2013Q12月にもっともよく読まれた記は世c半導ランキング
2013Q12月にもっともよく読まれた記は、「2013Qの世c半導ランキング見通しをIHSグローバルも発表」であった。半導企業はOらの位づけを(m┬ng)りたいのであろう。
2位も11月にIC Insightsから発表のあった「メモリメーカーがY(ji└)っている2013Q〜半導世cトップ20ランキング」であった。やはり世c半導ランキングを表している。IC Insightsのランキングにはファウンドリも含んでおり、ランキングに登場する企業の販売Yを合するとダブルカウントになる。しかし、ファウンドリの位がどこに来るのかが確にわかる。
3位の「世c半導x場の先行き、湾発の動きのS紋」では、湾の攵盋が落ち始めていること、またASEの工場で~害の(k┫)れ流しが見つかったことがらかになり、この業c関係vは気にし始めた様子を表している。
4位の「NANDフラッシュのx場がデジカメ・スマホからデータストレージにも拡j(lu┛)」では、データセンター向けに日立がSSDを出荷しているBを中心にNANDフラッシュの新x場が拡j(lu┛)していることを伝えた。
5位の「少電流・高]・1億v書き換え可Δ柄衒儔愁瓮皀蠅LEAPが開発」は、T晶-アモーファスの,任呂覆、T晶AとT晶Bの間の,鮠W(w┌ng)するメモリについて解説した。T晶-アモーファスX(ju└)間を,垢襪燭瓩砲T晶を溶かすa(b┳)度まで加X(qi│n)する要があり、消J電の点においても、1と0を繰り返す信頼性においても来の相変化メモリには問があった。