図1　LTEの周�S数帯に渡って��来のアンテナよりも効率の高い��性を�uる
出�Z：Cavendish Kinetics

�盜�報会社Globalpress Connection主��のE-Summit 2013では、MEMSバリコンを2008�Q創業のベンチャー、Cavendish Kinetics（キャベンディッシュ・カイネティクス）社が、MEMSリードスイッチを創立90周�Q以�屬�Coto Technology（コト・テクノロジー）社が、それぞれ発表した。企業の歴史として�款氾�なベンチャーと�鬩FがMEMSデバイスを開発しているのである。

CavendishのMEMSバリコンは、高周�Sチューニングするための可変キャパシタである。スイッチング接点をなくすと同時に��失を��(f┫)らし、アンテナ効率の高いチューナを作ることが狙いである(図1)。例えばLTEの送信と�p信の周�S数帯を700MHz〜800MHzとして、��失が�j(lu┛)きければ使える周�S数のRFパワーが下がってしまい、つながりにくくなる。2Gのデジタル携帯電�Bから2.5G、3G、4G、高機�Δ淵好沺璽肇侫�ンとさまざまな周�S数を使う機�Δ�高まるにつれ、つながりにくくなる��向は顕著になる(図2)。

図2　携帯電�Bの高機�Σ修砲弔譽▲鵐謄弊��Δ離�ャップは拡�j(lu┛)
出�Z：Cavendish Kinetics

これまでCMOS�\術を使ったスイッチトキャパシタフィルタやいろいろな負荷を��要とするアンテナ設��では、��失が�j(lu┛)きく、図2のような理�[と現実とのかい�`が進んできた。そこで、誘電率が1になる空気を絶縁��としてMEMSのキャパシタを開発している(図3)。金�關�を向かい合わせてその�{(di┐o)�`に応じて容量を変えて行くため、ロスが少なく、スイッチも少ない。このためキャパシタのQ値はRF��に数��あるという。変えられる��電容量は5:1��度だとしている。

図3　�峅偲填亡屬燐{(di┐o)�`を変えて容量を変える　出�Z：Cavendish Kinetics

�盜颪�LTEスマートフォンに使ったアンテナ(B17)実�xでは、700MHz、725MHz、750MHzに渡り、平均1.3dB�W(w┌ng)�uが高まった。これは、+35%改��したことに相当する（図4）。

図4　アンテナの�W(w┌ng)�uは平均1.3dB�屬�った　出�Z：Cavendish Kinetics

�k��(sh┫)、創業90�Qを��えるCotoは、ガラス封�Vのリードスイッチを�攵�してきた。このほどMEMS�\術を使うことによって、最も小さなリードスイッチを開発した。リードスイッチは、磁�cを検出すると接点がつながることでスイッチ動作を行うデバイスである。��来と同様な接点動作をさせるためにMEMSで�喙Ю���接点を形成した。

リードスイッチは、磁�cがかかる�iまでは接点がオープンになっているため、電流は��く流れない。待機時の消�J電��はゼロである。磁�cが加わって初めて接点が閉じる。

これまでのリードスイッチは小型のガラス封�Vリレーでも、長さは5mm��度あり、さらにリード線が�Pびている。MEMSを使った新����RedRockは長さ2mm、幅1mm、厚さ1mmと極めて小さい(図5)。

図5　ガラス封�Vのリードスイッチは今2mm3と小さくなった　出�Z：Coto Technology

小型化を実現できたため、��聴�_(d│)や内����(d┣)カプセル、ハンディタイプのインシュリン供給システム、クルマの��圧システムのオイル量検出などにも使えるようになる。

図6　セラミックウェーハによるMEMSとウェーハレベルパッケージング
出�Z：Coto Technology

Cotoが使ったMEMS�\術はシリコンをベースにはしていない。基��となるウェーハはセラミックである。その�屬��喙Ю���となるNi、Fe、Co　Rdなどのメタルからなる磁性材料を電解メッキで成長させる。ここにMEMS�\術でアスペクト比の高い深いエッチングを行い、接点�霾�を形成する(図6)。スイッチの周囲には銅の壁を形成しておく。

接点�陲鮴澆韻織札薀潺奪�ウェーハ基��の�屬�ら別のセラミックウェーハを、真空中で�_ねることで、ハーメティックシール（気密封�V）を行う。シリコンに当てはめればまさにウェーハレベルパッケージングである。

小型化することで、これまでにはないGMR（giant magneto resistive）素子やホール素子のような磁気センサも可�Δ砲覆襦�新しい応��が開けると、同社�\術担当VPのStephen Day��は述べる。