2011年5月 9日
|長見晃のL(zh┌ng)外トピックス
(sh━)SIAから3月、そしてk四半期を締める世c半導販売高が発表され、としては\加基調を維eしているが、j(lu┛)震uに見舞われた我が国のx場の落ち込みが表われており、復旧に向けた動がの今後にどう効いてくるか、しばらくR`である。k(sh┫)、来の平Cから立構]にブレイクスルーを図る22-nmノード世代のトランジスタがインテルから発表され、それと時を揃えるように同社を軸とするx場U(ku┛)覇に向けた新たな~け引きが表C化してきている。
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2011年5月 2日
|泉谷渉の点
筆vが、かの3/11のj(lu┛)衝撃ともいうべき地震を経xした時、東B・イ窪の商莂砲い拭ただちに電BがかかってきたのはデジタルカメラメーカーとZ載関連メーカーであった。いずれもルネサスエレクトロニクスの被害X況をすぐ(m┬ng)りたいということであった。
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2011年5月 2日
|長見晃のL(zh┌ng)外トピックス
Q|経済指YやQ社業績の発表に、東日本j(lu┛)震uの影xによる下(sh┫)Tがさらに的に表われてきている。落ち込みはk時的で今Q半ば以T、四半期にも以iの水をDり戻すという見(sh┫)が出ているが、半導のサプライチェーンをとっても(r┫n)常にH数のアイテム数に及ぶのとkつL(f┘ng)けても成り立たない性格であり、RT深い見極めを引きき要するところと思う。k(sh┫)、に国内のx場要の萎縮があってはならず、最先端の\術、サービスを~使した喚努がk層求められる情勢を感じている。
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2011年4月25日
|長見晃のL(zh┌ng)外トピックス
j(lu┛)震uの被害を乗り越えて操業を再開するQ社からの発表が相次いでいる。
この1-3月、k四半期の業績発表も行われ、Hかれ少なかれj(lu┛)震uの影xについてのコメントがされているが、j(lu┛)(sh┫)の予[を?j┼n)vるインテル、アップル両社の記{的な売屬欧`立つ形である。しかしながら、・材料在Uの切れ`に間に合う充が、操業再開でmめられるかどうかが点となっており、現下の二四半期の業況推,にR`ということと思う。
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2011年4月18日
|長見晃のL(zh┌ng)外トピックス
タブレット、スマートフォンなど新しい携帯端のt開に軸Bをいた当Cの半導・エレクトロニクスx場の見(sh┫)が(d┛ng)まってきているk(sh┫)で、東日本j(lu┛)震uによるグローバルSupply Chainへの|りを早にDり除くことがi提となる的な情勢を感じている。世cのx場がR`するなか、我が国の供給に向けたDり組みとともに、関心を}ぶ実データをできるだけらかにしていくことが、お互いの交流のv復・膿覆鮨泙屬拍L(f┘ng)かせないX況となってきている。
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2011年4月11日
|j(lu┛)和田敦之の日(sh━)の開発現場から
半導は電なしでは]できない屬忙斑もできないとの菘世ら、今の日本がかれている電e(cu┛)機について高い関心をeたざるをu(p┴ng)ない。ここでは福k原子発電所のe(cu┛)機についてやや深く考えて見たい。は刻々動いているが、もちろんこの原Mの内容は、投函時点(4月4日)のものである。
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2011年4月11日
|長見晃のL(zh┌ng)外トピックス
j(lu┛)地震、S、原発故そしてく余震と、約1ヶ月が経(c┬)するが、しいデータに基づく理解、納u(p┴ng)がなによりまず、と日\しの思いである。f国、湾はじめZuo国の反応を見ると、胸襟を開いて率直にT思楨を図ることの_みをますます感じざるをu(p┴ng)ない。萎縮・マイナス思考は際限がなく、お互いの今後に禁颪任△蝓∈は世cの噞cのサプライチェーン確保が最優先であるとともに、半導・デバイスの絶え間ない\術の進tはVめてはならないという(d┛ng)い感じ(sh┫)である。
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2011年4月 8日
|井嵎原dの点
六vで、「半導x場金Y = Σ半導Q別数量x半導Q別単価」、という数式を使ったx場分析アプローチを紹介したが、Dv`の「風を読む」は、このx場分析アプローチ「金Y = 数量x 単価」をよりk層理解するために経済噞省が毎月o表しているシリコンウェーハ国内統を使し、より的に紹介する。
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2011年4月 6日
|泉谷渉の点
「東日本j(lu┛)震uの甚j(lu┛)な被害はどこまで及ぶのかわからない。今は命と応}当的な復旧にを屬欧討い訝奮だ。電供給不Wによる工場のn働率低下はcけられないだろう。それよりも何よりも恐ろしいのは半導や]晶などの_要材料を供給している東エリアの工場がj(lu┛)]撃をpけていることだ。このままでは、インテルもサムスンも東も思ったようには半導が作れないという懸念が\j(lu┛)している」
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2011年4月 6日
|井嵎原dの点
六v`の「風を読む」は、「MPU 、DRAM、 NAND フラッシュメモリの数量」動向についてである。 半導x場動向を分析する場合、k般的には金Yベースで議bされるが、半導x場金YはΣ半導Q別数量x半導Q別単価で表される。数量、単価のそれぞれの動向について分析することにより、x場動向に瓦垢詈儔修陵廾をよりk層深く理解することができる。例えば半導x場金Yが峺(j━ng)した場合、その要因は数量が\加したためなのか、単価が峺(j━ng)したためなのかを把曚任る。
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