面柜廓恫るべし!藍(lán)糙葷各礁媚がねらうNAND嫡啪の入忽
殿る8奉22泣に澎疊で倡號(hào)されたセミコンダクタポ〖タル肩號(hào)≈2018鉗稿染からの1鉗を吶拍試礁墓と的俠しよう∽セミナ〖∈徊雇獲瘟1∷に叫朗して、いくつかコメントを揭べた。1鉗漣にもこの號(hào)しに徊裁したが、その狠は驢くの徊裁莢が≈海稿の染瞥攣緩度の黎乖きが粕めない∽ことに嗆み、≈染瞥攣緩度の黎乖回篩になるようなものはないか々∽との劑啼や罷斧が陵肌いだ。それは柜癱另欄緩∈GDP∷だと驢くの客が慨じ、なかにはTSMCの度烙を答に徒盧しているという客もいた。
その箕の諱のコメントは、稿泣、塑ブログに浩峽したが∈徊雇獲瘟2、3∷、辦庚で咐えば、黎乖回篩は、絡(luò)庚杠狄のメモリ防腆擦呈∈眶ヵ奉黎の艱苞擦呈∷で、その懼競(jìng)ぶりで染瞥攣緩度の黎乖きが粕めるというものだった。海攙は、嫡にメモリ擦呈の布皖が黎乖回篩となるだろう。ただし、メモリ擦呈が布皖しても、それによって見妥が喘彈されれば、スマ〖トフォンにもPC にもデ〖タセンタ〖のサ〖バにもその戮の排灰怠達(dá)にもメモリがもっと烹很されるようになり、染瞥攣網(wǎng)脫の攆收が弓がるから擦呈你布は墓い謄で斧れば礙いことばかりではない。この收の禍攫は、吶拍試礁墓が塑腕で帆り手し揭べているので、腳剩を閏けて、海攙は、セミナ〖でもう辦つの廈瑪となった面柜禍攫について艱り懼げることにしよう。
面柜廓が坤腸呵光廬NANDを悸附するための禱窖を券山
躥柜蠟紹は≈躥柜廓が暗泡弄なシェアを肛る染瞥攣メモリ尸填で、柜忽で楓しく納い懼げてくる面柜廓との禱窖呈汗が教まり、いずれシェアを氓われてしまうのではないか∽と錯(cuò)怠炊を積っていることを7奉に疽拆したが(徊雇獲瘟4)、その錯(cuò)怠炊をさらにあおるような≈禍鳳∽が彈きた。
面柜藍(lán)糙葷各礁媚槐布の糠督NAND房フラッシュメモリメ〖カ〖であるYangtze Memory Technologies∈維疚YMTC、面柜での賴及嘆疚¨墓咕賂藤彩禱、疥哼孟〃感頌臼紳戳輝∷は、3D-NANDの光拉墻步、光泰刨步を材墻とする迫極禱窖≈Xtacking∽を2019鉗笆慣に翁緩する徒年の瀾墑に瞥掐すると海鉗8奉6泣に極家のウエブサイト懼で券山した∈徊雇獲瘟5∷。
また、票家CEOのSimon Yang會(huì)は、票箕袋に勢(shì)柜シリコンバレ〖で倡號(hào)されたフラッシュメモリの柜狠柴的≈Flash Memory Summit∽に擯いて票禱窖の拒嘿を券山した。 YMTCの券山は票柴的にて巨豢され、≈Best Innovative Flash Memory Startup∽として山敬を減けた。
票家のYang CEOは≈(附哼、Samsung Electronicsが倡券を渴めている)坤腸呵光クラスの3D-NANDのI/O廬刨は1.4Gbpsが謄篩となっているが、度腸の絡(luò)驢眶のNAND I/O は1.0Gbps笆布である。Xtacking禱窖を努脫することで、NAND I/Oの廬刨はDDR4 DRAMと票霹笆懼となる呵絡(luò)3.0Gbpsまで苞き懼げることが材墻となる∽と揭べ、NAND度腸のゲ〖ムチェンジャ〖になることを離咐した。
Xtackingは、デ〖タI/Oとメモリセル瓢侯の慨規(guī)借妄をするCMOS件收攙烯と3D-NANDメモリセルˇアレイを侍」のウェ〖ハを脫いて侯瀾し、それらを磨り圭わせるというもの。布霖の3D NANDと懼霖の件收攙烯は、ウェ〖ハ鏈攣に妨喇された眶紗它改の垛擄ビアを拆して排丹弄に儡魯される。件收攙烯には、NANDフラッシュメモリのプロセスよりもはるかに腮嘿なロジックプロセスを努脫できるため、貸賂のメモリアレイと件收攙烯を辦攣步させた瀾隴數(shù)恕よりもデバイス拉墻を羹懼することができるとしている。
驕丸の3D-NANDア〖キテクチャは、件收攙烯がチップ燙姥の20〜30%を貍めることから、NANDのビット泰刨を你布させていた。經(jīng)丸弄に、3D-NAND禱窖が128霖笆懼に渴鷗すれば、件收攙烯が鏈チップ燙姥の50%笆懼を貍める材墻拉もあるとされているが、Xtacking禱窖を蝗脫すると、3D NANDメモリセルˇアレイと件收攙烯を尸けて姥霖できるため、貸賂の3D-NAND禱窖と孺べてビット泰刨を光めることが材墻になると票家は棱湯している。
また、票禱窖を努脫すると、NANDメモリセルˇアレイと件收攙烯を侍」のチ〖ムで肋紛侯度を乖うことができるほか、デザインル〖ルの佰なる瀾隴プロセスを努脫できるため、瀾墑倡券箕粗が警なくとも驕丸よりも3ヵ奉ほど沒教、瀾隴サイクルタイムも票20%沒教、そして輝眷へのアクセスタイムの沒教も材墻となるため、沸蹦燙でも庭疤に惟てるとしている。さらに、杠狄の妥司で件收攙烯のカスタム步も推白に乖なえるようになるため、ビジネスの升も弓げられると票家では、輝眷橙絡(luò)に袋略を大せている。
票禱窖は2019鉗に絡(luò)翁欄緩を倡幌する徒年の媽2坤洛の3D NAND(32霖墑)から努脫する紛茶だというが、すでに媽3坤洛に陵碰する64霖墑のテ〖プアウトも窗位し、活侯も渴んでいるとのことで、こうした甫墊喇蔡の辦嬸が、海攙のFlash Memory Summitで券山されたわけである。
面柜廓の迢渴に錯(cuò)怠炊動(dòng)める躥柜廓
まもなく幌まるであろう面柜メモリ度腸の淘茍に灤し、呵も動(dòng)い錯(cuò)怠炊をもっているのはSamsungとSK Hynixという2絡(luò)メモリ〗措度を銅する躥柜である(徊雇獲瘟4)。
海攙、件攙覓れと斧ていたYMTCが迫極の禱窖により躥柜廓との汗佰步を哭ろうとしたことに灤し、躥柜メディアは、YMTCの券山やFlash Memory SummitでのYang CEOの怪遍を、睹貌と錯(cuò)怠炊をもって廬鼠として帕えている。面丙泣鼠は、≈面柜染瞥攣が鄂曲、サムスンより廬い32檬NAND翁緩∽(8奉9泣燒け)と瑪し、面柜が睹佰弄な廬刨でNANDの倡券を渴めていることを、錯(cuò)怠炊をもって帕えた。また、すでにYMTCが、64霖3D-NANDの活侯墑を面柜柒のIT措度に羌?jí)劋筏皮い毪长趣胜嗓摔饪à臁④f柜の染瞥攣度腸にも、2019鉗の布染袋には逼讀が叫てくる材墻拉があることを回紐した。そして、64霖3D-NANDも2019鉗瑣には翁緩に敗乖することもできるとの斧數(shù)も績(jī)した。
ただし、そうした都耙とする羹きの辦數(shù)で、ウェ〖ハを2綏脫いるため、ウェ〖ハ2綏尸のコストがかかること、ならびに姥霖供鎳が糠たに納裁され、欄緩箕粗が途紛にかかることなどにも卡れており、殊偽まりが懼がりにくく、翁緩は豈しいとの斧數(shù)も疽拆している。
面丙泣鼠は構(gòu)に8奉13泣燒の家棱で≈躥柜沸貉の渺である染瞥攣緩度に灤する焚鼠不も聾がしく棠り讀いている。∝染瞥攣至彈≠を非げた面柜の納封もまた塑呈步する名しだ。面柜措度YMTCは海奉介めに勢(shì)シリコンバレ〖で禱窖怪遍をして≈丸鉗からNAND房フラッシュを翁緩する∽と離咐した。∝染瞥攣疼績(jī)峽≠が附悸步すれば米炭燼を減けるのは躥柜沸貉だ∽と揭べ、躥柜蠟紹が錯(cuò)怠を詭繩する蠟忽を玲締にとるように錯(cuò)怠炊をもって潦えている。
なお、駱涎の沸貉泣穿繪である宕呋泣鼠も、8奉7泣燒で≈葷各糠淡脖耋禱窖刻冼度腸(面柜葷各礁媚が券山した糠メモリ禱窖が染瞥攣度腸に刻冼を涂えている)∽との斧叫しで海攙の艱り寥みを帕えており、Flash Memory Summitの倡號(hào)孟でもある勢(shì)柜を崔め、面柜廓の染瞥攣メモリ禱窖匙糠への動(dòng)い罷瓦を、都耙として減け賄めた羹きが驢いようだ。
面柜廓のリスクを砷った淘茍に灤借できているか
メモリセルアレイと件收攙烯を侍」に侯って磨り圭わせるというアイデアは、NANDフラッシュメモリメ〖カ〖の禱窖莢なら茂もが笆漣から積っていたもので、けっして睹くようなものではない。ただし、面柜廓を近き茂もリスクを砷って悸附しようとはしなかった。尸填は般うが、ソニ〖のCMOSイメ〖ジセンサの微燙救紀(jì)や件收攙烯の3肌傅姥霖もアイデアとしては牢からあったが、ソニ〖笆嘲茂もリスクを砷って悸附しようとはしなかった。馮蔡として、CCDに蓋脊したためCMOSイメ〖ジセンサ呵稿券だったソニ〖があっという粗に黎片に迢り叫たことは淡脖に糠しい。
YMTCは、貸賂NANDフラッシュ翁緩供眷の鎢儡孟に媽2、媽3のNAND翁緩供眷の氟肋を紛茶しており、科柴家の藍(lán)糙葷各礁媚は、歐吶や喇旁にも染瞥攣供眷∈瀾墑カテゴリ〖は踏年∷氟肋を紛茶している。票礁媚は海稿10鉗粗で1000帛ドル(11名邊)の納裁抨獲を紛茶しているとも帕えられている。また、票礁媚は、槐布の剩眶のファブレスで染瞥攣肋紛墻蝸を螟しく動(dòng)めており、すでに呵黎眉デバイスを肋紛できるレベルに茫している。面柜恫るべし!の覺斗に、躥柜廓は、そして泣塑廓はどのように灤借するつもりだろうか?
徊雇獲瘟
1. SPIマ〖ケットセミナ〖坤腸染瞥攣輝眷、2018鉗稿染からの1鉗を吶拍試礁墓と的俠しよう (2018/08/22)
2. 繩嬸擔(dān)〃≈海稿の染瞥攣緩度の喇墓を貍う黎乖回篩は部か? それはGDPではない!∽(2017/08/23)
3. 繩嬸擔(dān)¨≈海稿の染瞥攣緩度の喇墓を貍う黎乖回篩は部か?それはメモリ擦呈!∽(2017/09/05)
4. 繩嬸擔(dān)¨≈躥柜でなかなか伴たない潤(rùn)メモリビジネス禍攫〗躥柜蠟紹の錯(cuò)怠炊∽(2018/07/24)
5. Yangtze Memory Technologies Introduces New 3D NAND Architecture -- XtackingTM
