面柜介の糠房NORフラッシュメモリで寥み哈み廢を晾う
面柜に糠しいメモリベンチャ〖が判眷した。China Flash∈面歐拱抱礁喇排烯∷と鈣ばれるファブレスだ。瀾隴はファウンドリに巴完する。海から輝眷に掐る笆懼、潑墓が澀妥だが、これまでの面柜のメモリメ〖カ〖とは鏈く般う。稿揭するが、糠倡券の迫極メモリ禱窖を積ち、傅IntelのStefan Lai會∈哭1∷がCTOとなっている措度だ。
哭1 China Flash家CTOで傅Intel VPのStefan Lai
このNORフラッシュの呵絡の潑墓は、プログラミング緘恕を倡券したことで你いプログラムエネルギ〖で今き哈めることだ。このため久銳排蝸も今き哈み排暗ˇ久殿排暗も你くて貉む。毋えばプログラム排暗は3V、久殿排暗は7Vと你い。しかも驕丸のフロ〖ティングゲ〖ト房NORフラッシュでは、沒チャンネル跟蔡のためにパンチスル〖が彈こりやすく、腮嘿步できなくなるという啼瑪があったが、糠房NORフラッシュはこの啼瑪がなく、むしろ腮嘿步しなければメモリ跟蔡が叫ないという潑墓がある。しかも、粕叫しアクセス箕粗はわずか60×90nsと廬い。
プログラミング禱窖を疽拆する漣に、腮嘿步材墻な糠しいNORフラッシュのビジネスモデルについて棱湯しよう。このNORフラッシュは、糠房ゆえにIPベンダ〖というビジネスも侍柴家として脫罷した。これがLeWay Integrated Circuit∈面抱歐靡∷家である。なぜIPベンダ〖も脫罷したか。China Flashの晾うべき輝眷が寥み哈みメモリ尸填だからである。いわばフラッシュマイコンなどがこれに陵碰する。フラッシュマイコンでは、フラッシュメモリ嬸尸だけをIPとしてライセンス任卿することがよく乖われてきた。
糠房NORフラッシュといっても、デバイス菇隴はシンプルで辦忍のフラッシュマイコンで澀妥なマイコンやロジックのプロセスとの高垂拉もある。つまり、1霖ポリシリコンプロセスで貉むため、驕丸のフロ〖ティングゲ〖ト菇隴で蝗われてきた2霖ポリシリコンプロセスは澀妥ない。このため、プロセスコストはマイコンやロジックとほとんど恃わらないため奧くなる材墻拉が光い。
これまでのNORフラッシュがプロセス懼で乖き低ったのは腮嘿步しにくかったからだ、とLai會は揭べる。IntelがNORフラッシュメモリを坤に叫したのは澎記よりも玲く、1986鉗であり、その箕は1.5µmプロセスを蝗い、NORフラッシュメモリとは咐わずETOXメモリと鈣んだ。碰介の脫龐はデジタルカメラだったが、啡掠排廈のBIOSやストレ〖ジへと恃步していった。礁姥刨を懼げメモリ推翁を籠やすために腮嘿步を渴めていったが、ドレイン-ソ〖ス粗のパンチスル〖が彈きて瓢侯しにくくなるためこれ笆懼腮嘿步できないというところまできた。これが50nm漣稿だった。
哭2 糠房フロ〖ティングソ〖スのNORフラッシュメモリセル 叫諾¨面歐拱抱
糠房NORフラッシュで倡券されたプログラミング緘恕の答塑弄な雇えは、ホットエレクトロン廟掐を脫いたフロ〖ティングゲ〖トに擊ている。糠房NORフラッシュの答塑セルは、哭2のようにフロ〖ティングゲ〖トではなく、フロ〖ティングソ〖スを何脫する。奶撅のMOSFETのドレイン排暗を辦年にして、擴告ゲ〖トCGにパルス排暗をかけると、呵介はソ〖スあるいはサブストレ〖トからドレインへ瘤乖する排灰がドレイン排腸によって裁廬され、ホットエレクトロンになり、ドレイン撾拌に乖ったり、泅い煥步遂をトンネリングしたりする。ソ〖スはフロ〖ティングなので、肌媽に排操(排灰)が委まり擴告ゲ〖トをオフにしても排操が郊排された覺輪を瘦つ。しかもソ〖ス排疤はドレイン排疤に奪づくため、パンチスル〖は彈きにくくなる。
このプログラミング恕を侍の渾爬から斧たのが哭3である。ドレインとサブストレ〖ト粗の排腸によってドレイン鄂順霖はサブストレ〖ト婁に弓がり、ドレイン排腸に苞きずられて排灰がドレインやゲ〖トトンネル煥步遂婁に大ってくる。インパクトイオン步附據がドレイン排腸で彈き、排灰が呈灰にぶつかり排灰ˇ賴功灤を券欄し、肌」に排灰や賴功を籠裁させていく。裁廬された腳い賴功も肌」とエネルギ〖を評て2肌排灰を券欄させ、トンネル煥步遂を沸てフロ〖ティングゲ〖トやソ〖スに廟掐されることになる。
哭3 ドレイン-サブストレ〖ト粗の鄂順霖が答饒婁に弓がり、フロ〖ティングソ〖スに排操が委まっていく屯灰を績している 叫諾¨面歐拱抱
驕丸のホットキャリア廟掐の眷圭と孺べて、眶紗擒×1000擒のホットエレクトロンが廟掐されるため、跟唯よく郊排できる。このためプログラム跟唯が懼がり、久銳排蝸は布がる、という條だ。
ゲ〖ト墓を沒くすると鼎に、フロ〖ティングソ〖スに排操が委まり、ゲ〖トしきい排暗が絡きくなっていく屯灰を哭4に績す。130nmあたりからメモリ跟蔡が山れてくる屯灰を績している。
哭4 ゲ〖ト墓を350nmから55nmへと腮嘿步するのにつれメモリ跟蔡が覆螟になっていく 叫諾¨面歐拱抱
晾う炳脫尸填が寥み哈み廢に故ったのは、ロジックプロセスとなじみの紊いメモリプロセスにできるからだ。毋えば、シングルポリシリコンゲ〖トのロジックプロセスとの高垂拉を積たせるために、哭5のような菇隴を艱ることができる。
哭5 2霖のポリシリコン菇隴の懼婁を士燙懼に布ろした菇隴のロジックと高垂拉のあるセル菇隴 叫諾¨面歐拱抱
懼の哭は2霖ポリシリコンゲ〖トのフロ〖ティングゲ〖トを鼎奶にして、懼の擴告ゲ〖トをカップリングキャパシタ煥步遂を拆して答饒婁に積ってきた菇隴を績している。ゲ〖ト煥步遂のレイヤ〖がゲ〖トトンネル煥步遂と、カップリングキャパシタ煥步遂を票じ泅さにすれば、2霖ポリを企つに尸けて士燙に事べて彌くような菇隴になる。ただし、カップリング煥步遂だけ警し更くすることも詞帽にできる。この菇隴だとロジック脫のMOSFETプロセスと高垂拉が瘦たれる。
デバイスの瀾隴は、駱涎のUMCと面柜のファウンドリGrace Semiconductorに巴完する。1鉗笆柒、すなわち20鉗瑣までに瀾墑步にこぎつけたいとしている。寥み哈み脫NORフラッシュは、NANDほどの推翁が妥らないクルマのECUやストレ〖ジ笆嘲の脫龐で滇められる。ただし、補刨慌屯を塔顱できるかどうかはこれからの浮皮となる。これまでNANDフラッシュやDRAMで躥柜や泣塑、勢柜の稿を納うビジネスを鷗倡してきたが、この糠房NORフラッシュは介めての面柜迫極のメモリ禱窖といえる。
