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X(qi│n)いアピール&議b:雇/最先端微細化/業戦S

我が国はじめQ(ch┘ng)国のEの世cでは経済が依とトップ争点の1つとなっているが、半導業cもそれを(d┛ng)く照らして低迷基調の]開、再擇鮨泙襪茲ΑQ(ch┘ng)国・地域の業c、Q(ch┘ng)社で様々なDり組み、真剣な議bがいているこの1Qであり、しばらくいていく現時点の情勢であると思う。今vは、(sh━)SIAからまたまた発表された雇データ、そしてInternational Electron Devices Meeting(IEDM)(San Francisco)からの最先端微細化に向けた(li│n)I(m┌i)肢およびx場サバイバルを`指す業戦SのX(qi│n)いやりとりにR`している。

≪x場サバイバルに向けて≫  

SIAからの半導雇についての発表は次の通り。この11月1日に発表された内容をκ未砲気蕕忘佞い織如璽燭(j┤)されており、ほとんどすべてに行き渡っているX(ju└)況が(j┤)されている。ファブレスなど設関連のjobs数データは、Oら見積もったとしている。半導業cの_みについて(d┛ng)いアピールをpけVめるとともに、(r┫n)常に厳しいX(ju└)況にある我が国でも改めて把(┐i)する要性を感じている。

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○(sh━)国土に広がる半導雇−CaliforniaからNew Yorkまで(d┛ng)い業c雇 …12月11日けSIAプレスリリース

半導]&設の(sh━)国のleadershipを代表するSemiconductor Industry Association(SIA)が本日、Bデータの分析によると(sh━)国半導業cjobsが(sh━)国のほとんどすべての地域およびj(lu┛)H数のΔ涼罎帽がっていると発表した。トップ10は次の通りである。

 California    47,100 半導jobs
 Texas       28,800
 Oregon       23,400
 Arizona      18,800
 Massachusetts   10,100
 New York      7,600
 Idaho        7,400
 Florida       7,100
 Vermont      5,100
 New Mexico     4,500

「成長と革新を推進する実効的なB策をもって、(sh━)国半導業cは引ききAmericaの経済の(d┛ng)さ、国家Wおよびグローバル争を高めていく。」とSIAのpresident and CEO、Brian Toohey(hu━)は言う。

すべての雇figuresは、最Zリリースされた(sh━)国Bureau of Labor Statistics(BLS)からの2011Qデータを反映している。BLSによると、(sh━)国半導業cの労働人口はiQを3.7%?j┼n)vったが、もっと広げた(sh━)国経済のそれは同期間について1.2%\となっている。

この11月にSIAは、(sh━)国における直接半導雇が244,800と見積もられると発表したが、このfigureにはBLSが報告している半導jobに、BLSが現在は半導業cデータに含めていないファブレス半導設分野のjobsを見積もって加えている。加えて、先端\術のbackboneとして半導業cは、(sh━)国経済の他の分野におけるjob創出に実的なプラスの効果を与えている。

SIAのΔ瓦箸糧焼]雇mapは下記参照。
http://www.sia-online.org/clientuploads/slideshow/Employment%20-%2012042012.pdf
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58vannual IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)(12月10-12日:San Francisco)関連で、最先端微細化そして業戦SにつながるX(qi│n)い議b、Dり組みをpけVめている。まずは、STMicroelectronicsの次の現X(ju└)がある。

◇STMicroelectronics Plans to Exit Chip Venture With Ericsson (12月10日け Bloomberg)
→STMicroelectronicsが、業再構築のk環としてEricssonとの50/50合弁、ST-EricssonにおけるOらのstakeを投げ出し、昨Q$841M、本Q$900Mの(l┬)C(j┤)が見込まれるST-Ericssonにおける役割を解くようEricssonとBし合っている旨。

モバイル半導業合弁を脱するk(sh┫)、今後の最先端に向けたfully-depleted silicon on insulator(FDSOI)]プロセスはしっかり守ってやっていくとしている。

◇ST voices new strategy, recommits to fully depleted SOI (12月10日け EE Times)
→ST-Ericssonを売却あるいは閉鎖する画にも拘らず、fully-depleted silicon on insulator(FDSOI)]プロセスのユーザであるSTMicroelectronicsが、該\術を守って、Grenoble, FranceZくのCrollesにあるウェーハfabで作りけるT向の旨。Crollesで]するプロセス\術は3つ、FDSOI、embeddedノンボラメモリきCMOS、およびimagingセンサCMOSである旨。

◇ST exiting mobile chip JV with Ericsson, but still committed to FD-SOI (12月10日け ELECTROIQ)

IEDMでもSTMicroelectronicsは、次のx言を行っている。

◇28-nm FDSOI is production ready, says ST (12月11日け EE Times)
→STMicroelectronicsが、同社Crolles 300-mmウェーハ拠点にて28-nm fully depleted silicon-on-insulator(FDSOI)のpre-productionが行えていると発表、この発表はIEDMと(h┐o)でSan Franciscoで行われているFDSOIワークショップとk致している旨。

このFDSOIは今後に向けた最先端の(li│n)I(m┌i)肢として、Intelが主導するFinFETsと並び称されているX(ju└)況がある。

◇FinFETs or FD-SOI? (12月11日け SemiMD)
→STMicroelectronicsが昨日、fully depleted silicon on insulator(FD-SOI)\術をいた同社28-nm攵Si半導のT果を披露、bulk CMOSに瓦靴鴇ない電で]度が30%改されるとしている。ここ数ヶ月にわたってFD-SOIかFinFETsかの議bが行われてきている。FinFETsとFD-SOIはともにleakage電流のU(ku┛)御について改が見込まれるが、FinFETsは設がよりMしい。FD-SOIは、bulk CMOSで使われたものより性の良い異なるSPICEモデルをいるけれども、設フローは同じである。

業戦Sの鍵の1つとして最先端をFDSOIに賭けるSTMicroelectronicsのスタンスが窺えている。 

◇London Calling: Whither ST? (12月12日け EE Times)
→STMicroelectronicsの{返りv復に向けて依カギとなりそうなのが、モバイルデバイスx場でST-Ericssonの合を高めるようSTがHかれ少なかれ仕立てた]プロセス\術、FD-SOIである旨。FD-SOIは、に低消J電の点で28-および20-nmではbulk CMOSおよびFinFET CMOSプロセスに本当にMてそうな兆tがある旨。STは先端CMOS]からはH少外れているが、少なくともFD-SOIが同社にとって今後の~望な(li│n)I(m┌i)肢となる旨。

かたやIntelのFinFETsについてもIEDMでは、X(qi│n)い議bが行われたX(ju└)況が見られている。

◇Intel's FinFETs approach draws fire from rivals (12月13日け EE Times)
→新しい構]および材料の配`の中、半導\術の今後を議bするexpertsパネルにて、Intelが広めているFinFETsをFhする向きも、単純なO(p┴ng)のりではなくむしろQ(ch┘ng)々トレードオフのある不?sh┤)W定なO(p┴ng)筋k式であることが確にされた旨。

最先端\術によるx場t開について、Intelからは450-mmウェーハになると擇残るプレーヤーはまた半分になると次の見(sh┫)を出している。 

◇Intel: Transition to 450mm Will Terminate Half of Semiconductor Market Players. -Numerous Transitions Incoming This Decade Will Reduce the Number of Semiconductor Companies - Paul Otellini (12月10日け XBitLabs.com)
→IntelのCEO、Paul Otellini(hu━)がSanford Bernstein\術conferenceにて。
450-mmウェーハ]へのの々圓如半導メーカーの数は半分になると見る旨。k般にウェーハ∨,諒(g┛u)が業cできると、設および攵のx場プレーヤーで擇残るのは半分Vまりの旨。

IEDMでは、Globalfoundriesが今後の業戦Sの考え(sh┫)を次の通り説いている。28-nmより先の官が行えるのは4社だけ、Intel、Samsung、TSMCそしてGlobalFoundriesであるとしている。

◇Foundries not dead, just evolving, says Globalfoundries CEO (12月13日け EE Times)
→GlobalfoundriesのCEO、Ajit Manocha(hu━)、曜11日の講演。ファブレス/ファウンドリーモデルはOの問はあるかもしれないが、消滅からは遠い旨。ファブレスモデルは終焉に向かっているという批判を却下、代わりにファウンドリーモデルが(r┫n)常にj(lu┛)きなPびを(j┤)していて引きき他の半導業c分野を?j┼n)vっていくと見る旨。実際、今後に慎_であるべきはintegrated device manufacturers(IDMs)の(sh┫)であり、統合モデルは行きVまりにあると(d┛ng)く主張の旨。にエレクトロニクスにおいては進化しけなければならず、新モデル、"Foundry 2.0"に々圓垢襪箸ではある旨。

以下、今後のデバイスメーカーのあり(sh┫)についてもつべき考え(sh┫)の1つであると思う。  

◇Device manufacturers' 'Holy Trinity' (12月12日け EE Times)
→今日のx場はデバイスメーカーには厳しいX(ju└)況がある旨。グローバルx場では最Z、医機_(d│)、テレコムから石(t┤ng)およびガスの機械および建築O動化まで広J(r┬n)囲に商化動を行っている新しいプレーヤーからの合が高まっており、複雑なsupply chains、\j(lu┛)する商、\料および輸送価格が]コストを屬押▲沺璽献鵑魏爾欧討い觧檗今日のに進化するx場および変化する顧客ニーズには、j(lu┛)(sh┫)の旧型メーカーがもっていない高水の柔軟性および敏捷性が要になる旨。


≪x場実PickUp≫

峙のGlobalFoundriesからは、欧Δ糧焼]мqの不Bを(r┫n)常に率直に訴えるメッセージが出されている。国際社会での押しというものを感じている。

【ダイレクトなアピール】

◇GlobalFoundries CEO urges Europe to support chip manufacturing (12月11日け Reuters)
→San Franciscoでのイベントにて、GlobalFoundriesのCEO、Ajit Manocha(hu━)。欧Δ任糧焼メーカーのウェーハfab工場建設を望むのなら、欧οBはもっと財мqを供給しなければならない旨。「O分がアジアに行くと、(l┬)じゅうたんを広げ、たくさんの\成がTされる。New YorkΔ(r┫n)常によく動いてもらっている。欧Δ呂修量魍笋鯏格に果たしていない。」

IEDMについて業戦Sに絡む内容はすでにDり屬欧燭、来の最先端アプローチのアップデートは`についたJ(r┬n)囲で以下の通り。

【International Electron Devices Meeting(IEDM)】

◇IBM, Intel face off in 22 nm process at IEDM (12月10日け EE Times)
→IntelとIBMが今v、立てけのpapersで最新22-nm\術で直接姦、それとは別にIntelのトップfab executiveが、ウェーハコストの\j(lu┛)および同社のファウンドリー業に言及の旨。
IBMの新しい3-D ready, 22-nmプロセス\術でのサーバプロセッサprototypingは、同社32-nmノードに瓦25-35%性Ε▲奪廚隆待の旨。
Intelはすでにいくつかの22-nm半導で量摳行しており、広J(r┬n)囲の応に向けたSoCsプロセスt開を披露の旨。

◇IEDM: Moore's Law seen hitting big bump at 14 nm (12月11日け EE Times)
→月曜10日の基調講演にて、ImecのCEO、Luc Van den hove(hu━)。14-nmプロセスでの半導攵は、extreme-ultraviolet(EUV)リソ使をQに入れても、28-nm半導より少なくとも60%以峭皺舛砲覆觚込み、14-nmでの設基のいくつかはいくぶん緩めなければならない様相の旨。

◇FDSOI roadmap renames next node as 14-nm (12月12日け EE Times)
→今週(h┐o)のfully depleted silicon on insulator(FDSOI) workshopで(j┤)されたドキュメントでは、今vのFDSOIロードマップで20-nmが省かれ、直接14-nm、それから10-nmとなっている旨。

湾のMediaTekが、況のスマートフォンのSに最も乗っているプレーヤーになっているとのこと。以下のX(ju└)況である。

【調MediaTek】

◇MediaTek targets Qualcomm with quad-core/modem SoC (12月11日け EE Times)
→世cで最も]にPびているスマートフォン半導サプライヤ、MediaTekが今週、"業c初、multimode modem統合の商quad-coreスマートフォン半導"をサンプル配布している旨。

◇Yoshida in China: Will MediaTek's luck hold in 2013? (12月13日け EE Times)
→ほとんどのモバイル半導ベンダーが顧客基盤をS的に(f┫)らし、x場シェアを落としているQに、W楽に2012Qの同社スマートフォン半導出荷10倍\をBにしている湾のMediaTek。同社は2011Qの間はスマートフォンx場ではT在感は小さかったが、それからのこと、AndroidアプリおよびAndroid phonesの拡がり、China MobileのTD-SCDMA footprint\j(lu┛)そして消Jvの間のくことを(m┬ng)らないスマートフォンへの欲望が、グローバルなスマートフォン\に寄与している旨。

ロシアにおける半導関連のZ況が以下の通りである。出@、誘致などP数が\えているが、推,k般にはつかみにくいところがあると思う。

【ロシアのZ況】

◇London Calling: Russia must deliver on tech investment (12月10日け EE Times)
→エレクトロニクスにおけるロシアの信性は長らく低く、HすぎるB画が発表され、~行されていない旨。ロシアは石(t┤ng)、ガスなどエネルギー@源によるたなぼたがu(p┴ng)られると、ハイテク投@に向けた_要な@金耀u(p┴ng)となる旨。契約数が\えて、高YになっているZ況:
 2008: ロシアのOneximがLED照合弁を設立 (Optogan)
 2010: RusnanoがPlastic Logicに出@ (](m└i)期$300M、長期$700M)
 2011: ロシアがMRAM startup、Crocusをмq ($250M)
 2011: Rusnanoが、MEMSのSiTimeをロシアへ ($15M)
 2012: Rusnanoが$79M Quantenna dealをмq
 2012: NeoPhotonicsがRusnanoとD引, ロシアに拠点を画 ($40M)
 2012: Aquantiaが$35M Series F funding round完了
 2012: ロシアがMapper e-beamリソメーカーをмq (約$50M)


≪グローバル雑学?f┫)棔?32≫

j(lu┛)震u、原発故をpけてj(lu┛)きく変わらざるをu(p┴ng)なくなったエネルギーの見(sh┫)であるが、

『日本経済復、最後のチャンス −変化恐怖fを脱して「3K立国」へ』
  (橋  著:朝日新書 350) …2012Q 5月30日 1刷発行

より改めて元には戻れなくなったX(ju└)況を確認する。耐省エネ性、耐I電性に富んだ、サービスしかこれからは擇残れないし、通しなくなる今後であり、我が国の今後のDり組みに向けて今まで積み屬欧晋果を発ァする\術の見せ所となる。


I陝/靴靴て本に擇泙貶僂錣
3章 I電革命が擇爛好螢爐幣噞構]  

□石(t┤ng)文は崩sした
・石(t┤ng)と電気のお?ji┌ng)で、l(shu┴)かなを送ることが可Δ
・その石(t┤ng)文も、地球a(b┳)暖化問の発擇任發蹐も破V
・原子発電も、e(cu┛)険性が厳しく問われるように

□忘れられていた(ji┐n)要Cからの削(f┫)
・これまで、エネルギー問は、もっぱら供給Cからの敢

□石(t┤ng)をジャブジャブがl(shu┴)かなの(j┫)徴
・電(ji┐n)要がピークに達する数日間、数時間に官できるように供給U(ku┛)をDえておくことが電会社の最j(lu┛)の仕
 →(r┫n)常に(r┫n)効率で、割高な電気料金を噞cや消Jvに負担させるT果に

□(l┬)C(j┤)にならない総括原価(sh┫)式を採
・日本の電会社は地域独企業
 →総J(設≫J、人PJ、維eJなど)、すなわち総括原価にk定率をXけてW(w┌ng)益をQ出、それを加Qした合
 …総括原価(sh┫)式

□I電革命が始まった
・東B電では、j(lu┛)震u発攜紊3月14日から画停電に
 →電気業法に基づく措
 →1vの停電時間は3時間度、区域によっては1日に2v、6時間になるところも

□k時的にj(lu┛)混乱が発
・突の画停電はj(lu┛)混乱、日常や企業動の此垢泙

□15%削(f┫)でピーク(ji┐n)要を乗り切る
・4月いっぱい実施の予定だった画停電が](m└i)期間でvcできた
 →国cや企業の`を見張るようなI電へのDり組みが奏功
 →東発電1(gu┤)機(川崎x、出100万KW)の運転再開など、供給のv復も

□様々なI電へのDり組み
・鉄O(p┴ng)Q(ch┘ng)社は間引き運転などで官
 →間引き運転、LED照への切りえなど
・O動Zの土日操業
・サマータイム
・積極的だった個人のDり組み
 →家庭で使う電使量の約4割がエアコンと冷U
 →家庭電球にめるLED電球の割合:
  2011Q5月 37%度 → 秋以T 50%

□もう元のX(ju└)に戻れない
・実際のI電効果として、7〜8月2ヶ月間の電消J:[@源エネルギー庁@料]
  東B電管内 平日ベース、iQ(c│i)比 21.9%(f┫)
  東電管内            21.3%(f┫)
 →使U(ku┛)限令の15%をj(lu┛)幅に?j┼n)vる
・原発故で、日本の電供給情はj(lu┛)きく変化
 →「3・11」以iのX(ju└)に戻ることはもはや不可

□電供給不Bの時代が長期化する
・今後5〜10QほどのZ未来を[定
 →日本は否応なく電不B時代、(ji┐n)要抑U(ku┛)がめ}に
・15%度のI電に耐えられない企業は、業M(f┬i)がMしくなる覚悟が要

□省エネ型噞構]への転換のチャンス
・I電革命は、日本の電H消J型の噞構]をスリム化させるまたとないチャンス
 →a(b┳)暖化敢にもj(lu┛)きな貢献が期待

ごT見・ご感[
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