オランダHolst Centreが絡(luò)燙姥フレキシブル答饒羹けALD禱窖を給倡
ALD∈付灰霖デポジション∷禱窖を絡(luò)丹面で、しかもロ〖ル2ロ〖ル數(shù)及の息魯翁緩ラインで蝗える禱窖Spatial ALDをオランダの甫墊怠簇であるHolst Centreが湯らかにした。ALDは付灰1霖ずつ孿姥する禱窖であるため、これまでは山燙帝緬を網(wǎng)脫して1霖ずつ孿姥するため借妄箕粗が墓かった。この撅急を慮ち撬るフレキシブルエレクトロニクス羹けの糠禱窖で、劉彌も侯っている∈哭1∷。
哭1 絡(luò)燙姥に畔って堆辦な泅遂を妨喇するSpatial ALD劉彌 叫諾¨Holst Centre
驕丸、ALDは端めて泅い泅遂を靠鄂面で妨喇するのに蝗われてきた。毋えばDRAMメモリセルのゲ〖ト冷憋遂として光投排攣泅遂を姥霖する毋がある。靠鄂チャンバにウェ〖ハを掐れて、裁錢(qián)しながら、冷憋攣となる亨瘟の漣額攣ガス∈プリカ〖サ〖∷をチャンバ柒に瞥掐した稿、すぐに怯丹することで、呵介の媽1付灰霖が山燙に帝緬する。肌に瓤炳拉ガスをチャンバ柒に萎しまた怯丹する。プリカ〖サ〖と瓤炳して疥司の付灰を答饒山燙に帝緬させる。怯丹の洛わりにプリカ〖サ〖や瓤炳ガスを賄め、N2のような稍寵拉ガスを萎す眷圭もある。このようにして付灰1霖尸ずつ姥霖していく。
ALDのメリットは付灰を1霖ずつ姥霖していくため、堆辦拉が紊い、山燙に柄鋪のついたパタ〖ンではステップカバレ〖ジが紊い、更さの擴(kuò)告拉が紊い、などである。ただし、その尸、途紛に借妄箕粗がかかっていた。
このALD禱窖を、シリコン馮窘ではなく、プラスチック答饒のようなフレキシブル答饒懼に泅く妨喇する禱窖がここで疽拆する、フレキシブルエレクトロニクス羹けの絡(luò)燙姥に畔るALD禱窖である。ロ〖ルツ〖ロ〖ル∈R2R∷數(shù)及であるため、借妄箕粗が沒(méi)い、というメリットがある。絡(luò)茶燙の銅怠ELディスプレイや、銅怠EL救湯、泅遂呂哇排糜、泅遂鏈蓋攣Liイオンバッテリなどの炳脫を晾う。
まずはこの禱窖の付妄を疽拆しよう。瓤炳惜では、活瘟燙に庫(kù)木にガスを酷き燒ける庚を積っている。劉彌、たとえはR2R劉彌では、箕廢誤でガスを界戎に蛤垂していく。哭2の呵も焊の渦咖のガス瞥掐庚のように、呵介に稍寵拉ガスN2を萎す、活瘟を很せたベルトを?qū)殜浃財(cái)∑挨工搿＜·衰抓辚讥怠肌圣欹螗缚А摔蚩幛瓱堡搿￥饯欷颏工扒拥い工搿＜·摔蓼俊⑸詫櫪埂蕼u咖∷を酷き燒けてプリカ〖サ〖の荒りガスを怯丹する。肌にプリカ〖サ〖と瓤炳すべきガス∈濫咖∷を酷き燒けることで疥司の付灰霖を答饒に帝緬させる。瓤炳に大涂しない荒偽ガスを茄逮し、さらに稍寵拉ガス∈渦咖∷を酷き燒ける。笆懼の供鎳で1付灰霖を妨喇する。
哭2 Spatial ALDの數(shù)恕 叫諾¨Holst Centre
哭2の戎規(guī)1で山績(jī)されている渦咖の稍寵拉ガスの酷き燒けでは、プリカ〖サ〖∈オレンジ咖∷と瓤炳すべきガス∈濫咖∷との粗を尸違する舔充を積つ。付灰1霖を評(píng)ること笆嘲の瓤炳を閏けるためだ。この尸違脫の稍寵拉ガスが尉莢を高いにシ〖ルドする舔充を蔡たしている。また、戎規(guī)2で績(jī)した稍寵拉ガスによって、瓤炳ガスとプリカ〖サ〖が嘲嬸へ銑れることを松いでいる。このため瓤炳惜柒の柒噬には孿姥されないという。
この禱窖は、息魯弄にガスに卡れるような慌寥みになっており、絡(luò)丹面でも負(fù)暗布でも乖うことができるという。光擦な靠鄂システムは澀妥ない。
ただし、廟罷すべき爬は、免燎ガスの姐刨を光めなければならないこと、ガスの萎れを堆辦にすることなどである。プラズマCVDの眷圭はそれぞれ佰なるプラズマ富を脫罷する澀妥があると回紐している。
Holst Centreでは、このSpatial ALD禱窖のプロセス倡券と、瀾隴劉彌、さらにそれを蝗ったさまざまな炳脫に艱り寥んでいる。毋えばプロセス倡券では、帽姐な煥步遂の妨喇だけではなく、IGZOのような驢傅廢泅遂、III-V步圭濕染瞥攣、リチウムイオン排糜羹けのリチウム步圭濕、銅怠ˇ痰怠のナノラミネ〖ト、翁灰版竿などさまざまな亨瘟について浮皮している。瀾隴劉彌倡券では、絡(luò)燙姥答饒やR2Rによるフレキシブル答饒での劉彌倡券を乖っている。哭1の劉彌は絡(luò)燙姥答饒脫の劉彌である。
