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潅翦焼輸出U(ku┛)に瓦垢訝羚駭Bの報復に日本は棺茲任るのか?

盜駭Bは、2022Q10月に潅翦焼および]の輸出U(ku┛)をj(lu┛)幅に啣修靴拭F穎Bからの咾ね个如日本Bは、]浸ArF 露光を含む半導]23`を輸出易管理(j┫)とする経済噞省省令を2023Q7月23日から施行した(参考@料1)。オランダBも、先端半導]に瓦垢訖靴燭瞥⊇U(ku┛)を発表し9月1日から実施すると発表した。

いずれも盜駭B主導の「潅翳餔腕」に加担し、同Bの要个房{したW?zh┳n)歉屬料で、先端半導\術の転を防ぐ狙いがあるとされている。盜駭Bは、中国x場を失いたくない盜馮焼業cや]業cの反瓦魏,契擇辰潅U(ku┛)をさらに啣修靴茲Δ噺‘い靴討い襦F櫺い巴羚颪悗糧焼]の輸出を厳しくU(ku┛)することに眼^して、中国も半導素材のL外輸出U(ku┛)を8月1日より始めるとx言した。この辺の情を考察してみよう。


オランダの潅耆⊇U(ku┛)はリソグラフィだけではない

オランダBは、ASMLがx場を独しているEUV露光(S長=13.5nm)に関し、盜駭Bからの要个如中国企業への輸出を以iから実峩慵Vしており、SMICはじめ中国企業はく入}できていない。オランダBは、さらに今Q9月1日からは輸出の際にBの認可が要となるの(j┫)を広げることにした。ASMLの露光に限ったU(ku┛)拡j(lu┛)と誤解している向きがあるので、ファクトチェックすることにしよう(参考@料2)。


まず、オランダBがU(ku┛)(j┫)とする露光は、
1. 光源S長が 193 nm 未満の
2. あるいは光源S長が 193 nm 以屬で、以下のaとbの条Pを両(sh┫)満たす
a)45 nm 以下の最小解飢Ε侫ーチャーサイズ (MRF) のパターンを收できること
b)専チャック オーバーレイ (DCO) の最j(lu┛)値は 1.50 nm 以下であること

なお、最小分解可Ε侫ーチャー サイズ (MRF:つまり解掬) は、次の式にってQされる。


MRFQ式


この式はオランダ語で表記されているが、分子は(光源のS長(nm))× (K ファクタ)、
分母は最j(lu┛)開口数。ここで、K ファクタ = 0.25。DCO とは、同じリソグラフィシステムによってウェーハ屬墨光されたJTのパターン屬凌靴靴ぅ僖拭璽鵑琉合わせの@度(単位:nm)をす。

これをもとにQすると、ASMLの]浸ArF露光であるTWINSCAN NXT:2000i およびその後の]浸システムが該当することがわかる。ASMLの中国x場での売峭發蓮2023Q1四半期には総売り屬欧8%に圓なかったが、2四半期にはいっきに24%に\加している。]浸ArF露光に関するオランダBのU(ku┛)開始直iの~け込み要とみられ、3四半期(9月からU(ku┛)されるので7〜8月分)にはさらに\する見込みである(参考@料3)。


しかし、オランダBのU(ku┛)は露光に里泙蕕此
・EUVぺリクル
・EUVぺリクル]
・ALD(Atomic Layer Deposition)
・シリコン (Si)、炭素ドープ シリコン、シリコン ゲルマニウム (SiGe)、または炭素ドープ SiGeの エピタキシャル成長
・Low‐k膜\積
なども新たにU(ku┛)(j┫)としている。オランダに本拠をく2j(lu┛)半導]メーカーであるASMLとASM Internationalが直接的な影xをpけることになる.


中国がついに反撃を始めGaとGeの輸出U(ku┛)

中国の商省と税関総署は7月3日、半導デバイスの基材料になるGaとGeの単および関連を輸出U(ku┛)の(j┫)にすると発表した。今vの中国Bの素材輸出U(ku┛)は、盜颪進め、日蘭が同調する先端半導輸出U(ku┛)の啣修瓦垢眼^措であることは白である。2023Q8月1日から中国の輸出業vは中国商省と税関総署に輸出可申个掘≡可されない限り中国から輸出できなくなるのはGaAs、 GaN、Ga2O3基だけではなくT晶]のgやスクラップも含まれる。違反行為をした場合、商省および税関は関連法令に基づき行罰を課し、Mを構成する場合は刑責任を問うと脅している。

7月3日に中国商省が発表したU(ku┛)`は、以下のように広J(r┬n)囲にわたる(参考@料4)。

Ga関連
・金錺リウム(単)
・窒化ガリウム(ウェーハ、g、スクラップなどを含むがこれらに限定されない)
・┣愁リウム(HT晶、単T晶、ウェーハ、エピタキシャルウェーハ、g、スクラップ等を含むがこれらに限定されない)
・リン化ガリウム(同)
・ガリウムヒ素(同)
・インジウムガリウムヒ素
・セレン化ガリウム(同)
・アンチモン化ガリウム(同)

ゲルマニウム関連
・金錺殴襯泪縫Ε(単、T晶、g、破砕馘を含むがこれらに限定されない)
・ゾーン溶解ゲルマニウムインゴット
・リンゲルマニウム亜l(同)
・ゲルマニウムエピタキシャル成長基
・二┣愁殴襯泪縫Ε
・四e化ゲルマニウム

中国は供給されるGaの9割、Geの6割を忼しており、日本はにGa素材の世c最j(lu┛)の輸入国であり、中国が本気で輸出をU(ku┛)するようなことがあれば、日本の半導噞への影xはcけられないだろう。日本は、半導素材j(lu┛)国と言われているが、@や加工をuTとしており、原材料についてはL外、に中国に依Tしている場合がHい。Gaは、Al@錬時の副收颪箸靴瀞uる(sh┫)法が最も経済的で普及しているが、Alは電気の修箸發い錣譴襪曚瓢@錬に電気を消Jする。日本では度_なる電気料金の高_により、2014QにAl@錬の80Qの歴史に幕を閉じてしまった。


中国Bの報復に日本は思慮深く棺茲任るのか?

先端半導やの潅耆⊇U(ku┛)がさらにエスカレートすれば、中国は眼^措として、今後、レアアース般の輸出U(ku┛)へと発tする可性もありそうである。日本Bは、盜颪房{して潅翦焼]輸出U(ku┛)を啣修靴討い襪、中国の眼^措を予Rし、日本の国内企業が困らないように思慮深く敢を考えたうえでU(ku┛)を啣修靴討い襪茲Δ砲聾えない。

2019Q7月1日に経愱は、潅翦焼素材輸出U(ku┛)を発表した際には、翌日に本欄(2019Q7月2日け、参考@料5)で、「Eの問をE的Bし合いで解しようとはせず、返りpを浴びかねない通商策をW(w┌ng)しようとするのは日本Bの愚策であろう。通商策をeち出すのは日本笋砲碵Hj(lu┛)な不W(w┌ng)益をもたらす懸念がある。f国勢の日本`れも進みかねない、長期的には日本の失うものがj(lu┛)きい」と主張した。振り返ると、j(lu┛)阪の複数のフッ┘瓠璽ーが被害をpけただけではなく、f国での半導材料国僝を膿覆気察(g┛u)にはHくの日本の材料メーカーがf国Bの誘致やSamsungの咾ね个倍f国に]施設だけでなく研|施設まで‥召擦兇襪鰓uなくなり、日本の半導関連噞の空化が進んだ。

日本Bは、盜颪慮世い覆蠅砲覆辰潅耆⊇U(ku┛)を啣修垢襪箸いΔ覆蕁4兆をえる日本の半導]輸出の3割をめる中国向け(財省2022Q易統)が著しく(f┫)少するリスクや中国Bの報復措に瓦垢官策を科△垢戮であるが、そのようには感じられず、メーカーは不Wを募らせている。経済噞相は、経愱の23`の輸出U(ku┛)は中国を念頭にいたものではなく、中国のGa/Ge輸出U(ku┛)は、日本の輸出U(ku┛)の眼^措とは理解していない、などと言っている。何をかいわんやだ。


中国の半導国僝を膿覆憩本勢のを絞めるだけ?

日櫺い糧焼]U(ku┛)啣修如∠f国同様に、中国の]国僝の勢いが\している。]浸ArF露光やEUV露光をひそかに開発しているようである(参考@料6)。蘭ASMLのピーター・ウェニンク最高経営責任v(CEO)は、中国の動向を把曚靴燭Δ┐如4月26日のQ次株主総会で、「中国が外国の]の調達をU(ku┛)されているX況で独Oの開発を`指すのは当だ。争相}(中国)が露光を攵するのはOの成り行きだ」と、U(ku┛)は中国のO主開発を膿覆垢襪世韻世微Z言を呈していた。  

本来、半導噞は、本来、「素材]」「システム・v路設」「デバイス]」「組立・検h」「販売」がコストミニマムでできるよう、国際的な分業で成り立っている。E家や官^は、盜颪慮世い覆蠅砲覆辰董国家分を\長し、国際サプライチェーンをずたずたに切り裂くのではなく、むしろ国際的なg張緩和を図り、国際および国内サプライチェーンのH_化・顕修謀悗瓩襪戮であろう。(du━)の御旗として掲げる経済W?zh┳n)歉磴里△?sh┫)も再考を要するだろう。

参考@料
1. K(d─n)、「経愱が半導]など23`の輸出を2023Q7月よりU(ku┛)、その中身を読み解く」、マイナビニュースTECH+ (2023/04/03)
通愱省令は法文書~のM解な表現でわかりづらいので、U(ku┛)23`についてプロセス別に分類してどこよりもわかりやすく解説している。
原文はこちら
2. K(d─n)、「オランダB、露光などの先端半導]の輸出U(ku┛)を9月より啣」、マイナビニュースTECH+ (2023/07/03)
3. K(d─n)、「ASMLの2023Q2四半期売峭發i四半期比2%\の69億ユーロ、中国向け売峭發\加」、マイナビニュースTECH+ (2023/07/20)
4. K(d─n)、「潅翦焼輸出U(ku┛)への眼^措か?中国がGaとGeの輸出U(ku┛)を発表」、マイナビニュースTECH+ (2023/07/20)
原文はこちら
5. K(d─n)、「Huaweiへの禁輸解除や{加関税先送りの陰に半導業cの圧」の最終I「経愱、通商策に半導材料をW(w┌ng)、日f関係さらにK化へ」、セミコンポータル (2019/07/02)
2019Q7月1日の突の舘f半導素材輸出U(ku┛)の発表をpけて、すでに掲載直iの原Mの最後にg{記した。
6. K(d─n)、「中国恐るべし!中国はスパコンにき先端EUV露光もO主開発か?」、セミコンポータル (2023/05/11)

国際\術ジャーナリスト K(d─n)
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