor社�A収でmicrocontroller(MCU)ベンダー2位の座に�，辰�2ヶ月以内のこと、No. 3の位��に動いていく旨。�x場リーダーは、拮�^するRenesas Electronics社とNXPになる旨。

MicrosemiのPMC-Sierraの�A収も完了している。

◇Microsemi Corporation completes acquisition of PMC-Sierra, Inc. (1月18日��け ELECTROIQ)
→Microsemi Corporationの完��子会社、Lois Acquisition社が、PMC-Sierraとの合��に成功、MicrosemiのPMC�A収が完了の旨。

イスラエルでのMellanoxによるEZchip�A収は、�k�陲糧��瓦魏，契擇覲�主の�R認があって�i進している。

◇Mellanox CEO Prevails as Shareholders Approve EZchip Acquisition-EZchip shareholders vote for $811M acquisition by Mellanox (1月20日��け Bloomberg)
→Mellanox Technologies Ltd.(Yokneam Elit, Israel)のChief Executive Officer(CEO)、Eyal Waldman��が、EZchip Semiconductor Ltd.(Israel)の$811 million�A収について株主の�R認を�Mち�uて、データセンター��業拡�jの��画が�wまっている旨。activistヘッジファンドの反�瓦�あって��れていた案�Pの旨。

新たな憶�Rとして、FPGAの最�j�}、XilinxもM&A、�A収される可��性の見�気�出てきている。

◇Will Xilinx Join the M&A Party? (1月21日��け EE Times)
→Xilinxが水曜20日、�盜�Securities and Exchange Commission(SEC)でのfilingで同社CEO、Moshe Gavrielov��との合�Tを�T��、同��に同社ownership変��の場合のより�Hい�W点を投げかけて、FPGA最�j�}の同社が�A収される�△┐�と憶�Rを�}んでいる旨。先週、financial news trade publicationのDealReporterはXilinxがQualcomm社に�A収されるとの憶�Rを焚きつけている旨。両社は最�Z密接にコラボしており、昨�Qheterogeneous computing�\術で協働する�D引を発表している旨。

Maxim Integrated Products社の�A収に向けては、Texas Instruments社とAnalog Devices社ともに価格で折り合わない情勢のようである。

◇Report: Analog, TI Both Pass on Maxim Purchase (1月21日��け EE Times)
→匿�@筋を引いたBloomberg発。Texas Instruments社とAnalog Devices社がともに、Maxim Integrated Products社(San Jose, Calif.)�A収を�{い求めないことを��めている旨。いずれも�j幅なpremiumを探し求めているMaxim絡みの価格には合�Tできない旨。

ON SemiconductorのFairchild�A収については、中国投�@筋から高い価格の入札が行われているが、ON Semiconductorは値�屬欧呂擦困�Fairchildの判��を先��ばしして待つというスタンスとなっている。

◇ON Semiconductor Again Extends Fairchild Offer Without Raising Bid-ON extends the offer-previously extended to Jan. 20-until midnight Feb. 3-ON still offers to buy Fairchild shares, still at $20 each (1月21日��け The Wall Street Journal)
→ON Semiconductor社が�v曜21日、Fairchild Semiconductor International社に向けた株式�o開�A��を$20/株の提��を�屬欧困忘７�2度�`の先��ばし、依����合する入札価格を下�vる旨。

◇ON Semiconductor extends tender offer to acquire Fairchild Semiconductor (1月22日��け ELECTROIQ)

以��、早々のM&A関連の動きを見てきたが、やはり�R�`は�fの�`である中国の�H�Yの�@金をつぎ込むアプローチである。�盜颪旅碌Y賞金�gくじ、Powerballになぞらえて、その�j変な困�Mさを表す以下の捉え�気箸覆辰討い�。

◇China's Chip Jackpot Teases -The view from SMIC -SMIC, TSMC reach for the brass ring in China's chip market (1月19日��け EE Times/Blog)
→(1)中国の半導��業�cを�PばしていくBig Fundは、�盜颪旅碌Y賞金�gくじ、Powerballのようなもの、たくさんのお金がかけられて誰もがやってみたいとするが、誰も�Mち�気��瑤蕕覆せ檗Ｃ羚颪虜能jファウンドリー、SMICがその良い例。素早い�x場化に向けて65-および45-nmプロセス�\術のライセンス供与を�pけたが、該プロセスに��加価値サービスを作り出すよう�T��する権�Wを�Lいた旨。そこでIBMと28-nm�\術を共同開発、柔軟性を�uたもののtime-to-marketを失っている旨。
　(2)中国最�jのSiファウンドリー、SMICは、プロセス�\術のグローバル�Y��への引き�屬欧貿腓��vっており、中国は�O国半導��業�cにbillions of dollarsをつぎ込んでいる旨。�k��、TSMCは中国で�O�iの工場を建設する��画を進めており、16-nm FinFET半導��の���]が可�Δ了�。

◇Chasing China's 'Big Fund' (1月21日��け EE Times India)
→半導��業�cの�啣修鯀T図している中国のBig FundとPowerball�gくじには共通する1つのこと。ともに�H�Yのお金が賭けられてほとんどすべての人々を引きつけるが、�Mち�気砲弔い討浪燭眈}�Xかりはない旨。

当�C、M&A関連には�R�`を��けざるを�uないところである。

≪�x場実��PickUp≫

【Qualcommの中国での合弁】

中国�x場に向けて積極的なアプローチを�t開しているQualcommが、こんどは�Q��省���Bと連携して合弁を設立、サーバ・プロセッサ��業に�Dり組んでいる。Intelの壁に挑むとともに、中国�x場でのプレゼンス向�屬魄�き��き図っている。

◇Qualcomm Seeks Joint-Venture Shortcut to Server Sales in China (1月17日��け Bloomberg)
→Qualcomm社が、サーバcomputers��半導��販売でのIntel社の席巻を�]ち破るべく、データセンター・ハードウェアが最も��成長している中国で合弁を設立している旨。

◇Qualcomm, Chinese Province Set Up Server-Chip Venture-China has taken steps to build a bigger domestic semiconductor industry (1月17日��け The Wall Street Journal)

◇Qualcomm unveils $280 mln joint venture with Chinese province-Qualcomm agrees to server-chip partnership in China (1月18日��け Reuters)
→Qualcommが、中国・�Q��省���Bと連携、サーバ・プロセッサを設��、���]そして販売する旨。

◇Qualcomm creates $280M venture with China's Guizhou province (1月18日��け Mobile World Live)

◇Qualcomm teams up with Chinese province for server chips (1月18日��け DIGITIMES)
→���BのChina National Convention Centerでの最�Zのセレモニーにて、Qualcommと�Q��省人�c���B(People's Government of Guizhou Province)が戦�S的協��合�Tに調印、両�v合弁、Guizhou Huaxintong Semi-Conductor Technologyを披露の旨。当初の�@本登�{、CNY1.85 billion($280 million)の該合弁は、�Q��省���Bの投�@�靆腓�55%、Qualcommの子会社が45%をもつ旨。

【Samsungの4GB HBM2 DRAM】

Samsung Electronicsが、stacked-memory�\術を�Dり入れた高性��computingシステム向け��2世代High Bandwidth Memory(HBM2)半導��の量�凮始を発表している。4-gigabyte(GB) DRAMであり、20-nmプロセス�\術を使��、HBM2インタフェースはJEDEC�Y��仕様となっている。

◇Samsung begins production of 4GB DRAM for servers-The Korean semiconductor giant has developed new 20nm memory that it says is capable of double the bandwidth seen in its previous High Bandwidth Memory. (1月19日��け ZDNet)

◇Samsung mass produces faster DRAM-Samsung puts 4GB HBM2 DRAM for servers into volume production (1月19日��け The Korea Herald (Seoul))
→Samsung Electronicsが、先端グラフィックス、サーバおよびスーパーコンピュータなど高性��computing応��に向けた4-gigabyte high-bandwidth memory(HBM) DRAMsの量��を開始、該半導��のHBM2インタフェースにより同社の4-gigabit GDDR5 DRAMsより高�]なデータ伝送が�uられる旨。

◇Graphics cards with 1024GB/s bandwidth? Samsung begins HBM2production-New 4GB stacks could allow for 16GB of memory on a single card.-Samsung starts volume production of HBM2 chips, using JEDEC standard (1月20日��け Ars Technica)
→Samsung Electronicsが、stacked-memory�\術、��2世代High Bandwidth Memory(HBM2)半導��の量�凮始を発表、該HBM2仕様はJEDECが批��、今月発行している旨。

◇Samsung announces mass production of 4GB HBM2 DRAM (1月21日��け DIGITIMES)
→Samsung Electronicsが、��2世代high-bandwidth memory(HBM2)インタフェース・ベース4GB DRAM packageの量��を開始、high-performance computing(HPC), 先端グラフィックスおよびnetworkシステム, 並びにenterpriseサーバ��の旨。Samsungの20-nmプロセス�\術および先端HBM半導��設��を��いる該4GB HBM2 DRAMは、高性�Α▲┘優襯�ー効率、信頼性および小型�∨，離法璽困鯔�たし、次世代HPCシステムおよびグラフィックスcardsに良く適している旨。

【FD-SOI関連】

STMicroelectronics社が積極的に引っ張っているfully-depleted silicon-on-insulator(FDSOI)プロセス�\術に絡む����的な�t開の動きが、以下の通り相次いでいる。��に、FD-SOI Forum(2016�Q1月21日：東�B)での�Q社の動きに�R�`している。

◇NXP Embraces 28nm FDSOI for MCUs (1月18日��け EE Times)
→NXP Semiconductors NVのMCU��業、新任general manager、Goeff Lees��。NXPは、28-nm fully-depleted silicon-on-insulator(FDSOI)プロセス�\術の使��を同社低電��LPC microcontrollers(MCUs)まで拡げる運びの旨。

◇SRAM compiler launched for 28nm FD-SOI based SoCs-FD-SOI SRAM compiler is offered by sureCore (1月19日��け New Electronics)
→28-nm fully-depleted silicon-on-insulator(FD-SOI)プロセス�\術組み込み��のSRAM compilerが、sureCoreから出されており、同社は3月に40-nmプロセス����低電��compilerを��画の旨。

◇sureCore adds FDSOI memory compiler-sureCore, the Sheffield SRAM IP specialist, today announced the immediate availability of its 28nm FDSOI memory compiler. (1月19日��け Electronics Weekly (U.K.))

◇Sony To Use FD-SOI in Stacked Image Sensors-Samsung goes for FD-SOI mass production (1月21日��け EE Times)
→FD-SOI Forum(2016�Q1月21日：東�B)にて、新たなSoCsに向けた���I肢として出てきた�_要な�t開：
　・Samsungの28-nm FD-SOI�\術の量��capacityが成�^
　・FD-SOI半導��におけるRF integrationが���]に現実味を帯びており、Samsungは今�Q��二四半期にRF��process development kit(PDK)の�攵漘を提��へ
　・Globalfoundriesの22-nm FD-SOIプラットフォーム, 22-nm FDXは、0.4V動作で��低電��消�J
　・Globalfoundriesの22-nm FDXは、2017�Q半ばにhigh volume�攵��官�可しかし、コーヒーブレイクの間に表�C化した最�jのFD-SOIニュースは、ソニーがstacked CMOS Image Sensors(CIS)でのimage signal processor(ISP)に向けてFD-SOIの使��を図っていることである旨。

【2015�Q半導��R&D投�@】

昨�Q、2015�Qの半導��R&D投�@ランキングデータが、IC Insightsより以下の通り表わされている。世�c半導��販売高は2014�Qに史�嶌嚢發魑��{、2015�Qは横這いかマイナスが予�[されているが、連動性は如何に？ R&Dの2015�Qの�気�0.5%�\と�jきく�Pび率を落とす内容となっている。

◇Semiconductor R&D Growth Slows in 2015-Industry-wide R&D expenditures grew 0.5% to a record-high $56.4 billion in 2015. Top 10 R&D spenders collectively increased expenditures by nearly 2% in the year. (1月20日��け IC Insights)

◇Semiconductor R&D growth slows in 2015, says IC Insights (1月21日��け DIGITIMES)
→IC Insights発。2015�Qの半導��業�cR&D投�@が0.5%�\�Vまり、低迷した2009�Q以来最小の�\加、ここ10�Qの間のR&D expendituresのcompound annual growth rate(CAGR)、4.0%を�jきく下�vる旨。このhalf-percentの�\加で半導��メーカーによる世�cR&D spendingは、これまでの2014�Qのピーク、$54.1 billionから2015�Qには$56.4 billionという新記�{の水��に押し�屬欧蕕譴浸�。
　メーカー別2015�Q半導��R&Dランキング：
　1.　Intel　…����の22%を��める
　2.　Qualcomm
　3.　Samsung
　4.　Broadcom
　5.　TSMC　…5位までの顔ぶれは2014�Qと同じ
　6.　Micron Technology　…東��と入れ��わり
　7.　東��
　8.　MediaTek　…1ランクアップ
　9.　SK Hynix　…12位からアップ
　10.　STMicroelectronics　…8位からダウン

◇Semiconductor R&D growth slows in 2015 (1月21日��け ELECTROIQ)

【�駑�の要、世�cの港】

グローバルな�駑�のハブとして2020�Qまでに世�c��易を�Г┐觀Q国の港の顔ぶれが表されている。�jきな�x場、顧客が�呂┐詢�地、�_要な�賚�の集積地、経�y地など、それぞれの�T味合いを�~している。

◇15 New & Old Ports Emerge as Global Trade Players (1月20日��け EE Times/Slideshow)
→2020�Qまでに新しいグローバル�駑�hubsとして出てくることが見込まれる世�c中の�何瑤旅�、以下の通り：
　Philadelphia, Pa, U.S.
　Seattle, WA, U.S.
　South Florida, U.S.
　San Antonia & Santiago, Chile area
　Istanbul, Turkey
　Suzhou, China：�|���x
　Tianjin, China：�W�否x
　Duisburg, Germany
　Barcelona, Spain
　Amsterdam, the Netherlands
　Busan, South Korea：�N��
　Manchester, UK
　Liverpool, UK
　Hangzhou, China：�����x

≪グローバル雑学�棔�394≫

欧�Δ砲�けるエネルギー��策、その課��、そして我が国の��策へ��唆するものを、

『国際エネルギー情勢と日本』
　(小�僉−�・久谷　�k朗 著：エネルギーフォーラム新書 034)　2015�Q9月11日 ���k刷発行

より見ていく後半である。課��として、再�擴��Ε┘優襯�ー負担金の���\、石炭�W��の拡�jによる�a室効果ガス排出�\などあるべき�eの�{求とは裏腹な問��が噴出している。欧�Δ量��J的な先行からくる経�xを我が国によく照らすべきと�喞瓦気譴討い襦�

��六章　欧�Δ�ら学べること　＝2分の2＝

■欧�Δ離┘優襯�ー��策における課��
・欧�Δ任録��Hくの先�~的なエネルギー��策の�Dり組み、それゆえにいろいろな歪みも表�C化・ドイツでは、���Lの洋�嵒���発電が���\、電��がオランダやポーランドなど周辺�o国に流れ出すという問��が発��
�、����陲良���発電による電��を��から南に運ぶ送電線の容量が不�B
　→送電線建設予定地�Zくの住�cの反�瓦砲茲蠢�電線の建設がなかなか進んでいない現�X
・ドイツではまた、消�J�vの再�擴��Ε┘優襯�ー負担金の���\が問��に
�、�2009�Qで家庭1軒当たり月�Yおよそ400��
�、�風��発電所、�陵杆�発電所の建設が進んだ�T果、負担金が����に�峺�
　　→2010�Qには倍の800��、2011�Qにはさらに1.5倍の1300��に
　→2012�Qは�Aい�Dり価格を�i�Qより15%と�j幅に引き下げて、横這いの1300��に
�、�2013�Q以�Tも再�擴��Ε┘優襯�ーの導入が加�]、負担金の�Yは再び�峺�に
　�、�2013�Qには2000��、2014�Qに至っては2400��まで�峺�
�、�ドイツ���Bは�w定価格�Aい�Dり�U度を見直すことを最�Z発表
　�、�ドイツはこれからもこの再�擴��Ε┘優襯�ーの負担金の問��に頭を�椶泙垢海箸�
・石炭�W��の拡�jによる�a室効果ガス排出�\も頭の痛い問��
�、��盜颯轡А璽覲很燭留惇xで、�盜馥發任��W��ガス発電が優勢となり、石炭����発電所が次々と閉鎖
　�、�欧�Δ僕松蠕价困�流入、ドイツでは石炭価格が暴落
�、�石炭����発電所の発電量が�\加、�W��ガス����発電所の発電量が��少へ
・二�┣獣坐杷喀侘未列Hい石炭����発電所の�n働が20�Qぶりに高�n働を記�{
�、�2013�Qのドイツ����の二�┣獣坐杷喀侘未��爐�ながら�\加へ
�、��a室効果ガス削��の�`�Y達成が�eぶまれる�T果に
・風��発電は、風まかせの発電のため、電���U統の電圧の�W定化のためには
　電圧調�D��の����発電所が��要に
�、�いつでも発電できるように待機していることが��要
�、��Q間の運転時間が数��時間に�里泙襪海箸�
・発電��業�vに�瓦�、保�~する発電所が�n働しなくても予�⇔┐粒諒櫃帽弩イ討い訃豺腓砲呂修冷J��を��払う�U度の導入
　→容量�x場と�}ばれるもので、イギリスで運��が始まっている
�、�今後は欧������でのエネルギー供給設�∈播�化の�菘世�らの施策がますます�_要に
・欧�ο�合排出権�D引�U度(EU-ETS[European Union Emission Trading Scheme])も�Qえる問��
�、�当初は二�┣獣坐�1トン当たり30ユーロ��度で�D引
�、�排出枠の��要��少により、�k時1トン当たり5ユーロ以下まで暴落
�、�発電会社は排出枠を�P入して石炭����発電所を�n働したほうが経済的にメリットのある���Iに
�、��a室効果ガスの排出が�\加
・排出枠の繰り越しによって、今後排出権価格が�eち直すかどうかは不��

■欧�Δ侶俎xから�uられる日本のエネルギー��策への��唆
・�O�y化を通じて、本当に効率的なエネルギー�x場を実現するためには、地域のエネルギー�O給率や域内のエネルギー�@源の分布�X況といったその国や地域の��性に合わせた�U度設��が求められる
　→長期的な��点での�Dり組みが極めて�_要
・欧�Δ蓮��O�yな��争が効率的な�x場を作る」という理�[に向かって、地球�a暖化�敢�とエネルギー�W��保障を両立するエネルギー�x場の改革を進めている
�、�新たなエネルギー�x場の実現に積極的に�Dり組んでいる点は、世�cの模�Jと言える
・我が国、日本については、欧�Δ寮莵圓垢觀俎xを��かし、��かれた環境に合ったエネルギー��策を推進していくべき