デンソ〖が極家瀾SiCウェ〖ハに1200V/30AのMOSFETを活侯
トヨタ極瓢賈のティア1サプライヤであるデンソ〖は、極家で喇墓させたSiCインゴットのウェ〖ハを蝗って、パワ〖MOSFETとパワ〖ショットキ〖ダイオ〖ド∈SBD∷を極家倡券していることを≈客とくるまのテクノロジ〖鷗2008∽で湯らかにした。倡券した染瞥攣デバイスと、それを蝗った3陵モ〖タ〖額瓢脫のパワ〖モジュ〖ルを鷗績した。
倡券した木仿3インチのSiCインゴットは、鹼馮窘から2000☆を畝える光補で丹陵喇墓させたもので、馮窘喇墓は極家で乖った。黎泣、票屯なSiCパワ〖チップを券山したロ〖ム家は、SiCウェ〖ハそのものは長嘲のCree家から關掐している。SiCは撅暗で光補にしても閉攣にはならず蓋攣から木儡丹攣に競糙するという拉劑を積つため、Siで蝗ってきたチョクラルスキ〖苞き懼げ恕が蝗えない。光暗にすれば閉步できるが、劉彌が剩花になってしまう。このため、丹陵喇墓でインゴットを侯り懼げた。それを更さ300μm鎳刨のウェ〖ハに磊り叫しスム〖ズな山燙に甫酸する。シリコンとは般い、SiCは染譬湯であるため獨燙にはならない。
寶から3インチSiCウェ〖ハ、MOSFET、SBD、モジュ〖ル∈キャップ銅り痰し∷
活侯したパワ〖MOSFETは、卵暗1200V、排萎30~40A鎳刨、SBDは卵暗1200Vで排萎200Aと絡きい。SiではなくSiCを脫いたのは、光補瓢侯できるだけではなく、光卵暗ˇ光排萎泰刨ˇ光廬スイッチング瓢侯、といった潑墓が光卵暗の極瓢賈に羹くためだ。ダイオ〖ドにショットキ〖儡圭を脫いたのは、pn儡圭よりも界排暗が你いため。ダイオ〖ドはパワ〖MOSFETの嫡排萎を屁がすために蝗う(笆布の哭)。
これを辦つのデバイスとして、3改蝗うことで3陵蛤萎モ〖タ〖をスイッチングさせることができる。海攙活侯したデバイスの呵絡排萎は200Aであるが、排丹極瓢賈では排富排暗600Vで排萎400Aを萎すことをタ〖ゲットとしている。このため、このMOSFET/ダイオ〖ドのデバイスを6寥蝗い、3陵モ〖タ〖額瓢モジュ〖ルに掐れたシステムをデモンストレ〖ションした。肌の倡券謄篩は年呈400Aのデバイスを侯ることだとしている。
辦數、ロ〖ムも200☆での卵暗が1000Vを畝すようなMOSFETを活侯しており、50Aクラスのショットキ〖バリヤ〖ダイオ〖ドと辦斤に鷗績した。肌のタ〖ゲットである4インチSiCウェ〖ハも鷗績していたが、これはCreeから關掐したもの。
