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6月に最もよく読まれた記は、OSATの世cランキング

2018Q6月に最もよく読まれた記は、「半導後工佗OSAT世cトップテンランキング」であった。これは、湾のx場調h会社TrendForceがまとめた世cの後工企業のトップテンランキング。1位のASEをはじめとして順位の変化はそれほどないが、OSATに咾ゑ湾が5社入っている他、中国も3社入っている。

2位の「直Zの世c半導ランキング岼15社を発表」は、先月もよく読まれた。ランキング記は、して読vの興味を引くようだ。3位のKのブログ「中国の国策で半導メモリ攵が始まろうとしているが・・・」も先月の3位を維eした格好になった。

4位の「NANDフラッシュ、単価値下がりでx場拡jの気配」は、5月に出た記のため、先月の読vランキングには反映されなかったが、NANDフラッシュが常に値下がりしているとは拡jし、x場も拡jしていく。TrendForce社もそのような見気鬚靴討り、「メモリの値下がり」=「景気後」という図式ではない。むしろ、「メモリの値下がり」→「拡j」→「売峪\加」というシナリオがこれまでのメモリビジネスであり、今もこれにpっていると考えてよい。

5位の「Intel、3D-Xpoint\術によるパーシステントメモリを提案、階層構成を見直し」は、Intelが記v会見を開き、Intelの半導戦Sについて語ったときのニュースをまとめたもの。Intelは3D-XpointメモリをDRAMのメモリモジュールDIMMと同じソケットに搭載する使い気魑v会見で述べていた。このストレージクラスメモリは、RAM動作が可Δ任△蝓▲侫薀奪轡紊箸く違うに使われる。また、NANDフラッシュをき換えるメモリではなく、]度の点でDRAM→3D Xpointメモリ→NANDフラッシュ、といった図式のメモリ構成が適しているとIntelは語っている。

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